一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示面板技术

本发明专利技术实施例公开了一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示面板，其中，该薄膜晶体管包括：遮光层，其中，遮光层包括用于防止背光源进入有源层沟道区域的第一层和用于防止层间光源进入有源层沟道区域的第二层，本发明专利技术设置该遮光层不仅能够防止背光源进入有源层沟道区域，而且还能够防止层间光源进入有源层沟道区域，减少了光源对有源层的不良影响，提高薄膜晶体管的质量。

A thin film transistor and its manufacturing method, array substrate and display panel

The embodiment of the invention discloses a thin film transistor and its manufacturing method, array substrate, display panel, wherein, the thin film transistor includes: a light shielding layer, wherein, the shading layer includes a means for preventing the back light into the active layer of the channel region between the first layer and the layer to prevent the light source into the second layer of the active layer of the channel region the invention is provided, the shading layer can not only prevent the back light source into the active layer of the channel region, but also can prevent the source layer into the active layer channel region, reduce the adverse effect of light source on the active layer, improve the quality of thin film transistors.

【技术实现步骤摘要】
一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示面板
本专利技术涉及显示
，尤指一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示面板。
技术介绍
随着薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，简称TFT)液晶显示技术的不断发展，具备功耗低、分辨率高、反应速度快以及开口率高等特点的低温多晶硅LTPS技术的TFT显示装置逐渐成为主流，已被广泛应用于各种电子设备，如液晶电视、智能手机、平板电脑以及数字电子设备中。目前，薄膜晶体管包括：有源层、栅电极和源漏电极等元件，而背光源对有源层的照射会使光生载流子增加，造成阈值电压偏移，尤其是背光源中的蓝光波段，因此，现有技术中为了防止TFT的有源层被背光源照射，在基板上与有源层的沟道区域对应的位置上设置了遮光层。传统工艺中一般采用钼等金属作为遮光层，虽然能够遮挡背光源，但是层间光源会由金属制成的遮光层反射到有源层的沟道区域，从而对有源层造成不良影响，导致薄膜晶体管质量下降。
技术实现思路
为了解决上述技术问题，本专利技术提供了一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示面板，能够减少光源对有源层的不良影响，提高薄膜晶体管的质量。为了达到本专利技术目的，本专利技术提供了一种薄膜晶体管，包括：遮光层；其中，所述遮光层包括用于防止背光源进入有源层沟道区域的第一层和用于防止层间光源进入有源层沟道区域的第二层。进一步地，有源层设置在所述第二层的一侧，所述第一层设置在所述第二层的另一侧，第一层与第二层形成遮光图案，所述遮光图案在基板上的正投影大于或等于有源层的沟道区域在基板上的正投影。进一步地，所述第一层的材料为金属，所述第二层的材料为氧化硅。进一步地，所述第一层和第二层的材料均为包括金属和氧化硅的复合物。进一步地，从遮光层的远离有源层的一侧到遮光层的靠近有源层的一侧的方向上，所述遮光层中的金属的含量逐渐降低，所述遮光层中的氧化硅的含量逐渐增高。进一步地，所述第一层远离有源层一侧的反射率为0.84-0.9，所述第二层靠近有源层一侧的反射率为0.07-0.11。另外，本专利技术实施例还提供一种阵列基板，包括薄膜晶体管。另外，本专利技术实施例还提供一种显示面板，包括阵列基板。另外，本专利技术实施例还提供一种薄膜晶体管制作方法，包括：在基板上形成遮光层，其中，遮光层包括用于防止背光源进入有源层沟道区域的第一层和用于防止层间光源进入有源层沟道区域的第二层；在形成有遮光层的基板上形成有源层。进一步地，所述在基板上形成遮光层，具体包括：在基板上采用电子束蒸镀工艺，或者高真空化学气象沉积工艺形成第一薄膜和第二薄膜；通过构图工艺形成包括第一层和第二层的遮光层。本专利技术实施例提供的薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示面板，该薄膜晶体管包括：遮光层，其中，遮光层包括用于防止背光源进入有源层沟道区域的第一层和用于防止层间光源进入有源层沟道区域的第二层，本专利技术设置该遮光层不仅能够防止背光源进入有源层沟道区域，而且还能够防止层间光源进入有源层沟道区域，减少了光源对有源层的不良影响，提高薄膜晶体管的质量。