一种逆变发电机可控硅驱动自举供电电路制造技术

技术编号:12055217 阅读:172 留言:0更新日期:2015-09-16 18:56
本实用新型专利技术公开了一种逆变发电机可控硅驱动自举供电电路,包括相连的三相半控整流稳压电路、H型单相逆变电路,三相半控整流稳压电路包括依次首尾相连的触发电路、可控硅半控整流电路、稳压电路,H型单相逆变电路包括四个功率管上管T1、上管T3、下管T2、下管T4和分别与上述功率管的G端和E端相连的四个驱动电路,还包括自举供电电路,自举供电电路与触发电路、H型单相逆变电路的供电端均相连。本实用新型专利技术通过自举升压方式由浮动电源P+A和浮动电源P+B为半控桥驱动电路提供电源,将二极管D4、二极管D5接在H型单相逆变电路的两个上管T1、T3的驱动电路供电端,产生相对主电源V+高的正电源V+15,以取代现有的隔离供电电路,结构简单、设计合理。

【技术实现步骤摘要】

本技术属于电子电路
,具体涉及一种逆变发电机可控硅驱动自举供电电路
技术介绍
现有技术中的逆变发电机控制电路中,由三相半控整流稳压电路和H型单相逆变电路组成。如图2所示其中,三相半控整流电路需要一个比高压输出端(V+)还要高的电源(V+15),为触发电路供电。另外,H型单相逆变电路的驱动电路中,上管Tl、上管T3需要两个浮动电源P+A和P+B。其中P+A相对于上管Tl的E端为+15V。浮动电源P+B相同。本专利对这个电路进行改进,使它能自举供电。
技术实现思路
技术目的:本技术的目的是为了解决现有技术的不足,提供一种能自举供电,结构简单、设计合理的逆变发电机可控硅驱动自举供电电路。技术方案:本技术所述的一种逆变发电机可控硅驱动自举供电电路,包括相连的三相半控整流稳压电路、H型单相逆变电路;所述三相半控整流稳压电路包括依次首尾相连的触发电路、可控硅半控整流电路、稳压电路;所述H型单相逆变电路包括四个功率管上管Tl、上管T3、下管T2、下管T4和分别与上述功率管的G端和E端相连的四个驱动电路,所述下管T2、下管T4的驱动电路上连接有浮动电源P+C供电端,所述上管Tl、上管T3的驱动电路上连接有浮动电源P+A和浮动电源P+B供电端;所述上管Tl、上管T3的E端分别与下管T2、下管T4的C端连接;还包括自举供电电路,所述自举供电电路与触发电路、浮动电源P+A、浮动电源P+B、浮动电源P+C的供电端均相连。进一步的,所述自举供电电路包括二极管D4、二极管D5、电容Cl,所述电容Cl的正极、二极管D4的负极、二极管D5的负极均与触发电路的供电端连接,所述电容Cl的负极分别与上管Tl、上管T3的C端连接,所述二极管D4的正极分别与上管Tl的驱动电路和浮动电源P+A供电端连接,所述二极管D5的正极与浮动电源P+B供电端连接。进一步的,所述可控硅半控整流电路包括可控硅Q1、可控硅Q2、可控硅Q3和二极管Dl、二极管D2、二极管D3 ;所述可控硅Ql、可控硅Q2、可控硅Q3的G端均与触发电路连接,K端均连接有电源V+且与电容Cl的负极连接,A端均与交流电源连接;所述二极管D1、二极管D2、二极管D3的负极与可控硅Q1、可控硅Q2、可控硅Q3的A端连接,正极与稳压电路连接且接地。进一步优选的,所述可控硅Q1、可控硅Q2、可控硅Q3的G端与K端之间还连接有电阻R1、电阻R2、电阻R3。进一步的,所述浮动电源P+A相对于上管Tl的E端为+15V。有益效果:本技术在三相半控整流稳压电路、H型单相逆变电路上还连接有自举供电电路,工作时,无需隔离电源为触发电路供电,通过自举升压方式由浮动电源P+A和浮动电源P+B为半控桥驱动电路提供电源。自举供电电路包括二极管D4、二极管D5、电容Cl。H型单相逆变电路的两个上管T1、T3是交替工作的。