防短路整流器件制造技术

本发明专利技术一种防短路整流器件，其包括表面具有重掺杂N型区的重掺杂P型单晶硅片，此重掺杂N型区与重掺杂P型单晶硅片接触，重掺杂N型区四周具有沟槽，此沟槽位于重掺杂P型单晶硅片和重掺杂N型区四周并延伸至重掺杂P型单晶硅片的中部；所述沟槽的表面覆盖有绝缘钝化保护层；靠近所述绝缘钝化保护层内侧的重掺杂N型区区域开有一U形凹槽，此重掺杂N型区下表面且位于U形凹槽正下方具有一向下的凸起部，裸露出的所述重掺杂N型区和U形凹槽的表面覆盖作为电极的第一金属层。本发明专利技术器件焊接面得到了13%以上的扩大，使芯片面积从现有的80mil下降到60‑65mil，在不影响过压保护能力的情况下，芯片成本下降了11%，大功率器件焊机良率达到97%以上。

Short-circuit proof rectifier device

The invention relates to a short-circuit proof rectifying devices, including the heavily doped P type monocrystalline silicon with heavily doped N type surface area, contact the heavily doped N type region of heavily doped P type silicon wafer, heavily doped N type region having a trench around the middle of the trenches, located around the heavily doped P type silicon wafer and heavily doped the N type region and extends to the heavily doped P type silicon wafer; the surface of the trench is covered with an insulating passivation layer; close to the heavily doped N type insulating region inside the passivation layer has a U shaped groove, the heavily doped N type surface area and is located in the groove is under U with a downward bulge, the exposed surface of the heavily doped N type region and U groove coverage as the first metal electrode layer. The device has been expanded to more than 13% welding surface, the chip area decreased from 80mil to 60 existing 65mil, without affecting the overvoltage protection ability, the chip cost decreased by 11%, high power devices yield reached more than 97% machine.

【技术实现步骤摘要】
防短路整流器件
本专利技术涉及一种整流器件，尤其涉及一种防短路整流器件。
技术介绍
防短路整流器件是一种具有单向传导电流的电子器件，现有防短路整流器件主要存以下技术问题：一方面，器件的内部材料连接方式主要是通过焊片在高温下融化将芯片与引线牢固的连接在一起，但铜质引线与焊锡很难做到100%的融合，通常芯片与连接片有效焊接面积为85%，而引线这一端只有60%左右，导致在大电流通过时，电流分布不均匀，降低了产品承受浪涌的能力。“焊接”是整流器件生产的关键工艺，特别是二极管类整流器件，设计到芯片与导电引线位置是否工整、焊片是否重复摆放、炉温温度设计是否合理等等，焊接产生的不良品占不良品总量达到80%以上，焊接环节是否处理得当直接影响产品的最终品质，本项目即在整流器件产品设计和生产工艺进行一系列的改良。生产出新一代二极管整流器件。另一方面，除大功率器件外，普通整流器件芯片是正方形，焊片为圆形。在通过高温焊接隧道炉中，焊片即融化为液体，分别连接芯片和导电引线。由于焊片在高温后呈现不规则形状，融化后与芯片的四个边距离均小于0.2mm，一旦芯片与焊片位置有轻微的倾斜或者焊接温度以及焊接速度有轻微的偏本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种防短路整流器件，包括位于环氧封装体（12）内的第一引线条（1）、第二引线条（2）、连接片（3）和二极管芯片（4），该第一引线条（1）一端是与二极管芯片（4）连接的支撑区（5），所述二极管芯片（4）一端通过焊锡膏与该支撑区（5）电连接，第一引线条（1）另一端是引脚区（61），该第一引线条（1）的引脚区（61）作为所述整流器的电流传输端；所述第二引线条（2）一端是与所述连接片（3）的第一焊接端（31）连接的焊接区（7），该第二引线条（2）另一端为引脚区（62），该第二引线条（2）的引脚区（62）作为所述整流器的电流传输端；所述连接片（3）第二焊接端（32）与二极管芯片（4）另一端通过焊锡膏电连...

【技术特征摘要】
1.一种防短路整流器件，包括位于环氧封装体（12）内的第一引线条（1）、第二引线条（2）、连接片（3）和二极管芯片（4），该第一引线条（1）一端是与二极管芯片（4）连接的支撑区（5），所述二极管芯片（4）一端通过焊锡膏与该支撑区（5）电连接，第一引线条（1）另一端是引脚区（61），该第一引线条（1）的引脚区（61）作为所述整流器的电流传输端；所述第二引线条（2）一端是与所述连接片（3）的第一焊接端（31）连接的焊接区（7），该第二引线条（2）另一端为引脚区（62），该第二引线条（2）的引脚区（62）作为所述整流器的电流传输端；所述连接片（3）第二焊接端（32）与二极管芯片（4）另一端通过焊锡膏电连接；所述二极管芯片（4）包括表面具有重掺杂N型区（42）的重掺杂P型单晶硅片（41），此重掺杂N型区（42）与重掺杂P型单晶硅片（41）接触，重掺杂N型区（42）四周具有沟槽（44），此沟槽（44）位于重掺杂P型单晶硅片（41）和重掺杂N型区（42）四周并延伸至重掺杂P型单晶硅片（41）的中部；所述沟槽（44）的表面覆盖有绝缘钝化保护层（45），此绝缘钝化保护层（45）由沟槽（44）底部延伸至重掺杂N型区（42）表面...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹士中，曹春明，
申请(专利权)人：苏州锝耀电子有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32