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本发明公开一种CSP封装的高压LED芯片结构及制作方法，包括倒装高压LED芯片、荧光胶层、封装基板，所述倒装高压LED芯片焊接在封装基板上，每个高压芯片包含多个子芯片，各子芯片通过隔离深沟槽隔开，所述每个子芯片包含n型GaN、有源层、p型G...
该专利属于广东工业大学所有，仅供学习研究参考，未经过广东工业大学授权不得商用。

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