【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造工艺中的一种抛光液，具体的涉及一种抛光低介电 材料的抛光液。
技术介绍
随着集成电路的器件尺寸縮小、布线层数增加，促使金属线宽变窄，这导致了金属连线的电阻率增大和电路的RC延迟增大，严重制约着集成电路的性 能。铜由于具有比铝更好的抗电迁移能力和高的导电率，已经替代铝成为深亚 微米集成电路的导线材料。目前，采用铜化学机械抛光(CMP)的大马士革镶嵌工 艺是唯一成熟和已经应用到铜互连线的布线技术。铜CMP作为ULSI多层布线 的关键平坦化技术，对ULSI的发展有很大的影响。铜CMP工艺操作平台一般 由旋转的硅片夹持器、抛光垫、工作台和抛光浆料供给装置等几部分组成。抛 光时，以一定的压力将旋转的硅片压在旋转的抛光垫上，而由亚微米或纳米磨 粒和化学溶液组成的抛光液在工件与抛光垫之间流动，在机械作用和抛光液的 化学作用下实现硅片表面的材料去除和全局平整化。由于铜是具有化学和电化学活性的金属，铜表面在抛光液的化学作用下会 发生腐蚀，并且铜比较"软"，容易产生擦伤，所以铜CMP容易产生表面缺陷。 为了防止铜在抛光过程中受到腐蚀，在抛光浆料中一般会引入各...
【技术保护点】
一种抛光低介电材料的抛光液，含有二氧化硅和水，其特征在于：其还含有混合缓蚀剂。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：陈国栋，王淑敏，荆建芬，宋伟红，徐春，
申请(专利权)人：安集微电子上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]
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