The invention provides an array substrate and a liquid crystal display panel, which can reduce the control of ESD and LCQ under the premise of ensuring the functional characteristics of the LCD panel. The array substrate comprises a LCQ test wiring, wiring, ADD wiring, driving the first thin film transistor, 2 thin film transistor and thin film transistor, the first thin film transistor, the first thin film transistor and the thin film transistor includes a gate electrode, a gate insulating layer, a semiconductor layer, a first electrode and a second among them, a third electrode, the first electrode is formed of a first metal layer, a first electrode formed by the first metal layer is arranged with the first metal layer interval, the first metal layer and the LCQ test wiring electrically connected, wherein the first metal layer is connected with the the driving electric wiring, connected to the gate electrode of the first thin-film transistor and the first metal layer is electrically connected to the gate electrode, the first thin film transistor and the second metal layer.
【技术实现步骤摘要】
阵列基板及液晶显示面板
本专利技术涉及液晶显示
,尤其涉及一种阵列基板及液晶显示面板。
技术介绍
液晶显示面板的制备包括阵列基板(Array)工序、彩膜基板(CF)工序以及阵列基板与彩膜基板的对盒(Cell)工序,一般在进行Cell工序时要进行面板功能测试(CellTest),以检测显示面板在Array、CF、Cell这三个工序中出现的不良,把不良的产品层别出来。目前CellTest常用的方法是通过dataline和gateline反端子侧及LCQ(LiquidCrystalDisplayQuick)部分注入信号使液晶分子偏转进行画质检测,LCQ原理:测试时通过ADD信号打开TFT(ThinFilmTransistor,薄膜晶体管),然后使得R/G/B信号传入以使得液晶分子旋转。另外,在液晶显示面板的制备时,为了避免静电对产品的损伤,在液晶显示面板中一般均设置有静电保护电路(Electro-Staticdischarge,ESD)。ESD原理:当Data出现高电压时会将TFT打开,高电压信号通过TFT传输至ShortRing区域,从而将大电流传输出去,起到静电防护的作用。近年来,每个像素具有TFT的液晶显示面板、有机EL显示装置正在普及。TFT利用在玻璃基板等基板上形成的半导体层制作形成阵列基板。相关技术中的阵列基板采用4PEP(FourPhotoEngravingProcess,四道光罩制程),需要分别对ESD和LCQ区域内的TFT进行沟道检测,从而使得检测时间过长,进而影响产能。
技术实现思路
为了解决上述技术问题,本专利技术提供一种阵列基板及液晶显 ...
【技术保护点】
一种阵列基板,包括衬底玻璃以及设于所述衬底玻璃一侧的LCQ测试配线、驱动配线、ADD配线、第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管及第三薄膜晶体管,其特征在于,所述第一薄膜晶体管、所述第二薄膜晶体管及所述第三薄膜晶体管均包括栅电极、栅绝缘层、半导体层、第一电极及第二电极,所述栅绝缘层位于所述栅电极和所述半导体层之间,所述第一电极和所述第二电极位于所述半导体层背离所述栅电极的一侧,其中,三个所述第一电极由第一金属层形成,三个所述第二电极由与所述第一金属层间隔设置的第二金属层形成,所述第一金属层和所述第二金属层在所述衬底玻璃上的正投影呈直条状,所述第一金属层与所述LCQ测试配线电连接,所述第二金属层与所述驱动配线电连接,所述第一薄膜晶体管的所述栅电极与所述第一金属层电连接,所述第二薄膜晶体管的所述栅电极与所述第二金属层电连接。
【技术特征摘要】
1.一种阵列基板,包括衬底玻璃以及设于所述衬底玻璃一侧的LCQ测试配线、驱动配线、ADD配线、第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管及第三薄膜晶体管,其特征在于,所述第一薄膜晶体管、所述第二薄膜晶体管及所述第三薄膜晶体管均包括栅电极、栅绝缘层、半导体层、第一电极及第二电极,所述栅绝缘层位于所述栅电极和所述半导体层之间,所述第一电极和所述第二电极位于所述半导体层背离所述栅电极的一侧,其中,三个所述第一电极由第一金属层形成,三个所述第二电极由与所述第一金属层间隔设置的第二金属层形成,所述第一金属层和所述第二金属层在所述衬底玻璃上的正投影呈直条状,所述第一金属层与所述LCQ测试配线电连接,所述第二金属层与所述驱动配线电连接,所述第一薄膜晶体管的所述栅电极与所述第一金属层电连接,所述第二薄膜晶体管的所述栅电极与所述第二金属层电连接。2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述半导体层背离所述栅电极的一侧形成有沟道区域,所述沟道区域的两侧分别设有与所述第一电极电连接的第一区域及与所述第二电极电连接的...
【专利技术属性】
技术研发人员:史峰勃,徐芸,杨博,孟笑,
申请(专利权)人:昆山龙腾光电有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏,32
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