本实用新型专利技术公开了一种可控硅保护和触发供电电路，包括触发电路、可控硅半控整流电路、供电电路、保护电路、稳压电路。供电电路的结构为六个二极管构成的小功率三相整流桥，小功率三相整流桥的三个输入端分别与三个保护电容相连，小功率三相整流桥的输出端经滤波电容C4相连后与触发电路连接。可控硅半控整流电路包括三个可控硅和三个二极管，三个可控硅的G端均与触发电路连接。保护电路的连接结构为三个保护电容的一端分别与三个可控硅的A端连接，另一端依次分别经过三个二极管和滤波电容C4后与三个可控硅的K端连接。本实用新型专利技术通过对保护电路的改进，增加了供电功能，取代了原来的隔离供电电路，结构简单，设计合理容易实现。
【技术实现步骤摘要】
本技术属于电子电路
，具体涉及一种可控硅保护和触发供电电路。
技术介绍
现有技术中的逆变发电机控制电路中，三相半控整流都是共阴极结构。如图2所示，这种共阴极的触发电路较为简单，缺点是需要一个比高压输出端(V+)还要高的电源(V+15)为触发电路供电。另外，可控硅还需要一个外接的RC保护电路，由Cl、C2、C3、R4、R5、R6组成，以防止可控硅误导通。本专利对这个保护电路进行改进，使它兼有供电功能。
技术实现思路
技术目的:本技术的目的是为了解决现有技术的不足，提供一种兼有供电和保护功能，结构简单、容易实现的可控硅保护和触发供电电路。技术方案:本技术所述的一种可控硅保护和触发供电电路，包括触发电路、可控硅半控整流电路、供电电路、保护电路、稳压电路；所述供电电路的结构为二极管D4、二极管D5、二极管D6、二极管D7、二极管D8、二极管D9构成的小功率三相整流桥，小功率三相整流桥的三个输入端分别与保护电容Cl、保护电容C2、保护电容C3相连，小功率三相整流桥的三个输出端经滤波电容C4相连后与触发电路连接；所述可控硅半控整流电路包括可控硅Q1、可控硅Q2、可控硅Q3和二极管D1、二极管D2、二极管D3 ;所述可控硅Q1、可控硅Q2、可控硅Q3的G端均与触发电路连接；所述保护电路的连接结构为保护电容Cl、保护电容C2、保护电容C3的一端分别与可控硅Ql、可控硅Q2、可控硅Q3的A端连接，另一端依次分别经过二极管D4、二极管D5、二极管D6和滤波电容C4后与可控硅Q1、可控硅Q2、可控硅Q3的K端连接；所述稳压电路与可控硅Q1、可控硅Q2、可控硅Q3的K端均相连。进一步的，所述稳压电路接地且分别通过二极管D1、二极管D2、二极管D3与可控硅Ql、可控硅Q2、可控硅Q3的A端连接。进一步的，所述二极管D1、二极管D2、二极管D3的正极接地，负极与可控硅Q1、可控硅Q2、可控硅Q3的A端连接。进一步的，所述可控硅Q1、可控硅Q2、可控硅Q3的G端与K端之间还分别连接有电阻R1、电阻R2、电阻R3。进一步的，所述可控硅半控整流电路的可控硅Q1、可控硅Q2、可控硅Q3的A端均还连接有交流电源。有益效果:本技术将六个二极管组成一个小功率三相整流桥，该小功率三相整流桥的三个输入端与三个保护电容3相连，输出端经过滤波电容C4滤波后，可为触发电路提供电源V+15，三个保护电容起到一个降压作用。另外，三个保护电容的一端分别与三个可控硅的A端连接，另一端经过三个二极管再经过滤波电容C4后分别连接到三个可控硅的K端，具有保护功能。通过对保护电路的改进，增加了供电功能，取代了原来的隔离供电电路，结构简单，设计合理。【附图说明】图1为本技术电路结构原理图。图2为现有的可控硅半控整流触发电路结构原理图。【具体实施方式】下面结合具体实施例对本技术作进一步说明:如图1所示，一种可控硅保护和触发供电电路，包括触发电路、可控硅半控整流电路、供电电路、保护电路、稳压电路。供电电路的结构为二极管D4、二极管D5、二极管D6、二极管D7、二极管D8、二极管D9构成的小功率三相整流桥，小功率三相整流桥的三个输入端分别与保护电容Cl、保护电容C2、保护电容C3相连，小功率三相整流桥的三个输出端经滤波电容C4相连后与触发电路连接。可控硅半控整流电路包括可控硅Ql、可控硅Q2、可控硅Q3和二极管Dl、二极管D2、二极管D3。可控硅Ql、可控硅Q2、可控硅Q3的G端均与触发电路连接。 保护电路的连接结构为保护电容Cl、保护电容C2、保护电容C3的一端分别与可控硅Ql、可控硅Q2、可控硅Q3的A端连接，另一端依次分别经过二极管D4、二极管D5、二极管D6和滤波电容C4后与可控硅Q1、可控硅Q2、可控硅Q3的K端连接。稳压电路与可控硅Q1、可控硅Q2、可控硅Q3的K端均相连。作为对本技术的进一步优化，稳压电路接地且分别通过二极管D1、二极管D2、二极管D3与可控硅Ql、可控硅Q2、可控硅Q3的A端连接。