一种单面多晶硅的制备方法技术
Preparation method of single sided polysilicon
The invention discloses a preparation method of a single polysilicon, the preparation method comprises the following steps: providing a silicon substrate on the silicon substrate; forming a first surface of the first mask layer; the SiO2 layer is formed on the surface of the silicon substrate second; a polysilicon layer is formed on the first surface of the silicon substrate and the second surface; from the side of the second surface forms second mask layer on the silicon substrate second on the surface of the polysilicon layer on the silicon substrate; a first polysilicon layer on the surface of the etching process; the first mask layer and the second mask layer is removed. The preparation method solves the problem of over plating in the prior art, and realizes the preparation of single sided polysilicon.
【技术实现步骤摘要】
一种单面多晶硅的制备方法
本专利技术涉及晶硅太阳能电池
，更具体地说，尤其涉及一种单面多晶硅的制备方法。
技术介绍
随着科学技术的不断发展，人们对生活环境的要求也越来越高，清洁能源愈发受到人们的重视，光伏发电技术作为利用太阳能资源的主流技术，已经走向市场化和商业化，为了更进一步推进光伏电池产品的应用和推广，需要不断提高电池效率。TOPCon(TunnelOxidePassivationContact；隧道氧化钝化接触)电池作为一种高效光伏电池，其沉积单晶硅的关键技术大多数通过管式LPCVD(低压化学气相沉积)设备实现，但是管式LPCVD的绕镀问题成为制约电池提高效率的重要问题之一。那么如何实现制备单面多晶硅，是本领域技术人员亟待解决的问题。
技术实现思路
为解决上述问题，本专利技术提供了一种单面多晶硅的制备方法，该制备方法解决了现有技术中存在绕镀的问题，实现了制备单面多晶硅。为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种单面多晶硅的制备方法，所述制备方法包括：提供一硅衬底；在所述硅衬底第一表面形成第一掩膜层；在所述硅衬底第二表面形成SiO2层；在所述硅衬底的第...
【技术保护点】
一种单面多晶硅的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：提供一硅衬底；在所述硅衬底第一表面形成第一掩膜层；在所述硅衬底第二表面形成SiO2层；在所述硅衬底的第一表面以及第二表面形成多晶硅层；在所述硅衬底第二表面上的多晶硅层背离所述第二表面的一侧形成第二掩膜层；对所述硅衬底第一表面上的多晶硅层进行刻蚀处理；去除所述第一掩膜层以及所述第二掩膜层。
【技术特征摘要】
1.一种单面多晶硅的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：提供一硅衬底；在所述硅衬底第一表面形成第一掩膜层；在所述硅衬底第二表面形成SiO2层；在所述硅衬底的第一表面以及第二表面形成多晶硅层；在所述硅衬底第二表面上的多晶硅层背离所述第二表面的一侧形成第二掩膜层；对所述硅衬底第一表面上的多晶硅层进行刻蚀处理；去除所述第一掩膜层以及所述第二掩膜层。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述硅衬底为N型硅衬底。3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一掩膜层为SiON掩膜层。4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一掩膜层的厚度为80nm-500nm。5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第...
【专利技术属性】
技术研发人员：王钊，包健，金浩，张昕宇，刘洪伟，杨洁，
申请(专利权)人：浙江晶科能源有限公司，晶科能源有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33
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