晶硅电池片的制造方法技术

本发明专利技术涉及一种晶硅电池片的制造方法，其中，所述的制造方法包括管式PECVD镀膜步骤，所述的管式PECVD镀膜步骤包括在管式PECVD中进行N2O处理和至少两次的氮化硅层镀膜，在第一次氮化硅层镀膜之后进行所述的N2O处理，所述的晶硅电池片在烧结后无发白现象且具有抗PID性能。采用了该发明专利技术中的晶硅电池片的制造方法，在保持膜厚折射率不变的情况下，将原来的单层SiNx膜变更为双层或多层SiNx膜(内层高折射率SiN1，外层低折射率SiN2)，同时在SiN1之后加入N2O对表面进行氧化吹扫清洁，不仅可以解决烧结后发白问题，同时由于N2O本身也具有氧化能力，也带来抗PID功能提升的附加效益。

Manufacturing method of crystalline silicon cell sheet

The invention relates to a method for manufacturing crystalline silicon solar cell, wherein, the manufacturing method comprises a tubular PECVD coating step, tube type PECVD coating step comprises a silicon nitride layer is coated with N2O treatment and at least two times in tube PECVD, N2O of the treatment after the first nitride a layer of silicon film, crystalline silicon solar cells in the sintering after whitening and anti PID properties. By using the method of manufacturing crystalline silicon solar cell in the invention, in keeping the thickness index unchanged, will change the original single SiNx membrane bilayer or multilayer SiNx film (inner layer of high refractive index SiN1, the outer layer of low refractive index SiN2), while adding N2O to the surface for blowing in clean oxidation after the SiN1, can not only solve the problem of white after sintering, and because N2O itself has strong oxidation ability, also has the added benefit of anti PID function promotion.

【技术实现步骤摘要】
晶硅电池片的制造方法
本专利技术涉及晶体硅太阳能电池
，尤其涉及制造方法，具体是指一种晶硅电池片的制造方法。
技术介绍
随着行业水平的不断进步，客户对产品抗PID质量要求也越来越高。从最初的PECVD高折射率抗PID法，到N2O预处理抗PID法，再到目前主流的刻蚀后O3氧化抗PID法(即刻蚀后硅片表面覆盖一层O3氧化层)。目前O3氧化抗PID法，可以大幅提高行业抗PID可靠性，但也引入烧结后发白新问题，同时因为这种外观差异无法在PECVD镀膜后辨识，给制造企业排查和解决过程带来很大困扰。相比常规色斑，烧结后发白无法在PECVD进行外观辨别，这给制造企业排查带来很大困扰。同时，由于此问题仅能在印刷后的成品电池才能被发现，故一般只能作降级处理，给企业带来经济损失。因此，需要一种晶硅电池片的制造方法用于解决晶硅电池片在烧结后的发白现象且提高抗PID性能。
技术实现思路
本专利技术的目的是克服了上述现有技术的缺点，提供了一种能够解决晶硅电池烧结后外观发白同时增强抗PID性能的晶硅电池片的制造方法。为了实现上述目的，本专利技术的晶硅电池片的制造方法包括管式PECVD镀膜步骤，所述的管式PEC本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶硅电池片的制造方法，其特征在于，所述的制造方法包括管式PECVD镀膜步骤，所述的管式PECVD镀膜步骤包括在管式PECVD中进行N2O处理和至少两次的氮化硅层镀膜，在第一次氮化硅层镀膜之后进行所述的N2O处理，所述的晶硅电池片在烧结后无发白现象且具有抗PID性能。

【技术特征摘要】
1.一种晶硅电池片的制造方法，其特征在于，所述的制造方法包括管式PECVD镀膜步骤，所述的管式PECVD镀膜步骤包括在管式PECVD中进行N2O处理和至少两次的氮化硅层镀膜，在第一次氮化硅层镀膜之后进行所述的N2O处理，所述的晶硅电池片在烧结后无发白现象且具有抗PID性能。2.根据权利要求1所述的晶硅电池片的制造方法，其特征在于，所述的N2O处理为吹扫氮化硅层以形成N2O氧化层。3.根据权利要求1所述的晶硅电池片的制造方法，其特征在于，所述的N2O处理中的工艺参数包括：功率5000～6500w，压力1600～2500mtorr，流量3000～6000sccm，占空比2～5/10～50，时间30～90s。4.根据权利要求1所述的晶硅电池片的制造方法，其特征在于，所述的第一次氮化硅层镀膜时的工艺参数包括：厚度10～25nm，折射率2.2～2.25，工艺压力1600～2000mto...

【专利技术属性】
技术研发人员：王斌，何悦，周东，王在发，任勇，
申请(专利权)人：尚德太阳能电力有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31