管式PERC太阳能电池的修复工艺及制备工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种管式PERC太阳能电池的修复工艺，修复工艺设置在硅片退火之后，硅片背面镀膜之前，包括：(1)将退火后镀膜前停留时间超过4小时的半成品硅片置入修复炉，通入流量为5‑10slm的氮气实现自洁，氮气的通入时间为1‑5min；(2)通入流量为5‑20slm的氮气，用于吹扫硅片上的灰尘；(3)将修复炉从室温升温到500‑650℃，同时通入流量为1‑5slm的氮气；(4)将修复炉在500‑650℃恒温5‑30min，同时通入流量为5‑20slm的氮气。相应的，本发明专利技术还公开了一种管式PERC太阳能电池的制备工艺。采用本发明专利技术，解决半成品停留时间过长带来的效率下降问题，并提高EL良率。

Repair technology and fabrication process of tubular PERC solar cells

The invention discloses a repair process of a tube type PERC solar cell, the repair process is arranged in the silicon wafer after annealing before silicon film comprises: (1) after annealing, the coating of semi-finished products for more than 4 hours of repair in the silicon furnace, nitrogen into the flow of 5 10slm to achieve self-cleaning nitrogen access time is 1 5min; (2) pass into the flow of nitrogen 5 20slm, used for blowing dust on the wafer; (3) will repair the furnace from room temperature to 500 DEG C 650, through the flow of nitrogen 1 5slm; (4) to repair in the furnace 500 30min 5 constant temperature of 650 DEG C, through the flow of nitrogen for 5 20slm. Accordingly, the invention also discloses the preparation process of the tubular PERC solar cell. By adopting the invention, the problem of reduced efficiency caused by long residence time of semi-finished products is solved, and the yield of EL is improved.

【技术实现步骤摘要】
管式PERC太阳能电池的修复工艺及制备工艺
本专利技术涉及PERC太阳能电池领域，尤其涉及一种管式PERC太阳能电池的修复工艺，以及一种管式PERC太阳能电池的制备工艺。
技术介绍
在制造过程中，各工序经常会出现工艺问题或者机器故障导致的宕机，会导致前道工序的半成品停留，在某些工序，半成品停留时间过长会影响到成品的性能。管式PERC电池的制造过程为：制绒，扩散，刻蚀，退火，背镀膜，正镀膜，激光，丝网印刷，烧结。专利技术人在实验中发现，退火后到背镀膜的间隔时间超过4小时，电池的转换效率会明显下降，而且，间隔时间越长，效率降幅越大，最大的效率降幅能达到0.2%以上。理论上，间隔时间越长，硅片会吸收空气中的水分，显著降低背面氧化铝镀膜的钝化效果。对于太阳能电池，0.2%是一个比较大的效率差距，提升效率0.2%，可以明显增加终端太阳能电站的发电量，也可以显著降低发电成本。另外，如果退火到背镀膜的间隔时间越长，硅片上容易吸附空气中的粉尘，导致PERC电池的EL测试出现很多黑点和黑斑，影响电池的EL良率。在生产管理方面，通过合理安排投料和生产、提高问题反馈和预警的及时性来减少半成品在退火后的停留本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种管式PERC太阳能电池的修复工艺，其特征在于，所述修复工艺设置在硅片退火之后，硅片背面镀膜之前，所述修复工艺包括：(1)将退火后镀膜前停留时间超过4小时的半成品硅片置入修复炉，所述修复炉包括炉外腔,旋转内腔和中心固定机构，中心固定机构上设置有红外灯和喷气管，旋转内腔上设置有放置硅片的卡槽和连通炉外腔的通孔，所述喷气管通入流量为5‑10slm的氮气实现自洁，所述氮气的通入时间为1‑5min；(2)通入流量为5‑20slm的氮气，用于吹扫硅片上的灰尘；(3)将修复炉从室温升温到500‑650℃，升温时间为5‑20min，同时通入流量为1‑5slm的氮气；(4) 将修复炉在500‑650℃恒温5...

