The invention discloses a bridging material and a bridging method for improving the conductive property of an industrial graphene film, and the conductivity of the bridging material is greater than 10
【技术实现步骤摘要】
用于提高工业石墨烯膜层导电性能的架桥材料及其架桥方法
本专利技术属于导电膜层制备领域,特别涉及一种提高工业石墨烯膜层导电性能的架桥材料及其架桥方法。
技术介绍
当前,导电材料的研制逐渐向电导率高、层薄、质量轻、可柔性化的方向发展。石墨烯的理论研究成果证明了它具有108S/m的电导率,应用在导电材料领域具有光明的前景。然而,通过氧化还原法或液相剥离法制备的石墨烯微片堆叠组成的工业石墨烯膜层中,微观上存在的多片层会导致微片之间接触电阻增加,微片尺寸小会导致膜层内低导电区域面积增加,单片内晶格缺陷的存在使得每一片石墨烯的电导率下降。上述三方面因素,最终导致膜层整体电导率实际值(小于104S/m)与理论值(108S/m)相差甚远。一些研究提出在石墨烯表面吸附导电助剂以提高膜层整体导电性,然而吸附方法通常是通过对石墨烯进行羧基化,然而此过程在本已具有晶格缺陷的石墨烯上又引入了含氧官能团,最终导致导电性能提升有限。因此,提出新的能够大幅提高工业石墨烯膜层导电性的方法十分必要。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种用于提高工业石墨烯膜层导电性能的架桥材料及其架桥方法。实现本专利 ...
【技术保护点】
一种用于提高工业石墨烯膜层导电性能的架桥材料,其特征在于,所述架桥材料为高导电、大长径比的一维纳米材料,其压片电导率大于10
【技术特征摘要】
1.一种用于提高工业石墨烯膜层导电性能的架桥材料,其特征在于,所述架桥材料为高导电、大长径比的一维纳米材料,其压片电导率大于106S/m,直径在10~200nm之间,长度在10~300μm之间,其中,架桥材料长度与石墨烯片径之比在5:1-150:1之间。2.如权利要求1所述的架桥材料,其特征在于,所述架桥材料包括由多壁碳纳米管和纳米银颗粒形成的复合物、银纳米线、铜纳米线和镍纳米线中的任意一种。3.如权利要求2所述的架桥材料,其特征在于,由多壁碳纳米管和纳米银颗粒形成的复合物,成分上,由多壁碳纳米管和纳米银颗粒组成;其尺寸上,多壁碳纳米管长度在10-30μm、管径在10-30nm之间,纳米银颗粒粒径在1-10nm之间,其中,5-7nm之间占50%以上;其含量上,多壁碳纳米管和银离子质量比例在1:0.7-1:2.1之间;其形貌上,纳米银颗粒生长在多壁碳纳米管表面。4.如权利要求2或3所述的架桥材料,其特征在于,由多壁碳纳米管和纳米银颗粒形成的复合物由如下步骤制备:步骤1:将多壁碳纳米管分散于浓度在1-2mg/mL之间的Tris碱溶液中,制成浓度在20-30mg/mL之间的分散液;步骤2:向步骤1中的分散液中加入盐酸多巴胺,使得盐酸多巴胺在分散液中的浓度在0.5-1.5mg/mL之间;步骤3:步骤2制得的分散液匀速搅拌24小时以上后过滤,所得固体物质洗涤、...
【专利技术属性】
技术研发人员:王源,
申请(专利权)人:南京开钰安全科技有限责任公司,
类型:发明
国别省市:江苏,32
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