【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种可控硅触发电路,其特征在于:包括具有初级绕组(N0)和第一次级绕组(N1)的变压器(T1),第一电阻(R1)、第一和第二三极管(Q1、Q2)、第一二极管(D1)、滤波电容(C1)、双向可控硅(TR1)及开关控制电路;所述第一三极管(Q1)的集电极与变压器(T1)的初级绕组(N0)一端连接,其基极与第一电阻(R1)连接;所述变压器(T1)的初级绕组(N0)另一端及第一三极管(Q1)的发射极连接在一输入电源的两端;所述第二二极管(Q2)的集电极与变压器(T1)的第一次级绕组(N1)一端连接,其发射极通过第一二极管(D1)与双向可控硅(TR1)的控制极连接,其基极与开关控制电路的输出控制端连接;所述开关控制电路还与变压器(T1)的第一次级绕组(N1)另一端连接,且所述滤波电容(C1)连接于开关控制电路与第一二极管(D1)的阴极之间。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:仇正勇,
申请(专利权)人:温岭资发半导体有限公司,
类型:新型
国别省市:浙江;33
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