一种垂直型多电流通道SiC光导开关及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种垂直型多电流通道SiC光导开关及其制作方法，首先采用lift‑off工艺将所需电极图形转移到SiC衬底一侧表面，利用磁控溅射工艺在SiC衬底电极图形上依次制作Ti层和W层，然后在W层上利用真空蒸发镀膜工艺依次制作Au层和NiCr层，从而完成接触电极的制作，对制作完接触电极的SiC衬底进行去胶，使衬底形成多电流通道的，采用多电流通道的方法来减小现有开关中出现的电流丝效应，电流丝效应是电流集中在局部区域，会使得该区域温度升高很多，从而导致开关热损坏，降低器件寿命；多电流通道将电流分散在开关中，减少了热集中，增加了光导开光的寿命；通过在SiC光导开关上设置多电流通道，减小电流密度，从而提高开关耐压能力及可靠性。

A vertical type multi current channel SiC photoconductive switch and its manufacturing method

The invention discloses a vertical type multi channel current SiC photoconductive switch and its making method, firstly using lift off process will be required to transfer to the substrate side electrode pattern of SiC surface, followed by production of Ti layer and W layer on the SiC substrate electrode pattern by magnetron sputtering process, and then in the W layer by vacuum evaporation coating process in order to make the Au layer and NiCr layer, which made contact electrode on SiC substrate, finished contact electrode to the substrate to form glue, multiple current channel, using multi channel current to reduce the existing switch in electric wire flow effect, current wire current effect is concentrated in the local area, will the regional temperature a lot, resulting in switching hot damage, reduce device life; current channel will be dispersed in the current switch, reduce the heat concentration, increase the optical switch The service life and reliability of the switch are improved by setting multiple current channels on the SiC photoconductive switch to reduce the current density.

【技术实现步骤摘要】
一种垂直型多电流通道SiC光导开关及其制作方法
本专利技术属于光导开关制备领域，具体涉及一种垂直型多电流通道SiC光导开关及其制作方法。
技术介绍
光导开关由于响应快、功率容量大、重复频率高、抖动小、抗干扰能力强等优点，在脉冲功率系统具有十分广阔的应用前景，是当前超快大功率半导体开关领域的研究热点之一。SiC击穿场强大、热导率高，可满足更高电压、更大电流(功率)和高重频的应用需求，是当前最适合制备光导开关的材料。但是通常的横向光导开关耐压能力不足，难以胜任超高电压下使用情况，并且大电流通过开关时的集中现象也容易使器件发热，性能退化。因此，本专利技术提出一种垂直型多电流通道SiC光导开关来分散电流，减小电流密度，从而提高开关耐压能力及可靠性。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种垂直型多电流通道SiC光导开关及其制作方法，以克服现有技术的不足。为达到上述目的，本专利技术采用如下技术方案：一种垂直型多电流通道SiC光导开关的制作方法，具体包括以下步骤：首先对SiC衬底做抛光处理，然后采用lift-off工艺将所需电极图形转移到SiC衬底一侧表面，利用磁控溅射工艺在SiC衬底电极图形上依本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种垂直型多电流通道SiC光导开关的制作方法，其特征在于，具体包括以下步骤：首先对SiC衬底做抛光处理，然后采用lift‑off工艺将所需电极图形转移到SiC衬底一侧表面，利用磁控溅射工艺在SiC衬底电极图形上依次制作Ti层和W层，在W层上利用真空蒸发镀膜工艺依次制作Au层和NiCr层，完成接触电极的制作，对制作完接触电极的SiC衬底进行去胶，去胶后在SiC衬底的另一侧表面用真空蒸发镀膜蒸镀金锗镍合金层，通过退火处理得到SiC光导开关。

【技术特征摘要】
1.一种垂直型多电流通道SiC光导开关的制作方法，其特征在于，具体包括以下步骤：首先对SiC衬底做抛光处理，然后采用lift-off工艺将所需电极图形转移到SiC衬底一侧表面，利用磁控溅射工艺在SiC衬底电极图形上依次制作Ti层和W层，在W层上利用真空蒸发镀膜工艺依次制作Au层和NiCr层，完成接触电极的制作，对制作完接触电极的SiC衬底进行去胶，去胶后在SiC衬底的另一侧表面用真空蒸发镀膜蒸镀金锗镍合金层，通过退火处理得到SiC光导开关。2.根据权利要求1所述的一种垂直型多电流通道SiC光导开关的制作方法，其特征在于，对SiC衬底做抛光处理，去除SiC衬底表面的氧化物。3.根据权利要求1所述的一种垂直型多电流通道SiC光导开关的制作方法，其特征在于，对SiC衬底做抛光处理：将SiC衬底依次通过丙酮、酒精、去离子水各超声清洗5-10min，然后用浓H2SO4浸泡5-10min，再依次通过丙酮、酒精和去离子水各超声清洗5-10min，然后通过氮气吹干。4.根据权利要求1所述的一种垂直型多电流通道SiC光导开关的制作方法，其特征在于，采用lift-off工艺，将所需图形转移到SiC衬底表面，具体的：将抛光后的SiC衬底安装在甩胶机上，在抛光后的SiC衬底表面滴入光刻胶，然后通过甩胶机匀速转动即得到均匀的、没有缺陷的光刻胶膜；将得到光刻胶膜的SiC衬底置于90-110℃的加热台上，烘烤85-95s；然后用波长为360-370nm的紫外光曝光175-185s，结束后取下样品；将曝光...

【专利技术属性】
技术研发人员：张景文，谢倩，陈旭东，翟文博，王明海，卜忍安，王宏兴，侯洵，
申请(专利权)人：西安交通大学，
类型：发明
国别省市：陕西,61