本发明专利技术公开一种RGC智能充电器，包括隔离与充放电电路、数字触发电路、CMOS开关驱动与可控硅触发电路、调压可控硅移相触发电路、保护电路、控制电路电源，各电路通过电源端口电连接，采用数字控制电路，主电路部分开关元件采用了CMOS开关代替了可控硅，解决传统充电器成本高、效率低、易造成电池损坏等等问题。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电动汽车领域技术，尤其是指一种电动汽车的RGC智能充电器。
技术介绍
随着低碳经济成为我国经济发展的主旋律，电动汽车作为新能源战略和智能电网的重要组成部分，必将成为今后汽车工业和能源产业发展的重点，相配套的电动汽车充电器也将成为一种新兴产业，其技术要求和革新也提上日程。传统充电器采用相控电源，所使用的变压器是工频电源变压器，体积大，效率低，动态响应差，安全系数低，保护作用不好，容易起鼓包。目前，市面上的乘用电动轿车充电器有类似于解决此种问题的方案产品，但所不同的是:主电路设计冗余，控制电路为模拟电路，在目前电网环境下显得非常不可靠。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术针对现有技术存在之缺失，其主要目的是提供一种RGC智能充电器，解决传统充电器成本高、效率低、易造成电池损坏等等问题。为实现上述目的，本专利技术采用如下之技术方案: 一种RGC智能充电器，包括隔离与充放电电路、数字触发电路、CMOS开关驱动与可控硅触发电路、调压可控硅移相触发电路、保护电路、控制电路电源，各电路通过电源端口电连接。本专利技术与现有技术相比具有明显的优点和有益效果，具体而言，由上述技术方案可知，由于本设计用CMOS开关与可控硅等开关元件代替传统的变压器，采用电容充放电方式给电池充电，所采用控制方案为全数字电路，解决传统充电器成本高、效率低、易造成电池损坏等等问题，具有使用成本低、安全可靠、充电效率高、通过脉冲充电、能把坏电池修复、能够有效隔离，延长电池寿命。 为更清楚地阐述本专利技术的结构特征和功效，下面结合附图与具体实施例来对本专利技术进行详细说明。【附图说明】图1是本专利技术之实施例的隔离与充放电电路图； 图2是本专利技术之实施例的隔离与充放电电路波形图； 图3是本专利技术之实施例的数字触发电路图； 图4-1是本专利技术之实施例的CMOS开关驱动与可控硅触发电路图； 图4-2是本专利技术之实施例的调压可控硅移相触发电路图； 图5是本专利技术之实施例的保护电路图； 图6是本专利技术之实施例的控制电路电源图。附图标识说明: 10、隔离与充放电电路20、数字触发电路 30、CMOS开关驱动与可控硅触发电路40、调压可控硅移相触发电路 50、保护电路60、控制电路电源。【具体实施方式】请参照图1至图6所示，其显示出了本专利技术之较佳实施例的具体结构，是一种电动汽车的RGC智能充电器，包括隔离与充放电电路10、数字触发电路20、CMOS开关驱动与可控硅触发电路30、调压可控硅移相触发电路40、保护电路50、控制电路电源60。其中，如图1所示，所述隔离与充放电电路10包括元件:二极管D24、D27、D29、D31，电阻 R34、R37、R38、R43、R44、R47、R48、R49，可控硅 Q3、Q4、Q5、Q12，CMOS 开关 Q6、Q9，电容 C16、C17，保险丝 Fl，电源端 P J8-A、J10-A、Jl 1-A, J12-A、J13-A、J14-A，电池组 BAT，各元件电相连。通过电源端口 J14-A的1-2脚输入正弦波上半周时，当调压可控硅Q12进入已设置的触发点区上(上半周期虚线线段区域)，如图2所示:可控硅Q12导通，经Q12整流的直流电压给C17正极充电。充电回路经D27、R47、R48、F1、J14-A4-5与电源组成回路。当时间经过过零点时，可控硅Q12因电流为零而自动关闭。当时间进入数字电路设置的电容C17放电区域中(下半周期实线线段区域)，CMOS开关Q9、与可控硅Q5同时导通。电容C17上的正极电压通过D29、R44、Q9给电池组BAT充电，充电回路通过Q5流向C17负极。