【技术特征摘要】
1.一种管式PERC太阳能电池的修复工艺，其特征在于，所述修复工艺设置在硅片退火之后，硅片背面镀膜之前，所述修复工艺包括：(1)将退火后镀膜前停留时间超过4小时的半成品硅片置入修复炉，所述修复炉包括炉外腔,旋转内腔和中心固定机构，中心固定机构上设置有红外灯和喷气管，旋转内腔上设置有放置硅片的卡槽和连通炉外腔的通孔，所述喷气管通入流量为5-10slm的氮气实现自洁，所述氮气的通入时间为1-5min；(2)通入流量为5-20slm的氮气，用于吹扫硅片上的灰尘；(3)将修复炉从室温升温到500-650℃，升温时间为5-20min，同时通入流量为1-5slm的氮气；(4)将修复炉在500-650℃恒温5-30min，同时通入流量为5-20slm的氮气。2.如权利要求1所述管式PERC太阳能电池的修复工艺，其特征在于，所述修复工艺包括：(1)将退火后镀膜前停留时间超过4小时的半成品硅片置入修复炉，所述修复炉包括炉外腔,旋转内腔和中心固定机构，中心固定机构上设置有红外灯和喷气管，旋转内腔上设置有放置硅片的卡槽和连通炉外腔的通孔，所述喷气管通入流量为6-8slm的氮气实现自洁，所述氮气的通入时间为2-4min；(2)通入流量为5-20slm的氮气，用于吹扫硅片上的灰尘；(3)将修复炉从室温升温到550-650℃，升温时间为5-20min，同时通入流量为2-4slm的氮气；(4)将修复炉在550-650℃恒温10-20min，同时通入流量为8-15slm的氮气。3.如权利要求1-2任一项所述管式PERC太阳能电池的修复工艺，其特征在于，所述硅片退火包括以下步骤：对硅片进行退火，退火温度为700-820℃，氮气流量为1-15L/min，氧气流量为0.1-6L/min。4.如权利要求1-2任一项所述管式PERC太阳能电池的修复工艺，其特征在于，所述硅片背面镀膜采用管式PECVD设备进行，包括以下步骤：采用TMA与N2O沉积三氧化二铝膜，TMA的气体流量为250-500sccm，TMA与N2O的比例为1/15-25，等离子功率为2000-5000w；采用硅烷、氨气和笑气沉积氮氧化硅膜，硅烷的气体流量为50-200sccm，硅烷与笑气的比例为1/10-80，氨气的流量为0.1-5slm，等离子功率为4000-6000w；采用硅烷和氨气沉积氮化硅膜，硅烷的气体流量为500-1000sccm，硅烷与氨气的比例为1/6-15，氮化硅的沉积温度为390-410℃，时间为100-500s，等离子功率为10000-13000w；采用笑气沉积二氧化硅膜，笑气的流量为0.1-5slm，等离子功率为2000-5000w。5.如权利要求4所述管式PERC太阳能电池的修复工艺，其特征在于，所述硅片背面镀膜采用管式PECVD设备进行，包括以下步骤：采用TMA与N2O沉积三氧化二铝膜，TMA的气体流量为250-500sccm，TMA与N2O的比例为1/15-25，三氧化二铝膜的沉积温度为250-300℃，时间为50-300s，等离子功率为2000-5000w；采用硅烷、氨气和笑气沉积氮氧化硅膜，硅烷的气体流量为50-200sccm，硅烷与笑气的比例为1/10-80，氨气的流量为0.1-5slm，氮氧化硅膜的沉积温度为350-410℃，时间为50-200s，等离子功率为4000-6000w；采用硅烷和氨气沉积氮化硅膜，硅烷的气体流量为500-1000sccm，硅烷与氨气的比例为1/6-15，氮化硅膜的沉积温度为390-410℃，时间为100-400s，等离子功率为10000-13000w；采用笑气沉积二氧化硅膜，笑气的流量为0.1-5slm，等离子功率为2000-5000w。6.如权利要求4所述管式PERC太阳能电池的修复工艺，其特征在于，所述管式PECVD设备包括晶片装载区、炉体、特气柜、真空系统、控制系统以及石墨舟，所述特气柜设有用于通入硅烷的第一气体管路、用于通入氨气的第二气体管路、用于通入三甲基铝的第三气体管路以及用于通入笑气的第四气体管路；所述石墨舟用于装卸硅片，所述石墨舟包括卡点，所述卡点包括卡点轴、卡点帽和卡点底座，所述卡点轴安装在卡点底座上，所述卡点帽与卡点轴连...

【专利技术属性】
技术研发人员：方结彬，夏利鹏，林纲正，赖俊文，何达能，陈刚，
申请(专利权)人：浙江爱旭太阳能科技有限公司，广东爱康太阳能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33