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本发明公开了一种垂直型多电流通道SiC光导开关及其制作方法，首先采用lift‑off工艺将所需电极图形转移到SiC衬底一侧表面，利用磁控溅射工艺在SiC衬底电极图形上依次制作Ti层和W层，然后在W层上利用真空蒸发镀膜工艺依次制作Au层和Ni...
该专利属于西安交通大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安交通大学授权不得商用。

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