封装结构制造技术

提供封装结构及其形成方法。封装结构包含位于基底层上的集成电路管芯及第一遮蔽部件。封装结构还包含封装层，封住集成电路管芯及第一遮蔽部件。封装结构还包括第二遮蔽部件，从基底层的侧表面朝向第一遮蔽部件延伸，以与第一遮蔽部件电性连接。第二遮蔽部件的侧表面背向基底层的侧表面，且大致上与封装层的侧表面共平面。

Packaging structure

Providing encapsulation structure and forming method thereof. The package structure includes an integrated circuit core and a first shield component. The encapsulation structure also includes an encapsulation layer, sealing the integrated circuit tube core and the first shielding component. The package structure also comprises second shielding parts extending from the side surface of the base layer toward the first shielding component to electrically connect with the first shielding component. The side surface of the second shielding component is back to the side surface of the base layer, and generally is coplanar with the side surface of the packaging layer.

【技术实现步骤摘要】
封装结构
本公开实施例涉及一种半导体技术，特别涉及具有遮蔽部件的封装结构及其形成方法。
技术介绍
半导体装置已运用在各种电子应用上，例如个人电脑、手机、数位相机以及其他的电子设备。半导体装置的制造涉及在半导体基板上依序沉积绝缘层或介电层、导电层、及半导体层，并且利用光刻工艺及蚀刻工艺将各材料层图案化，以在半导体基板上形成电路元件及构件。通常在单一半导体晶片上制造许多集成电路，且通过沿着切割道在集成电路之间进行切割，以从晶片切割出独立的管芯。个别的管芯通常分开地封装，例如封装在多芯片模块(multi-chipmodule)中或其他类型的封装结构中。半导体产业通过持续地缩小最小部件尺寸，不断增加各种电子元件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度，使得更多的元件可整合至既定的面积内。在一些应用中，这些较小型的电子元件亦使用采用较小面积或较低高度的较小封装结构。新的封装技术已开始发展，例如堆叠式封装(packageonpackage，PoP)，此新的封装技术将具有一装置管芯的一顶封装体接合至具有另一装置管芯的一底封装体。通过采用新的封装技术，将各种具有不同或相似功能的封装体整合在一起。这些相对新型的半导体装置的封装技术面临工艺上的挑战，且这些技术并非全方面令人满意。
技术实现思路
本公开的一些实施例提供封装结构。封装结构包含位于基底层上的集成电路管芯及第一遮蔽部件。封装结构还包含封装层，封住集成电路管芯及第一遮蔽部件。封装结构还包括第二遮蔽部件，从基底层的侧表面朝向第一遮蔽部件延伸，以与第一遮蔽部件电性连接。第二遮蔽部件的侧表面背向基底层的侧表面，且大致上与封装层的侧表面共平面。本公开的一些实施例提供封装结构。封装结构包含由封装层封住的集成电路管芯。封装结构还包含第一遮蔽部件，穿透封装层。封装结构还包括第二遮蔽部件，覆盖集成电路管芯及封装层。第二遮蔽部件朝向第一遮蔽部件延伸，以与第一遮蔽部件电性连接。再者，封装结构包含与第一遮蔽部件电性连接的重分布结构。第二遮蔽部件通过第一遮蔽部件与重分布结构分隔。本公开的一些实施例提供封装结构的形成方法。封装结构的形成方法包含在基底层上形成第一遮蔽部件。封装结构的形成方法还包含在基底层上设置集成电路管芯。封装结构的形成方法还包括在基底层上形成封装层，以封住第一遮蔽部件及集成电路管芯。再者，封装结构的形成方法包含形成穿透基底层的开口。封装结构的形成方法还包含形成覆盖集成电路管芯及封装层的第二遮蔽部件。第二遮蔽部件延伸到开口中，以电性连接封装层内的第一遮蔽部件。附图说明图1绘示出根据一些实施例的封装结构的制造过程的其中一个阶段的上视图。图2A至图2K绘示出根据一些实施例的封装结构的制造过程的各个阶段的剖面示意图。图3绘示出根据一些实施例的封装结构的制造过程的其中一个阶段的上视图。图4绘示出根据一些实施例的封装结构的制造过程的其中一个阶段的上视图。图5绘示出根据一些实施例的封装结构的剖面示意图。