一种CSP封装的高压LED芯片结构及制作方法技术

本发明专利技术公开一种CSP封装的高压LED芯片结构及制作方法，包括倒装高压LED芯片、荧光胶层、封装基板，所述倒装高压LED芯片焊接在封装基板上，每个高压芯片包含多个子芯片，各子芯片通过隔离深沟槽隔开，所述每个子芯片包含n型GaN、有源层、p型GaN层、电流扩展层，以及位于p型GaN台面上的n电极和p电极，其中n电极通过深沟槽侧壁金属导电层与n型GaN斜面相连，金属导电层与子芯片之间通过绝缘层隔离，各子芯片的n电极和p电极再分别与基板电极焊盘和互连线键合。本发明专利技术兼具CSP封装体积小和高压芯片电源要求低的优点，可以进一步增加高压芯片的子芯片之间电气连接的可靠性，在同等芯片面积下增加芯片发光层的面积。

A high voltage LED chip structure and fabrication method for CSP package

High voltage LED chip structure and manufacturing method of the invention discloses a CSP package, including flip chip, high voltage LED fluorescent layer, the flip chip package substrate, high pressure welding LED chip on the package substrate, each high voltage chip includes a plurality of sub sub chip chip, through deep trench isolation separated, wherein each sub chip contains n GaN, an active layer, GaN layer, P type current spreading layer, and is located in the P GaN table n and P electrodes, wherein the n is connected to the electrode through the deep trench sidewall conductive metal layer and the N type GaN an insulating layer between the conductive layer and the metal isolation by sub chip, N electrode and p electrode the chip respectively with the substrate electrode pad and interconnect bonding. The invention has the advantages of small volume and high voltage chip CSP package has the advantages of low power requirements, the reliability of electrical connection between the chip can further increase the pressure increase on the same chip, chip chip area under light emitting layer area.

【技术实现步骤摘要】
一种CSP封装的高压LED芯片结构及制作方法
本专利技术涉及一种高压LED芯片的制作方法，特别是涉及一种CSP封装的高压LED芯片及其制作方法，属于半导体LED芯片制造以及封装领域。
技术介绍
半导体照明发光二极管(LED)具有光效高、寿命长、绿色环保、节约能源等诸多优点，被誉为21世纪新固体光源时代的革命性技术，被称为第四代绿色光源。CSP，即芯片级封装器件，是指将封装体积与倒装芯片体积控制至相同或封装体积不大于倒装芯片体积的20％，在LED领域，CSP封装因为体积小，灵活度高，其应用范围越来越广泛。另外，随着LED在照明领域的深入发展，传统的低压LED越来越暴露出固有的弊端，包括驱动电源寿命短、转换效率低，低压LED散热性不好，不能在大电流下工作等，为解决上述问题，近年来高压LED芯片孕育而生，这种高压LED芯片是在同一芯片上集成多个串联的子芯片，这些子芯片是在芯片制造过程中直接就完成的，具有电源要求低、光效高等优点；倒装高压LED芯片将光从衬底蓝宝石上发射出来，封装过程利用共晶焊接方法，将芯片正面的电极与基板上的电极焊盘对准焊接起来，不需要用金线进行电极连接，增加了封装的稳定性本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种CSP封装的高压LED芯片结构，包括高压LED芯片、荧光胶、封装基板，其特征在于，所述LED高压芯片倒装焊接在封装基板上，每个高压芯片包含多个子芯片，各子芯片通过隔离深沟槽隔开，所述每个子芯片包含n型GaN层、有源层、p型GaN层、电流扩展层以及n电极和p电极，其中n电极通过金属导电层延伸到n型GaN斜坡上，此金属导电层通过绝缘层与p型GaN和有源层侧壁隔离；所述n电极和p电极均位于p型GaN上面并电隔离，n电极和p电极与封装基板对应电极焊盘和互联线焊接起来。

【技术特征摘要】
1.一种CSP封装的高压LED芯片结构，包括高压LED芯片、荧光胶、封装基板，其特征在于，所述LED高压芯片倒装焊接在封装基板上，每个高压芯片包含多个子芯片，各子芯片通过隔离深沟槽隔开，所述每个子芯片包含n型GaN层、有源层、p型GaN层、电流扩展层以及n电极和p电极，其中n电极通过金属导电层延伸到n型GaN斜坡上，此金属导电层通过绝缘层与p型GaN和有源层侧壁隔离；所述n电极和p电极均位于p型GaN上面并电隔离，n电极和p电极与封装基板对应电极焊盘和互联线焊接起来。2.根据权利要求1所述的CSP封装的高压LED芯片结构，其特征在于所述n电极、p电极以及金属导电层采用Ag、Al、Ni等三种导电性和反射性能都较好的金属，其采用单层金属结构或多层金属结构。3.根据权利要求1所述的CSP封装的高压LED芯片结构，其特征在于所述电流扩散层可以是ITO薄膜，也可以是金属薄膜。4.根据权利要求1所述的CSP封装的高压LED芯片结构，其特征在于所述绝缘...

【专利技术属性】
技术研发人员：熊德平，王成民，何苗，赵韦人，冯祖勇，陈丽，雷亮，
申请(专利权)人：广东工业大学，
类型：发明
国别省市：广东,44