发光二极管封装结构及其制作方法技术

本发明专利技术提出一种发光二极管封装结构，包括一承载器、一发光二极管芯片、一第一环形挡墙、一第二环形挡墙以及一萤光胶体。发光二极管芯片电性连接至承载器。第一环形挡墙与第二环形挡墙围绕发光二极管芯片设置，第二环形挡墙设置于发光二极管芯片与第一环形挡墙之间。萤光胶体配置于承载器上且至少覆盖发光二极管芯片与第二环形挡墙，所述萤光胶体包括至少一种萤光粉及至少一种胶体混合而成，其中所述的萤光粉分布于发光二极管芯片的表面上。

Light emitting diode packaging structure and manufacturing method thereof

The invention discloses a light-emitting diode packaging structure, which comprises a carrier, a light emitting diode chip, a first annular retaining wall, a second ring retaining wall and a fluorescent colloid. The light emitting diode chip is electrically connected to the carrier. The first annular retaining wall and the second annular retaining wall are arranged around the light-emitting diode chip, and the second annular retaining wall is arranged between the LED chip and the first annular retaining wall. The fluorescent colloid is arranged on the carrier and cover at least the LED chip and the second annular wall, wherein the fluorescent colloid comprises at least one fluorescent powder and at least one colloid mixture, wherein the fluorescent powder on the surface of the light emitting diode chip.

