密封膜的形成方法和密封膜技术

本发明专利技术提供能够稳定地形成具有高阻隔性的密封膜的密封膜形成方法。具体地说，本发明专利技术涉及在基材(2)上进行缓冲层(M1)和密度高于缓冲层(M1)的阻隔层(M2)的交替成膜而形成密封膜的密封膜的形成方法，该方法具有下述工序：在基材(2)的表面形成第1缓冲层(M1a)的第1缓冲层成膜工序；在第1缓冲层(M1)的表面形成阻隔层(M2)的第1阻隔层成膜工序；以及在第1阻隔层形成工序中形成的阻隔层(M2)的表面形成第2缓冲层(M1b)的第2缓冲层成膜工序，与第2缓冲层(M1b)中的在与基材(2)的厚度方向倾斜的方向成膜的部分的膜厚相对于在该厚度方向成膜的部分的膜厚的比例相比，第1缓冲层(M1a)中的在与上述厚度方向倾斜的方向成膜的部分的膜厚相对于在上述厚度方向成膜的部分的膜厚的比例更接近于1。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】密封膜的形成方法和密封膜
本专利技术涉及为了防止水分浸入到基材而在基材上形成密封膜的密封膜形成方法和在基材上形成的密封膜。
技术介绍
近年来使用了带密封膜的膜，其是在塑料膜的表面形成了用于例如抗氧化、防止水分浸入等目的的密封膜而得到的。在这样的带密封膜的膜中，如下述专利文献1所示，通过按照密合性良好的缓冲层和对水分浸入的阻隔性良好的阻隔层交替层积的方式在膜上进行成膜，由此在膜上形成兼顾可挠性和阻隔性这两种性质的密封膜。另外，在形成这样的密封膜时，主要通过等离子体CVD法进行缓冲层和阻隔层的层积。【现有技术文献】【专利文献】专利文献1：日本特开2013-185207号公报
技术实现思路
【专利技术所要解决的课题】但是，在上述的薄膜形成装置中，所形成的密封膜的阻隔性可能变差。具体地说，在通过等离子体CVD法形成密封膜的情况下，如图5所示，在基材2有基底层等的高度差时，按照沿着该高度差的方式形成缓冲层M1和阻隔层M2，相对于在基材2的厚度方向成膜的部分的厚度(图5中的厚度A)，沿着高度差的部分(在与基材2的厚度方向倾斜的方向成膜的部分)的厚度(图5中的厚度B)倾向于变薄。这种情况下本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种密封膜的形成方法，其是在基材上进行缓冲层和密度高于该缓冲层的阻隔层的交替成膜而形成密封膜的密封膜形成方法，该方法的特征在于，其具有下述工序：第1缓冲层成膜工序，在基材的表面形成上述缓冲层，第1阻隔层成膜工序，在第1缓冲层的表面形成上述阻隔层，该第1缓冲层是在上述第1缓冲层形成工序中形成的上述缓冲层，以及第2缓冲层成膜工序，在第1阻隔层的表面形成上述缓冲层，该第1阻隔层是在上述第1阻隔层形成工序中形成的上述阻隔层，与第2缓冲层中的在与基材厚度方向倾斜的方向成膜的部分的膜厚相对于在该厚度方向成膜的部分的膜厚的比例相比，上述第1缓冲层中的在与上述厚度方向倾斜的方向成膜的部分的膜厚相对于在上述厚度...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.11.14 JP 2014-2320141.一种密封膜的形成方法，其是在基材上进行缓冲层和密度高于该缓冲层的阻隔层的交替成膜而形成密封膜的密封膜形成方法，该方法的特征在于，其具有下述工序：第1缓冲层成膜工序，在基材的表面形成上述缓冲层，第1阻隔层成膜工序，在第1缓冲层的表面形成上述阻隔层，该第1缓冲层是在上述第1缓冲层形成工序中形成的上述缓冲层，以及第2缓冲层成膜工序，在第1阻隔层的表面形成上述缓冲层，该第1阻隔层是在上述第1阻隔层形成工序中形成的上述阻隔层，与第2缓冲层中的在与基材厚度方向倾斜的方向成膜的部分的膜厚相对于在该厚度方向成膜的部分的膜厚的比例相比，上述第1缓冲层中的在与上述厚度方向倾斜的方向成膜的部分的膜厚相对于在上述厚度方向成膜的部分的膜厚的比例更接近于1，该第2缓冲层是在上述第2...

【专利技术属性】
技术研发人员：山下雅充，藤元高佳，森诚树，
申请(专利权)人：东丽工程株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP