用于半导体装置的沟槽式散热结构制造方法及图纸

本发明专利技术揭露一种用于半导体装置的沟槽式散热结构，其一实施例包含：一第一半导体基板；一热源，位于该第一半导体基板或属于该第一半导体基板，包含至少一热点；至少一第一热导层；至少一第一热导体，用来连接该至少一热点与该至少一第一热导层；至少一散热沟槽；以及至少一第二热导结构，用来连接该至少一第一热导层与该至少一散热沟槽，藉此将该热源的热传导至该散热沟槽。

Trench type heat dissipation structure for semiconductor device

The invention discloses a heat dissipation structure for trench type semiconductor device, one embodiment includes a first semiconductor substrate; a heat source is located on the first semiconductor substrate or belonging to the first semiconductor substrate, comprising at least one hot spot; at least a first conductivity layer; at least one first heat conductor used to connect at least one of the hot spots and the at least one first conductivity layer; a heat radiating groove; and at least a second thermal structure, used to connect the at least one layer and at least one of the first heat radiating groove, thereby the heat conduction from the heat source to the heat radiating groove.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是关于散热结构，尤其是关于用于半导体装置的散热结构。
技术介绍
半导体装置于运作时会产生热，故需要散热设计以避免运作被影响。目前半导体装置的散热设计多半属于封装层级或印刷电路板层级，封装层级的散热设计通常是利用外接的散热装置来对已封装的半导体装置进行散热，而印刷电路板层级的散热设计通常是利用外接的散热装置来对设置有该半导体装置的印刷电路板进行整体性的散热。上述散热设计的效果随着半导体制程的演进而减退，对于先进制程(例如55奈米或55奈米以下的制程)而言，由于更小的电晶体，更集中(每单位面积中有更多的电晶体数量)以及更小的金属线宽和线距，使散热十分不易，进而让该些散热设计逐渐地不敷使用。鉴于上述，本领域需要一种能更有效地为半导体装置的热源(通常为电晶体)进行散热的技术，藉此满足先进半导体制程的需求。部分先前技术见于下列文献：公开号为US2011/0089517A1的美国专利申请公开案。
技术实现思路
本专利技术的一目的在于提出一种用于半导体装置的沟槽式散热结构，以解决先前技术的问题。本专利技术提出一种用于半导体装置的沟槽式散热结构，其一实施例包含：一第一半导体基板；一热源，位于本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于半导体装置的沟槽式散热结构，包含：一第一半导体基板；一热源，位于该第一半导体基板或属于该第一半导体基板，包含至少一热点；至少一第一热导层；至少一第一热导体，用来连接该至少一热点与该至少一第一热导层；至少一散热沟槽；以及至少一第二热导结构，用来连接该至少一第一热导层与该至少一散热沟槽，藉此将该热源的热传导至该散热沟槽。

【技术特征摘要】
1.一种用于半导体装置的沟槽式散热结构，包含：一第一半导体基板；一热源，位于该第一半导体基板或属于该第一半导体基板，包含至少一热点；至少一第一热导层；至少一第一热导体，用来连接该至少一热点与该至少一第一热导层；至少一散热沟槽；以及至少一第二热导结构，用来连接该至少一第一热导层与该至少一散热沟槽，藉此将该热源的热传导至该散热沟槽。2.根据权利要求1所述的沟槽式散热结构，其中该热源包含一电晶体，该至少一热点包含一源极、一汲极以及一闸极的至少其中之一，且该至少一散热沟槽处于一电性浮接(floating)状态。3.根据权利要求2所述的沟槽式散热结构，其中该电晶体的尺寸符合55奈米或55奈米以下的半导体制程规范。4.根据权利要求1所述的沟槽式散热结构，其中该至少一热点包含该第一半导体基板的至少一接取点(pickup)。5.根据权利要求1所述的沟槽式散热结构，其中该至少一散热沟槽形成于该第一半导体基板中，且该至少一第二热导结构为至少一第二热导体，该至少一第二热导体用来连接该至少一第一热导层与该至少一散热沟槽。6.根据权利要求5所述的沟槽式散热结构，其中该至少一散热沟槽包含至少一沟槽热导体与至少一绝缘层，该至少一绝缘层隔离该...

【专利技术属性】
技术研发人员：颜孝璁，简育生，叶达勋，
申请(专利权)人：瑞昱半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71