一种防止可控硅误触发电路及智能床垫控制电路制造技术

本实用新型专利技术涉及一种防止可控硅误触发电路及智能床垫控制电路，属于集成电路技术领域。该防止可控硅误触发电路，应用于智能床垫控制电路中，所述智能床垫控制电路包括处理器和插座。所述防止可控硅误触发电路包括：N沟道MOS管和双向可控硅。所述N沟道MOS管的栅极用于与所述处理器的第一管脚连接，所述N沟道MOS管的漏极与所述双向可控硅的控制端连接，所述N沟道MOS管的漏极还用于与所述处理器的第二管脚连接，所述N沟道MOS管的源极与所述双向可控硅的一端连接，所述N沟道MOS管的漏极还接地。本实用新型专利技术提供的防止可控硅误触发电路具备：体积小、成本低、靠性高以及使用寿命长等优点。

A circuit for preventing SCR triggering circuit and intelligent mattress control circuit

The utility model relates to a control circuit for preventing thyristor triggering circuit and an intelligent mattress, which belongs to the field of integrated circuit technology. The circuit for preventing the thyristor from triggering is applied to the intelligent mattress control circuit. The intelligent mattress control circuit comprises a processor and a socket. The thyristor controlled error triggering circuit includes: N channel MOS tube and bidirectional thyristor. The gate of MOS transistor the N channel for the processor and the first connecting pin, the N trench drain and the bidirectional thyristor control MOS tube end connection, the N channel MOS tube drain is also used with the processor second connecting pin, one end the source MOS tube in the N channel and the bidirectional thyristor is connected, the N channel MOS tube drain is grounding. The utility model has the advantages of small size, low cost, high reliability, long service life, etc..

【技术实现步骤摘要】
一种防止可控硅误触发电路及智能床垫控制电路
本技术属于集成电路
，具体涉及一种防止可控硅误触发电路及智能床垫控制电路。
技术介绍
随着工农业和科技的发展，人民生活水平的不断提高，越来越多的智能设备进入了人们的生活，在给人们带来便捷的同时，人们对智能设备的性能也提出了新的要求，例如，在安全性、便捷性、可靠性等方面。例如，在电路的安全性能方面，目前普遍采用继电器和电阻来防止可控硅误触发，虽然在一定程度上解决了可控硅触发电路误触发的问题，但是由于继电器自身存在面积大、寿命短以及在使用时存在噪音大等缺陷，导致该防止可控硅误触发的电路不能应用于微型电路板中和对噪音有限制条件的医疗器械和生活环境中，以及使用一段时间后，因继电器寿命短而损坏，导致不能达到预先的效果，已经不能满足要求。因此在集成电路的安全性能方面，特别是防止可控硅误触发方面，急需一种满足新标准的新型防止可控硅误触发的电路来更换现有的电路。
技术实现思路
鉴于此，本技术的目的在于提供一种防止可控硅误触发电路及智能床垫控制电路，以有效地改善上述问题。本技术的实施例是这样实现的：本技术实施例提供了一种防止可控硅误触发电路，应用于智能床垫控制本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种防止可控硅误触发电路，其特征在于，应用于智能床垫控制电路中，所述智能床垫控制电路包括处理器和插座，所述防止可控硅误触发电路包括：N沟道MOS管和双向可控硅，所述N沟道MOS管的栅极用于与所述处理器的第一管脚连接，所述N沟道MOS管的漏极与所述双向可控硅的控制端连接，所述N沟道MOS管的漏极还用于与所述处理器的第二管脚连接，所述N沟道MOS管的源极与所述双向可控硅的一端连接，所述N沟道MOS管的漏极还接地，所述双向可控硅的另一端用于与所述插座的第一插针连接，所述双向可控硅的一端还用于与所述插座的第二插针连接。

【技术特征摘要】
1.一种防止可控硅误触发电路，其特征在于，应用于智能床垫控制电路中，所述智能床垫控制电路包括处理器和插座，所述防止可控硅误触发电路包括：N沟道MOS管和双向可控硅，所述N沟道MOS管的栅极用于与所述处理器的第一管脚连接，所述N沟道MOS管的漏极与所述双向可控硅的控制端连接，所述N沟道MOS管的漏极还用于与所述处理器的第二管脚连接，所述N沟道MOS管的源极与所述双向可控硅的一端连接，所述N沟道MOS管的漏极还接地，所述双向可控硅的另一端用于与所述插座的第一插针连接，所述双向可控硅的一端还用于与所述插座的第二插针连接。2.根据权利要求1所述的防止可控硅误触发电路，其特征在于，所述防止可控硅误触发电路还包括：第一电阻，所述第一电阻的一端与所述双向可控硅的一端连接，所述第一电阻的另一端与所述双向可控硅的控制端连接。3.根据权利要求1所述的防止可控硅误触发电路，其特征在于，所述防止可控硅误触发电路还包括：第二电阻，所述N沟道MOS管的栅极通过所述第二电阻与所述处理器连接。4.根据权利要求1所述的防止可控硅误触发电路，其特征在于，所述防止可控硅误触发电路还包括：第三电阻，所述N沟道MOS管的漏极通过所述第三电阻与所述处理器连接。5.根据权利要求1所述的防止可控硅误触发电路，其特征在于，所述防止可控硅误触发电路还包括：发光二极管，所述N沟道MOS管的漏极还通过所述发光二极管接地。6.根据权利要求5所述的防止可控硅误触发电路，其特征在于，所述防止可控硅误触发电路还包括：第四电阻，所述N沟道MOS管的漏极还通过所述发光二极管与所述第四电阻串联后接地。7.根据权利要求1－6任意一项所述的防止可控硅误触发电路，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：杜彦卿，
申请(专利权)人：沈阳市科海融生科技有限公司，
类型：新型
国别省市：辽宁,21