附图说明附图用来提供对本专利技术技术方案的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本申请的实施例一起用于解释本专利技术的技术方案，并不构成对本专利技术技术方案的限制。图1为本专利技术实施例提供的薄膜晶体管的结构示意图；图2为本专利技术实施例提供的遮光层成分的含量变化曲线；图3为第一层和第二层的反射率随着入射光的波长的变化曲线；图4为本专利技术实施例提供的薄膜晶体管制作方法的流程图；图5(a)为本专利技术实施例二提供的薄膜晶体管制作方法示意图一；图5(b)为本专利技术实施例二提供的薄膜晶体管制作方法示意图二；图5(c)为本专利技术实施例二提供的薄膜晶体管制作方法示意图三；图5(d)为本专利技术实施例二提供的薄膜晶体管制作方法示意图四；图5(e)为本专利技术实施例二提供的薄膜晶体管制作方法示意图五；图5(f)为本专利技术实施例二提供的薄膜晶体管制作方法示意图六；图5(g)为本专利技术实施例二提供的薄膜晶体管制作方法示意图七；图5(h)为本专利技术实施例二提供的薄膜晶体管制作方法示意图八。具体实施方式为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下文中将结合附图对本专利技术的实施例进行详细说明。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。在附图的流程图示出的步骤可以在诸如一组计算机可执行指令的计算机系统中执行。并且，虽然在流程图中示出了逻辑顺序，但是在某些情况下，可以以不同于此处的顺序执行所示出或描述的步骤。为了清晰起见，在用于描述本专利技术的实施例的附图中，层或微结构的厚度和尺寸被放大。可以理解，当诸如层、膜、区域或基板之类的元件被称作位于另一元件“上”或“下”时，该元件可以“直接”位于另一元件“上”或“下”，或者可以存在中间元件。实施例一图1为本专利技术实施例提供的薄膜晶体管的结构示意图，如图1所示，本专利技术实施例提供的薄膜晶体管包括：遮光层，遮光层包括用于防止背光源进入有源层沟道区域的第一层21和用于防止层间光源进入有源层沟道区域的第二层22。其中，本专利技术实施例中的薄膜晶体管的结构为顶栅结构，如图1所示的薄膜晶体管还包括：基板1、缓冲层3、有源层4、栅绝缘层5、栅电极6、层间绝缘层7、源漏电极8以及钝化层9。在本专利技术实施例中，有源层4设置在第二层22的一侧，第一层21设置在第二层22的另一侧，第一层21与第二层22形成遮光图案，需要说明的是，为了遮光层能够尽可能多的阻挡背光源的光射到有源层的沟道区域上，遮光图案在基板上的正投影大于或等于有源层的沟道区域在基板上的正投影。在本实施例中，遮光层厚度为50-150纳米，优选地，遮光层的厚度为100纳米，需要了解的是，只要第一层21的厚度和第二层22的厚度总和等于遮光层的厚度，本专利技术并不限定第一层21和第二层22的厚度，具体根据实际需求确定。具体的，作为一种实现方式，第一层21的材料可以为金属，第二层22的材料可以为氧化硅，其中，金属可以为包括：钼、金、铜、铝或合金，本专利技术对此并不限制。需要说明的是，第一层的金属的反射率较高，则由背光源射向有源层沟道区域的光线会被反射回去，无法进入有源层沟道区域，而第二层的氧化硅的反射率较低，则由层间光源射向氧化硅的光线不会被反射到有源层沟道区域。作为另外一种实现方式，第一层21和第二层22的材料均为包括金属和氧化硅的复合物，其中，金属可以为包括：钼、金、铜、铝或合金，本专利技术对此并不限制。需要说明的是，从遮光层的远离有源层的一侧到遮光层的靠近有源层的一侧的方向上，遮光层中的金属的含量逐渐降低，遮光层中的氧化硅的含量逐渐增高。具体的，第一层的铝的含量比第二层的铝的含量高，第二层的氧化硅的含量比第一层的氧化硅的含量高，图2为本专利技术实施例提供的遮光层成分的含量变化曲线，具体的，图2是以遮光层的厚度为100纳米，金属为铝为例进行说明。图3为第一层和第二层的反射率随着入射光的波长的变化曲线，如图3所示，第一层的反射率随着入射光波长的增大而减少，第二层的反射率随着入射光波长的增大而增大，其中，第一层21远离有源层一侧的反射率为0.84-0.9，第二层22靠近有源层一侧的反射率为0.07-0.11，需要说明的是，需要说明的是，第一层的包括的金属含量较多，由于金属的反射率较高，因此由背光源射向有源层本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：遮光层；其中，所述遮光层包括用于防止背光源进入有源层沟道区域的第一层和用于防止层间光源进入有源层沟道区域的第二层。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：遮光层；其中，所述遮光层包括用于防止背光源进入有源层沟道区域的第一层和用于防止层间光源进入有源层沟道区域的第二层。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，有源层设置在所述第二层的一侧，所述第一层设置在所述第二层的另一侧，第一层与第二层形成遮光图案，所述遮光图案在基板上的正投影大于或等于有源层的沟道区域在基板上的正投影。3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一层的材料为金属，所述第二层的材料为氧化硅。4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一层和所述第二层的材料均为包括金属和氧化硅的复合物。5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管，其特征在于，从遮光层的远离有源层的一侧到遮光层的靠近有源层的一侧的方向上，所述遮光层中金属的含量逐渐降低，所述遮...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙雪菲，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11