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本发明涉及一种晶硅电池片的制造方法，其中，所述的制造方法包括管式PECVD镀膜步骤，所述的管式PECVD镀膜步骤包括在管式PECVD中进行N2O处理和至少两次的氮化硅层镀膜，在第一次氮化硅层镀膜之后进行所述的N2O处理，所述的晶硅电池片在烧...
该专利属于尚德太阳能电力有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过尚德太阳能电力有限公司授权不得商用。

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