一种制备低反射率的单晶硅绒面结构的方法技术

本发明专利技术公开了一种制备低反射率的单晶硅绒面结构的方法，先以传统方法在硅片表面形成大量四面方锥体，再通过碱醇溶液浸泡处理，在硅片表面形成很多的纳米孔。这种具有纳米结构的“金字塔”形状的硅片表面的反射率得到了得到进一步降低，同时，硅片表面的载流子复合却只有轻微的下降，对硅片的少子寿命几乎没有产生影响，从而可以有效地提高晶体硅太阳能电池的光电转换效率。

A method for preparation of low reflectivity of single crystal silicon surface structure

The invention discloses a method for preparing monocrystalline silicon textured low reflectivity, using traditional methods in silicon surface to form a large number of four square pyramidal, and through alkaline alcohol solution, the formation of many nano holes on the surface of silicon wafer. This nanoporous \Pyramid\ shape of the silicon wafer surface reflectivity has been further reduced, at the same time, the surface of a silicon wafer carrier composite was only slightly decreased, the lifetime of silicon had almost no impact, which can effectively improve the photoelectric conversion efficiency of crystalline silicon solar cells.

【技术实现步骤摘要】
一种制备低反射率的单晶硅绒面结构的方法
本专利技术属于硅化学
，具体地，涉及一种制备低反射率的单晶硅绒面结构的方法。
技术介绍
单晶硅太阳能电池的绒面特性是影响其转换效率的重要因素之一。目前已有的制绒方法有：化学腐蚀法、反应离子刻蚀法、光刻法、机械刻槽法等。在上述的几种方法中，机械刻槽法是在多晶硅表面用多个刀片同时刻出V型槽来减少光学反射。虽然具有工艺简单、刻槽速度快的优点，但是机械刻槽深度比较深，要求硅片比较厚，不适合薄衬底太阳能电池的制作。同时，刻蚀过程中，硅片表面会造成损伤，同时也会引入一些杂质。反应离子刻蚀法又称等离子体刻蚀，是采用低压气体产生等离子体，利用物理机制辅助化学刻蚀或者产生反应离子参与化学刻蚀的一种干法腐蚀工艺。其形成的绒面反射率特别低，在450-1000nm光谱范围内的反射率可小于2％，但是硅表面损伤严重，电池的开路电压和填充因子都会下降，此外，具有产量较低且造价高昂的缺点。化学腐蚀法一般采用碱(NaOH或KOH)醇(异丙醇或乙醇)的混合溶液作为腐蚀体系。其中碱为腐蚀剂，用于腐蚀硅片，醇为消泡剂，用于除去反应产生的氢气泡。在一定浓度的碱醇溶液中，OH-离子本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制备低反射率的单晶硅绒面结构的方法，包括下列步骤：1)以传统方法在硅片表面形成大量四面方锥体；2)配置0.05M的AgNO3和1.15M的HF混合溶液；3)将步骤1)所得的硅片放入混合溶液中浸泡1‑3min；4)将混合溶液倒出，加入去离子水超声10min除去表面的附着物；5)将去离子水倒出,加入1％左右的HNO3除去表面附着的Ag；6)用去离子水冲洗，N2吹干。

【技术特征摘要】
1.一种制备低反射率的单晶硅绒面结构的方法，包括下列步骤：1)以传统方法在硅片表面形成大量四面方锥体；2)配置0.05M的AgNO3和1.15M的HF混合溶液；3)将步骤1)所得的硅片放...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄仕华，张嘉华，
申请(专利权)人：浙江师范大学，
类型：发明
国别省市：浙江,33