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本发明提供能够稳定地形成具有高阻隔性的密封膜的密封膜形成方法。具体地说，本发明涉及在基材(2)上进行缓冲层(M1)和密度高于缓冲层(M1)的阻隔层(M2)的交替成膜而形成密封膜的密封膜的形成方法，该方法具有下述工序：在基材(2)的表面形成第...
该专利属于东丽工程株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过东丽工程株式会社授权不得商用。

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