一种具有高反压终端保护膜的平面整流二极管芯片制造技术

本实用新型专利技术涉及一种具有高反压终端保护膜的平面整流二极管芯片，它包括N型单晶硅，在所述N型单晶硅的背面形成N

Planar rectifier diode chip with high reverse pressure terminal protection film

The utility model relates to a planar rectifier diode chip with high reverse pressure terminal protective film, which comprises N type monocrystalline silicon and forms N on the back of the N type monocrystalline silicon

【技术实现步骤摘要】
一种具有高反压终端保护膜的平面整流二极管芯片
本技术涉及一种具有高反压终端保护膜的平面整流二极管芯片，应用在集成电路或分立器件制造

技术介绍
整流二极管为日常中最为广泛使用的产品，市场规模比较大，一般分为台面整流二极管和平面整流二极管。反向击穿电压是整流二极管的关键参数，芯片制造过程中提高整流二极管芯片反向击穿电压的方法有台面结构和平面结构，通过降低表面电场来实现高的反向击穿电压。随着整流二极管应用领域的扩展，越来越多地采用平面结构的整流二极管芯片。平面结构的二极管降低表面电场、提高反向击穿电压的方案有很多，如场限制环（分压环）、场板、JTE结构等。实现这些结构，都需要较大的终端长度，增加了芯片的面积，也就意味着增加了芯片的成本。在平面整流二极管芯片的生产加工过程中，反向击穿电压与芯片尺寸是相互制约的，想要获得较高的反向击穿电压，一般需要通过增加终端尺寸才能得以实现，从而芯片尺寸也随之增加。有时为了降低生产成本以及满足相应的封装形式的要求，应用端的客户对芯片的大小有一定的限制，因此希望在提高平面整流二极管芯片的反向击穿电压的同时又不增加芯片尺寸。
技术实现思路
本技术所要解决的技术本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有高反压终端保护膜的平面整流二极管芯片，其特征在于：它包括N型单晶硅（2），在所述N型单晶硅（2）的背面通过高浓度磷掺杂扩散的方式形成N

【技术特征摘要】
1.一种具有高反压终端保护膜的平面整流二极管芯片，其特征在于：它包括N型单晶硅（2），在所述N型单晶硅（2）的背面通过高浓度磷掺杂扩散的方式形成N+重掺杂衬底阴极区（1），在所述N型单晶硅（2）的正面一侧通过高浓度硼掺杂扩散的方式形成P+阳极区（3），另一侧通过高浓度磷掺杂扩散的方式形成N+截止环区（4），在所述N型单晶硅（2）的正面淀积一层SIPOS钝化层（5），所述SIPOS钝化层（5）的底部两侧搭接于P+阳极区（3）和N+截止环区（4）上，在所述SIPOS钝化层（5）的正面依次向上淀积相同面积的第一二氧化硅介质层（6）、磷硅玻璃介质层（7）和第二二氧化硅介质层（8），所述SIPOS钝化层（5）、第一二氧化硅介质层（6）、磷硅玻璃介质层（7）和第二二氧化硅介质层（8）构成高反压...

【专利技术属性】
技术研发人员：焦丹钧，朱瑞，邹亦鸣，吴坚，徐永斌，
申请(专利权)人：江阴新顺微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32