二极管Dl、二极管D2、二极管D3的正极接地，负极与可控硅Q1、可控硅Q2、可控硅Q3的A端连接。可控硅Q1、可控硅Q2、可控硅Q3的G端与K端之间还分别连接有电阻R1、电阻R2、电阻R3。可控硅半控整流电路的可控硅Q1、可控硅Q2、可控硅Q3的A端均还连接有交流电源。本技术将六个二极管组成一个小功率三相整流桥，该小功率三相整流桥的三个输入端与三个保护电容3相连，输出端经过滤波电容C4滤波后，可为触发电路提供电源V+15，三个保护电容起到一个降压作用。另外，三个保护电容的一端分别与三个可控硅的A端连接，另一端经过三个二极管再经过滤波电容C4后分别连接到三个可控硅的K端，具有保护功能。本技术通过对保护电路的改进，增加了供电功能，取代了原来的隔离供电电路，散热效果好，结构简单，设计合理容易实现。【主权项】1.一种可控硅保护和触发供电电路，其特征在于:包括触发电路、可控硅半控整流电路、供电电路、保护电路、稳压电路； 所述供电电路的结构为二极管D4、二极管D5、二极管D6、二极管D7、二极管D8、二极管D9构成的小功率三相整流桥，小功率三相整流桥的三个输入端分别与保护电容Cl、保护电容C2、保护电容C3相连，小功率三相整流桥的三个输出端经滤波电容C4相连后与触发电路连接； 所述可控硅半控整流电路包括可控硅Ql、可控硅Q2、可控硅Q3和二极管Dl、二极管D2、二极管D3 ;所述可控硅Q1、可控硅Q2、可控硅Q3的G端均与触发电路连接； 所述保护电路的连接结构为保护电容Cl、保护电容C2、保护电容C3的一端分别与可控硅Ql、可控硅Q2、可控硅Q3的A端连接，另一端依次分别经过二极管D4、二极管D5、二极管D6和滤波电容C4后与可控硅Q1、可控硅Q2、可控硅Q3的K端连接； 所述稳压电路与可控硅Q1、可控硅Q2、可控硅Q3的K端均相连。2.根据权利要求1所述的一种可控硅保护和触发供电电路，其特征在于:所述稳压电路接地且分别通过二极管D1、二极管D2、二极管D3与可控硅Q1、可控硅Q2、可控硅Q3的A端连接。3.根据权利要求1所述的一种可控硅保护和触发供电电路，其特征在于:所述二极管D1、二极管D2、二极管D3的正极接地，负极与可控硅Q1、可控硅Q2、可控硅Q3的A端连接。4.根据权利要求1所述的一种可控硅保护和触发供电电路，其特征在于:所述可控硅Ql、可控硅Q2、可控硅Q3的G端与K端之间还分别连接有电阻Rl、电阻R2、电阻R3。5.根据权利要求1所述的一种可控硅保护和触发供电电路，其特征在于:所述可控硅半控整流电路的可控硅Q1、可控硅Q2、可控硅Q3的A端均还连接有交流电源。【专利摘要】本技术公开了一种可控硅保护和触发供电电路，包括触发电路、可控硅半控整流电路、供电电路、保护电路、稳压电路。供电电路的结构为六个二极管构成的小功率三相整流桥，小功率三相整流桥的三个输入端分别与三个保护电容相连，小功率三相整流桥的输出端经滤波电容C4相连后与触发电路连接。可控硅半控整流电路包括三个可控硅和三个二极管，三个可控硅的G端均与触发电路连接。保护电路的连接结构为三个保护电容的一端分别与三个可控硅的A端连接，另本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种可控硅保护和触发供电电路，其特征在于：包括触发电路、可控硅半控整流电路、供电电路、保护电路、稳压电路；所述供电电路的结构为二极管D4、二极管D5、二极管D6、二极管D7、二极管D8、二极管D9构成的小功率三相整流桥，小功率三相整流桥的三个输入端分别与保护电容C1、保护电容C2、保护电容C3相连，小功率三相整流桥的三个输出端经滤波电容C4相连后与触发电路连接；所述可控硅半控整流电路包括可控硅Q1、可控硅Q2、可控硅Q3和二极管D1、二极管D2、二极管D3；所述可控硅Q1、可控硅Q2、可控硅Q3的G端均与触发电路连接；所述保护电路的连接结构为保护电容C1、保护电容C2、保护电容C3的一端分别与可控硅Q1、可控硅Q2、可控硅Q3的A端连接，另一端依次分别经过二极管D4、二极管D5、二极管D6和滤波电容C4后与可控硅Q1、可控硅Q2、可控硅Q3的K端连接；所述稳压电路与可控硅Q1、可控硅Q2、可控硅Q3的K端均相连。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：高玉海，
申请(专利权)人：绍兴标新机电科技有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江;33
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