当调压可控硅Q3进行数字电路设置的正弦波下半周时，电源端口 J14-A的4_5脚输入正弦波下半周电压，当时间进入已设置的触发点区(下半周期虚线线段区域)，如图2所示:可控硅Q3导通，下半周期的电压经Fl、R47、Q3整流向C16正极充电，充电回路经D31流向电源端口 J14-A的1-2脚。当时间进入数字电路设置的电容C16放电区域中(上半周期实线线段区域)，CMOS开关Q6、与可控硅Q4同时导通。电容C16上的正极电压通过D24、R34、Q6给电池组BAT充电。充电回路通过Q4流向C16负极。电路中Q3、Q12为调压作用。Q4、Q5为市电隔离作用。Q6、Q9除了给电容放电也起到市电隔离作用。如图3所示，所述数字触发电路20包括元件:集成芯片U1、U5、U7、U2A、U2B、U2C、U2D、U3A、U3B、U3C、U3D、U4A、U4B、U4C、U4D、U6A、U6B、U6C、U6D，电源接口 Jl-A、J2-A、J3-A、J4-A、J5-A、J6-A、J7-A，二极管 Dl、D2、D3、D4、D5、D6、D7、D8、D9、D10、Dll、D12、D13、D14、D32、D33，电容 Cl、C2、C3、C4、C5、C6，电阻 Rl、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、Rll、R12、R13、R14、R15、R16，三极管QUQ 2，各元件电相连。由U7组成的时基电路连续输出一个ImS方波脉冲信号，分别经过R7、R14输出到Ul、U5的CLK端。触发Ul、U5进行计数。Jl-A与控制电源Jl-B连接，Jl-B为可控硅触发同步信号源，Jl-A第一脚为正弦波正半周信号，当时间进入上半周期时，Dl有电压通过，Ql导通，U3A输出高电平，U3F输出低电平，输入到U5的CLK时基信号经DlO被U3F吸收掉。U5禁止计数。D8为负半周整流二极管，在上半周期时无电压流过，Q2截止，U3D输出低电平，U3C输出高电平，D3截止。Ul在时基信号触发下进行计数(U1、U5为十进制计数器，计数时可分别从QO到Q9输出高电平)。Ul的QO到Q3设置为电容C16放电区域(电池充电时间)，当开始计数后Ul的QO到Q3分别会有高电平输出时，分别通过D4到D7经过J2-A输出到CMOS触发电路上(与图4_2相同)，如图1所示:可控硅Q4与CMOS开关Q6会同时导通。完成电容C16的放电过程(对电池充电过程)。Q5到Q8为上半周期给C17充电区域。当计数器Ul计数到Q5端有高电平时，信号通过选通门U2A输出到U4A输入端，U4B输出高电平，通过R9，J4-A (通过触发电路4_1)触发可控硅Q12导通，Q12导通会给电容C17充电。然后Q12在进入过零点时会自动关闭。计数器每一次计数为lmS，从QO到Q9计数正好为10mS，为半个周期。当进入到下半个周期时，D8有电压通过，Q2导通，U3D输出高电平，U3C输出低电平，输出到Ul的CLK时基信号经D3被U3C吸收掉。同理:U5开始计数，当U5的QO到Q3分别有高电平输出时，会分别通过Dll到D14经过J5-A输出到CMOS触发电路上(如图4_2所示)。如图1所示:可控硅Q5与CMOS开关Q9会同时导通。完成上半周期时的对电池充电过程(对C17放电过程)。同样:当计数器U5计数到Q5端有高电平时，通过选通门U6A输出到U4C，U4D输出高电平，通过R16，J7-A (触发电路与图4_1相同)触发可控硅Q3导通。Q3导通会给电容C16充电。然后Q3在进入过零点时会自动关闭。在经过正弦波的过零点时，U3A、本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种RGC智能充电器，其特征在于：包括隔离与充放电电路、数字触发电路、CMOS开关驱动与可控硅触发电路、调压可控硅移相触发电路、保护电路、控制电路电源，各电路通过电源端口电连接。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：胡久伦，杨志军，
申请(专利权)人：胡久伦，杨志军，
类型：发明
国别省市：广东;44
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。