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本发明公开了一种单面多晶硅的制备方法，所述制备方法包括：提供一硅衬底；在所述硅衬底第一表面形成第一掩膜层；在所述硅衬底第二表面形成SiO2层；在所述硅衬底的第一表面以及第二表面形成多晶硅层；在所述硅衬底第二表面上的多晶硅层背离所述第二表面的...
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