一种原子层氧化物沉积针孔缺陷检测方法技术

本发明专利技术提出一种原子层氧化物沉积针孔缺陷检测方法，包括下列步骤：在硅衬底上沉积介电层；在上述结构上进行氧化膜原子层沉积工艺，形成氧化膜；以所述氧化膜为阻挡层，对所述介电层进行无阻挡刻蚀；进行缺陷检测，检测介电层损伤情况。本发明专利技术提出一种原子层氧化物沉积针孔缺陷检测方法，通过建立缺陷检测流程并开发检测方法，建立针对此缺陷的在线指标，从而为良率提升和产品研发做出贡献。

A pinhole defect detection method for atomic layer oxide deposition

The invention provides a method for atomic layer deposition of oxide pinhole defect detection method, which comprises the following steps: depositing a dielectric layer on a silicon substrate; oxide film by atomic layer deposition process, the structure formed on the oxide film; in the film as a barrier layer on the dielectric layer in barrier free etching; defect detection the dielectric layer damage detection. The invention provides a method for atomic layer deposition of oxide pinhole defect detection method, through the establishment process and the development of detection method for detecting defects, establish online index for this defect, so as to make contribution to enhance the yield and product development.

【技术实现步骤摘要】
一种原子层氧化物沉积针孔缺陷检测方法
本专利技术涉及半导体集成电路制造领域，且特别涉及一种原子层氧化物沉积针孔缺陷检测方法。
技术介绍
随着集成电路工艺的发展，半导体工艺器件的尺寸不断微缩以及性能的提升，越来越需要应用原子层沉积工艺，原子层沉积分为扩散沉积与化学气相沉积等，而化学气相沉积过程中容易发生针孔缺陷问题，如图1所示，在28nm产品研发过程中，发现多晶硅侧墙的针孔缺陷，导致W沉积时通过针孔使接触孔与多晶硅短路。导致这一问题的原因如图2a和图2b所示，该结构从下至上依次为晶背多晶硅侧墙SIN10，晶背多晶硅20，Si衬底30，侧墙SIN40，氧化层50，多晶硅60，SMTOX70，SMTSIN80和针孔缺陷90，在SMTALDOXDEP过程中，由于存在针孔缺陷问题，导致在后续的SINRM工艺中，使得针孔缺陷传递到多晶硅侧墙上，使得侧墙形成了针孔缺陷。由于OX的透光特性光学检测很难检测出来，同时，当侧墙产生针孔缺陷后，由于其处于多晶硅侧面，很难有缺陷信号，因此这一缺陷本身很难被有效检测。
技术实现思路
本专利技术提出一种原子层氧化物沉积针孔缺陷检测方法，通过建立缺陷检测流程并开发检测本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种原子层氧化物沉积针孔缺陷检测方法，其特征在于，包括下列步骤：在硅衬底上沉积介电层；在上述结构上进行氧化膜原子层沉积工艺，形成氧化膜；以所述氧化膜为阻挡层，对所述介电层进行无阻挡刻蚀；进行缺陷检测，检测介电层损伤情况。

【技术特征摘要】
1.一种原子层氧化物沉积针孔缺陷检测方法，其特征在于，包括下列步骤：在硅衬底上沉积介电层；在上述结构上进行氧化膜原子层沉积工艺，形成氧化膜；以所述氧化膜为阻挡层，对所述介电层进行无阻挡刻蚀；进行缺陷检测，检测介电层损伤情况。2.根据权利要求1所述的原子层氧化物沉积针孔缺陷检测方法，其特征在于，所述介电层包括氧化膜层、氮化硅层或者两者的组合层。3.根据权利要求1所述的原子层氧化物沉积针孔缺陷检测方法，其特征在于，所述对介电层进行刻蚀工艺包括干法刻蚀或者湿法刻蚀。4.根据权利要求1所述的原子层氧化物...

【专利技术属性】
技术研发人员：范荣伟，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31