【技术实现步骤摘要】
发光二极管封装结构及其制作方法本申请是2012年6月13日申请的，申请号为“201210194908.1”，专利技术名称为“发光二极管封装结构及其制作方法”的中国专利技术专利申请的分案申请
本专利技术是有关于一种封装结构及其制作方法，且特别是有关于一种发光二极管封装结构及其制作方法。
技术介绍
发光二极管是一种由含有III-Ⅴ族元素的半导体材料所构成的发光元件，且发光二极管具有诸如寿命长、体积小、高抗震性、低热产生及低功率消耗等优点，因此已被广泛应用于家用及各种设备中的指示器或光源。近年来，发光二极管已朝多色彩及高亮度发展，因此其应用领域已扩展至大型户外看板、交通号志灯及相关领域。在未来，发光二极管甚至可能成为兼具省电及环保功能的主要照明光源。举例而言，以目前高功率白光发光二极管的封装方式大多数是采用蓝光发光二极管并搭配黄色萤光粉的使用而成。白光发光二极管的所以发白光是因为其发光二极管芯片发出蓝光，蓝光通过黄色萤光粉后会被转换成黄光，而被黄色萤光粉转换成的黄光与没被转换的蓝光即混合成白光。由于发光二极管所发出的蓝光具有一定程度的指向性，这会使得以较大角度偏离光轴的蓝光的光强度较弱，进而使得以较大角度偏离光轴的黄光的强度大于蓝光的强度。如此一来，会使得照明灯具的照射范围的边缘产生黄晕。此外，采用蓝光二极管并搭配黄色萤光粉的白光发光二极管往往在制程上会因为黄色萤光粉在芯片上分布不均，也使得其出射的白光外围会分布一圈黄光，即黄晕现象(yellowishhalo)，以致于影响白光发光二极管所发出的光的颜色均匀度。因此，过去为了解决黄晕的问题通常会在萤光粉中添加增白剂来降低黄晕的发生，其中增白剂例如是白色微粒或是玻璃微粒，如此可以散射发光二极管的光束降低黄晕的程度。相对地，增白剂的添加却往往会牺牲了发光二极管整体的出光效率，并且在演色性的表现上也无法产生任何提升的效果。
技术实现思路
本专利技术提供一种发光二极管封装结构，其可呈现出较佳的光学表现。本专利技术提供一种发光二极管封装结构的制作方法，用以制作上述的发光二极管封装结构。本专利技术提出一种发光二极管封装结构，其包括一承载器、至少一个发光二极管芯片、一第一环形挡墙、一第二环形挡墙以及一萤光胶体。承载器具有一承载区以及一围绕承载区的周边区。发光二极管芯片配置于承载器的承载区内，且电性连接至承载器。第一环形挡墙配置于承载器的周边区内，且围绕发光二极管芯片。第二环形挡墙配置于第一环形挡墙的内侧，且围绕发光二极管芯片，其中所述第二环形挡墙的高度低于第一环形挡墙的高度。而，萤光胶体配置于承载器上且至少覆盖发光二极管芯片与第二环形挡墙，其中所述萤光胶体包括至少一种萤光粉及至少一种胶体，而所述萤光粉分布于发光二极管芯片的表面上。本专利技术另一实施例中，所述的第一环形挡墙与第二环形挡墙之间具有一间距，且在承载器上定义一凹槽，所述萤光胶体填充于凹槽。本专利技术又一实施例中，所述的承载器与第一环形挡墙或第二环形挡墙一体成型。本专利技术又一实施例中，所述的第一环形挡墙或第二环形挡墙为一不连续的环形挡墙。本专利技术又一实施例中，所述的发光二极管封装结构更包括多个条形挡墙。所述条形挡墙配置于承载器上且连接所述第二环形挡墙，其中所述条形挡墙与第二环形挡墙在承载器上定义出多个格子状凹槽，而发光二极管芯片设置于所述格子状凹槽内。本专利技术提出另一种发光二极管封装结构，其包括一承载器、多个发光二极管芯片、一环形挡墙、多个条形挡墙以及一萤光胶体。发光二极管芯片配置于承载器上，且电性连接至承载器。环形挡墙配置于承载器上，且围绕发光二极管芯片。所述条形挡墙配置于承载器上且连接环形挡墙，其中条形挡墙与环形挡墙在承载器上定义出多个格子状凹槽，而发光二极管芯片设置于格子状凹槽内。萤光胶体配置于承载器上，且填充于格子状凹槽中并至少覆盖发光二极管芯片，其中萤光胶体包括至少一种萤光粉及至少一种胶体，且萤光粉分布于发光二极管芯片的表面上。本专利技术又一实施例中，所述的多个条形挡墙彼此相连而定义出多个次环形挡墙，其中所述多个次环形挡墙配置于承载器上且其分别围绕发光二极管芯片。本专利技术又一实施例中，所述的环状挡墙的高度与每一条形挡墙的高度相同。本专利技术又一实施例中，所述的每一条形挡墙的高度低于环状挡墙的高度。本专利技术又一实施例中，所述的承载器与环形挡墙或条形挡墙一体成型。本专利技术又一实施例中，所述的发光二极管芯片系透过倒装焊技术与承载器电性连接。本专利技术又一实施例中，所述的发光二极管芯片系透过打线接合技术与承载器电性连接。本专利技术又一实施例中，所述的承载器的材质包括陶瓷、高分子聚合物或金属。本专利技术又一实施例中，所述的第一环形挡墙的材质与第二环形挡墙的材质包括硅、氧化硅、氮化硼、橡胶、有机高分子材料或金属。本专利技术提出一种发光二极管封装结构的制作方法，其包括以下步骤。提供一承载器，其中承载器具有一承载区以及一围绕承载区的周边区。配置至少一个发光二极管芯片于承载器的承载区内，且发光二极管芯片电性连接至承载器。形成一第一环形挡墙于承载器的周边区内。形成一第二环形挡墙于承载器的周边区内，其中第二环形挡墙围绕发光二极管芯片并设置于第一环形挡墙的内侧，且第二环形挡墙的高度低于第一环形挡墙的高度。填充一萤光胶体于承载器上以至少覆盖发光二极管芯片与第二环形挡墙，其中所述萤光胶体包括至少一种萤光粉及至少一种胶体混合而成，且萤光粉散布于胶体内。之后，进行一离心程序，以使萤光胶体中的萤光粉沉降于发光二极管芯片的表面上。最后，放置烤箱进行烘烤定形。本专利技术另一实施例中，所述的第一环形挡墙与第二环形挡墙之间具有一间距，在承载器上定义一凹槽，且萤光胶体填充于凹槽。本专利技术另一实施例中，所述的发光二极管封装结构的制作方法，还包括：形成多个条形挡墙，配置于承载器上且连接第二环形挡墙，其中所述条形挡墙与第二环形挡墙在承载器上定义出多个格子状凹槽，而所述发光二极管芯片设置于所述格子状凹槽内。本专利技术另一实施例中，所述的承载器与第一环形挡墙或第二环形挡墙一体成型。本专利技术另一实施例中，所述的第一环形挡墙或第二环形挡墙为不连续的环形挡墙。本专利技术再提出一种发光二极管封装结构的制作方法，其包括以下步骤。提供一承载器。配置多个发光二极管芯片于承载器上，且发光二极管芯片电性连接至承载器。形成一环形挡墙于承载器上，其中环形挡墙围绕发光二极管芯片。形成多个条形挡墙于承载器上，其中条形挡墙连接环形挡墙，且条形挡墙与环形挡墙在承载器上定义出多个格子状凹槽，而发光二极管芯片设置于格子状凹槽内。填充一萤光胶体于承载器的一承载区内，其中萤光胶体填满格子状凹槽且至少覆盖发光二极管芯片，萤光胶体包括至少一种萤光粉及至少一种胶体混合而成，且萤光粉分散于胶体内。进行一离心程序以使萤光胶体中的萤光粉沉降于发光二极管芯片的表面上。最后，放置一烤箱进行一烘烤程序。本专利技术另一实施例中，所述的条形挡墙彼此相连而定义出多个次环形挡墙，其中所述多个次环形挡墙配置于承载器上且其分别围绕发光二极管芯片。本专利技术另一实施例中，所述的填充萤光胶体于承载器的承载区的步骤，包括：将萤光胶体依序填入格子状凹槽，使萤光胶体的一上表面与环状挡墙的一顶面及每一条形挡墙的一顶面高度相同。本专利技术另一实施例中，所述的填充萤光胶体于承载器的承载区的步骤，包括：将萤光胶体任意填入一部分本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管封装结构，包括：一承载器，具有一承载区，以及一围绕该承载区的周边区；多个发光二极管芯片，配置于该承载器的该承载区内，且电性连接至该承载器；一第一环形挡墙，配置于该承载器的该周边区内，且围绕该些发光二极管芯片；一第二环形挡墙，配置于该第一环形挡墙的内侧，且围绕该些发光二极管芯片，其中该第二环形挡墙的高度低于该第一环形挡墙的高度，且高于该发光二极管芯片的高度；以及一胶体，配置于该承载器上且至少覆盖该发光二极管芯片与该第二环形挡墙；其中该第一环形挡墙和该第二环形挡墙皆具有不吸光且具有反射功能的特性。

