The RF signal of the invention discloses a plasma enhanced chemical vapor deposition equipment into the structure, including the double water cavity, coaxial cable connector, shielding, shielding cover is arranged above the double water cavity; coaxial cable connector is arranged in the shielding cover, between shield and double water cavity is arranged a welding flange set; the first insulating flange above the welding flange; the first insulating flange is arranged above a connecting flange, a central hole arranged on the flange connection center, opened a recess in the top of a set in the inlet pipe; respectively arranged on both sides of a brush; arranged in the groove; one end of the brush against the outside of the air inlet pipe; on the other side one end of the brush against the groove; the intake pipe in turn down through the first insulating flange, welded flange and double water cavity in the intake pipe and the first; An insulating sleeve is arranged between the insulating flange, the welding flange and the double-layer water cooling cavity, and the problem of the introduction of the radio frequency signal is solved.
【技术实现步骤摘要】
一种等离子体增强化学气相沉积设备的射频信号引入结构
本专利技术涉及射频信号引入结构,尤其涉及一种等离子体增强化学气相沉积设备的射频信号引入结构。
技术介绍
等离子体增强化学气相沉积的制作方法,是在沉积室利用辉光放电使其电离后在衬底上进行化学反应沉积的半导体薄膜材料制备和其他材料薄膜的制备方法。等离子体增强化学气相沉积是:在化学气相沉积中,激发气体,使其产生低温等离子体,增强反应物质的化学活性,从而进行外延的一种方法。该方法可在较低温度下形成固体膜。例如在一个反应室内将基体材料置于阴极上,通入反应气体至较低气压(1~600Pa),基体保持一定温度,以某种方式产生辉光放电,基体表面附近气体电离,反应气体得到活化,同时基体表面产生阴极溅射,从而提高了表面活性。在表面上不仅存在着通常的热化学反应,还存在着复杂的等离子体化学反应。沉积膜就是在这两种化学反应的共同作用下形成的。为了在现有的技术条件下,在现有的等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备中,为了增强等离子体增强化学气相沉积速度,采用射频激发的激发辉光放电的方法,但是在现有技术中对于采用射频激发的激发辉光放电的方法的过程中,常导致在射频激发的过程中由于射频信号在引入的过程中,在引入的结构上的缺陷,常造成在射频信号与外部的壳体、法兰等部件在密封不良的状态下工作,使得射频信号无法真正到达等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备的腔室内,造成射频信号引入失效。
技术实现思路
本专利技术的目的是根据上述现有技术的不足之处,本专利技术目的实现一种等离子体增强化学气相沉积设备的射频信号引入结构,包括双层水冷腔体、同轴电缆 ...
【技术保护点】
一种等离子体增强化学气相沉积设备的射频信号引入结构,包括双层水冷腔体、同轴电缆接头、屏蔽罩,所述的屏蔽罩设置在双层水冷腔体的上方;所述的同轴电缆接头设置在屏蔽罩上,其特征在于,在所述的屏蔽罩与双层水冷腔体之间设置一焊接法兰;在焊接法兰的上方设置第一绝缘法兰;在所述的第一绝缘法兰上方设置一接线法兰,在所述的接线法兰上中心设置一中心圆孔,在所述的中心圆孔的上方开设一凹槽,在所述的中心圆孔中设置一进气管;在所述的进气管两侧各设置一电刷;所述的电刷设置在所述的凹槽内;所述的电刷的一端抵住进气管的外侧;所述的电刷的另一端抵住凹槽的两侧;所述的进气管向下依次穿过第一绝缘法兰、焊接法兰和双层水冷腔体;在进气管与所述的第一绝缘法兰、焊接法兰和双层水冷腔体之间设置一绝缘套。
【技术特征摘要】
1.一种等离子体增强化学气相沉积设备的射频信号引入结构,包括双层水冷腔体、同轴电缆接头、屏蔽罩,所述的屏蔽罩设置在双层水冷腔体的上方;所述的同轴电缆接头设置在屏蔽罩上,其特征在于,在所述的屏蔽罩与双层水冷腔体之间设置一焊接法兰;在焊接法兰的上方设置第一绝缘法兰;在所述的第一绝缘法兰上方设置一接线法兰,在所述的接线法兰上中心设置一中心圆孔,在所述的中心圆孔的上方开设一凹槽,在所述的中心圆孔中设置一进气管;在所述的进气管两侧各设置一电刷;所述的电刷设置在所述的凹槽内;所述的电刷的一端抵住进气管的外侧;所述的电刷的另一端抵住凹槽的两侧;所述的进气管向下依次穿过第一绝缘法兰、焊接法兰和双层水冷腔体;在进气管与所述的第一绝缘法兰、焊接法兰和双层水冷腔体之间设置一绝缘套。2.如权利要求1所述的一种等离子体增强化学气相沉积设备的射频信号引入结构,其特征在于,所述的接线法兰的上方设置第二绝缘法兰。3.如权利要求2所述的一种等离子体增强化学气相沉积设备的射频信号引入结构,其特征在于...
【专利技术属性】
技术研发人员:杨元才,褚景豫,钱鹏亮,熊凯,朱振东,
申请(专利权)人:上海福宜真空设备有限公司,
类型:发明
国别省市:上海,31
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