其中，附图标记说明如下：100承载基板100A、100B区域110粘着层120基底层120S、130S、270S、280S、290S、380S侧表面130重分布结构140、160、280导电层150、170、220、290钝化层180导电部件190、380遮蔽部件195连接部件200集成电路管芯210半导体基底230导电垫240、250、310、350连接器260保护层270封装层300凸块下金属结构320载板330、370开口340元件360底胶层具体实施方式以下的公开内容提供许多不同的实施例或范例，以实施本公开的不同部件。而本说明书以下的公开内容是叙述各个部件及其排列方式的特定范例，以求简化专利技术的说明。当然，这些特定的范例并非用以限定本公开。例如，若是本说明书以下的公开内容叙述了将一第一部件形成于一第二部件之上或上方，即表示其包含了所形成的上述第一部件与上述第二部件是直接接触的实施例，亦包含了尚可将附加的部件形成于上述第一部件与上述第二部件之间，而使上述第一部件与上述第二部件可能未直接接触的实施例。另外，本公开的说明中不同范例可能使用重复的参照符号及/或用字。这些重复符号或用字是为了简化与清晰的目的，并非用以限定各个实施例及/或所述外观结构之间的关系。再者，为了方便描述图式中一元件或部件与另一(复数)元件或(复数)部件的关系，可使用空间相关用语，例如「在...之下」、「下方」、「下部」、「上方」、「上部」及类似的用语等。除了图式所绘示的方位之外，空间相关用语涵盖使用或操作中的装置的不同方位。所述装置也可被另外定位(例如，旋转90度或者位于其他方位)，因此方向性用语仅用以说明图示中的方向。以下描述了封装结构及其形成方法的一些实施例。封装结构可应用于晶片级封装(waferlevelpackage，WLP)。图1绘示出根据一些实施例的封装结构的制造过程的其中一个阶段的上视图。图2A至图2K绘示出根据一些实施例的封装结构的制造过程的各个阶段的剖面示意图。在一些实施例中，图2A至图2K沿着图1所示的剖线I-I’的剖面示意图。虽然以下讨论的一些实施例的步骤以特定顺序进行，然而这些步骤也可以以其他合乎逻辑的顺序来进行。可以在图1及图2A至图2K所述的阶段之前、期间及/或之后提供额外的步骤。以下描述的某些阶段在不同实施例中可替换或省略。可以在封装结构内加入额外的部件。以下描述的某些部件在不同实施例中可替换或省略。如图1所示，根据一些实施例，提供承载基板100。在一些实施例中，承载基板100作为暂时性基板。暂时性基板在后续的工艺步骤(例如，后续更详细描述的那些工艺步骤)期间提供机械性及结构支撑。承载基板100由半导体材料、陶瓷材料、高分子材料、金属材料、其他适合的材料或上述的组合所构成。在一些实施例中，承载基板100为玻璃基底。在一些其他实施例中，承载基板100为半导体基底，例如硅晶片。如图1所示，根据一些实施例，在承载基板100上定义出多个区域100A及一个区域100B。区域100B将多个区域100A彼此分隔。封装结构(后续将会更详细描述)将形成于每一区域100A内。区域100B包含切割道，其将后续形成于区域100A内的多个封装结构彼此隔离。如图2A所示，根据一些实施例，在多个区域100A及区域100B内的承载基板100上方沉积粘着层110。粘着层110可以由胶材(glue)所构成，或者可以是层压材料(例如，箔片(foil))。在一些实施例中，粘着层110具有感光性，且可通过光照射而从承载基板100轻易地分离。举例来说，可在承载基板100上照射紫外线(UV光)或激光光线来剥离粘着层110。在一些实施例中，粘着层110为光热转换(light-to-heat-conversion，LTHC)涂层。在一些其他实施例中，粘着层110具有感热性，且当粘着层110暴露于热时可从承载基板100轻易地分离。之后，根据一些实施例，在区域100A及区域100B内的粘着层110上方沉积或层迭基底层120。基底层120可为集成电路管芯的接合(后续将会更详细描述)提供结构支撑，且有助于减少管芯移位的问题。在一些实施例中，基底层120为高分子层或含高分子层。基底层120可为聚-对-伸苯基苯并双唑(poly本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种封装结构，包括：集成电路管芯及第一遮蔽部件，位于基底层上；封装层，封住该集成电路管芯及该第一遮蔽部件；以及第二遮蔽部件，从该基底层的侧表面朝向该第一遮蔽部件延伸，以与该第一遮蔽部件电性连接，其中该第二遮蔽部件的侧表面背向该基底层的该侧表面，且大致上与该封装层的侧表面共平面。

【技术特征摘要】
2016.04.28 US 62/328,639;2016.08.03 US 15/227,0601.一种封装结构，包括：集成电路管芯及第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡钰芃，翁圣丰，邱圣翔，林志伟，林威宏，郑明达，谢静华，刘重希，陈孟泽，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71