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管封装结构，包括：一承载器，具有一承载区，以及一围绕该承载区的周边区；多个发光二极管芯片，配置于该承载器的该承载区内，且电性连接至该承载器；一第一环形挡墙，配置于该承载器的该周边区内，且围绕该些发光二极管芯片；一第二环形挡墙，配置于该第一环形挡墙的内侧，且围绕该些发光二极管芯片，其中该第二环形挡墙的高度低于该第一环形挡墙的高度，且高于该发光二极管芯片的高度；以及一胶体，配置于该承载器上且至少覆盖该发光二极管芯片与该第二环形挡墙；其中该第一环形挡墙和该第二环形挡墙皆具有不吸光且具有反射功能的特性。2.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，该第一环形挡墙与第二环形挡墙之间具有一间距，且在该承载器上定义一凹槽。3.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，该承载器与该第一环形挡墙或该第二环形挡墙一体成型。4.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，该第一环形挡墙或该第二环形挡墙为一不连续的环形挡墙。5.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，还包括：多个条形挡墙，配置于该承载器上且连接该第二环形挡墙，其中所述条形挡墙与该第二环形挡墙在该承载器上定义出多个格子状凹槽，而所述发光二极管芯片设置于所述格子状凹槽内。6.一种发光二极管封装结构，包括：一承载器，具有一承载区，以及一围绕该承载区的周边区；至少一个发光二极管芯片，配置于该承载器的该承载区内，且电性连接至该承载器；一第一环形挡墙，配置于该承载器的该周边区内，且围绕该发光二极管芯片；一第二环形挡墙，配置于该第一环形挡墙的内侧，该第二环形挡墙与该第一环形挡墙之间具有一间隙，且在承载器上定义出一凹槽；以及一萤光胶体，配置于该承载器上且至少覆盖该发光二极管芯片，其中该萤光胶体包括至少一种萤光粉及至少一种胶体，且该萤光粉分布于该间隙内。7.如权利要求6所述的发光二极管封装结构，其特征在于，该承载器与该第一环形挡墙或该第二环形挡墙一体成型。8.如权利要求6所述的发光二极管封装结构，其特征在于，该第一环形挡墙或该第二环形挡墙为一不连续的环形挡墙。9.如权利要求6所述的发光二极管封装结构，其特征在于，各条形挡墙的高度低于该环形挡墙的高度。10.如权利要求6所述的发光二极管封装结构，还包括：多个条形挡墙，配置于该承载器上且连接该第二环形挡墙，其中所述条形挡墙与该第二环形挡墙在该承载器上定义出多个格子状凹槽...

【专利技术属性】
技术研发人员：叶寅夫，潘科豪，
申请(专利权)人：亿光电子工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71