当上管Tl导通时,它的C、E端相通,电位相等,那么电源V+与上管Tl的C、E端是等电位,由于浮动电源P+A比上管Tl的E端高15V,此时浮动电源P+A比电源V+也高15V,二极管D4会导通,向电容Cl充电到15V。当上管Tl截至时,E端点位下降到GND,由于二极管D4反向不导通,所以电容Cl不会被放电,维持15V,可为触发电路供电。上管Tl截至时上管T3导通,同理浮动电源P+B会通过二极管D5向电容Cl充电,维持稳定供电。本技术将二极管D4、二极管D5接在H型单相逆变电路的两个上管T1、T3的驱动电路供电端上,可以产生一个相对主电源V+高的正电源V+15,以取代常规电路中的隔离供电电路,结构简单,设计合理。【附图说明】图1为本技术电路结构原理图。图2为现有的逆变发电机电路结构原理图。【具体实施方式】下面结合具体实施例对本技术作进一步说明:如图1所示,一种逆变发电机可控硅驱动自举供电电路,包括相连的三相半控整流稳压电路、H型单相逆变电路。三相半控整流稳压电路包括依次首尾相连的触发电路、可控硅半控整流电路、稳压电路。H型单相逆变电路包括四个功率管上管Tl、上管Τ3、下管Τ2、下管Τ4和分别与上述功率管的G端和E端相连的四个驱动电路,下管Τ2、下管Τ4的驱动电路上连接有浮动电源P+C供电端,上管Tl、上管Τ3的驱动电路上连接有浮动电源Ρ+Α和浮动电源Ρ+Β供电端。上管Tl、上管Τ3的E端分别与下管Τ2、下管Τ4的C端连接。本技术还包括自举供电电路,自举供电电路与触发电路、浮动电源Ρ+Α、浮动电源Ρ+Β、浮动电源P+C的供电端均相连。作为对本技术的进一步优化,自举供电电路包括二极管D4、二极管D5、电容Cl,电容Cl的正极、二极管D4的负极、二极管D5的负极均与触发电路的供电端连接,电容Cl的负极分别与上管Tl、上管Τ3的C端连接,二极管D4的正极分别与上管Tl的驱动电路和浮动电源Ρ+Α供电端连接,二极管D5的正极与浮动电源Ρ+Β供电端连接。可控硅半控整流电路包括可控硅Q1、可控硅Q2、可控硅Q3和二极管D1、二极管D2、二极管D3。可控硅Q1、可控硅Q2、可控硅Q3的G端均与触发电路连接,K端均连接有电源V+且与电容Cl的负极连接,A端均与交流电源连接。二极管D1、二极管D2、二极管D3的负极与可控硅Q1、可控硅Q2、可控硅Q3的A端连接,正极与稳压电路连接且接地。可控硅Q1、可控硅Q2、可控硅Q3的G端与K端之间还连接有电阻R1、电阻R2、电阻R3。浮动电源P+A相对于上管Tl的E端为+15V。本技术的设计原理是在三相半控整流稳压电路、H型单相逆变电路上还连接有自举供电电路,自举供电电路包括二极管D4、二极管D5、电容Cl。H型单相逆变电路的两个上管Tl、T3是交替工作的。当上管Tl导通时,它的C、E端相通,电位相等,那么电源V+与上管Tl的C、E端是等电位,由于浮动电源P+A比上管Tl的E端高15V,此时浮动电源P+A比电源V+也高15V,二极管D4会导通,向电容Cl充电到15V。当上管Tl截至时,E端点位下降到GND,由于二极管D4反向不导通,所以电容Cl不会被放电,维持15V,可为触发电路供电。上管Tl截至时上管T3导通,同理浮动电源P+B会通过二极管D5向电容Cl充电,维持稳定供电。本技术工作时,无需隔离电源为触发电路供电,通过自举升压方式由浮动电源P+A和浮动电源P+B为半控桥驱动电路提供电源。本技术将二极管D4、二极管D5接在H型单相逆变电路的两个上管T1、T3的驱动电路供电端上,可以产生一个相对主电源V+高的正电源V+15,以取代常规电路中的隔离供电电路,结构简单,设计合理。【主权项】1.一种逆变发电机可控硅驱动自举供电电路,包括相连的三相半控整流稳压电路、H型单相逆变电路; 所述三相半控整流稳压电路包括依次首尾相连的触发电路、可控硅半控整流电路、稳压电路; 所述H型单相逆变电路包括四个功率管上管Tl、上管T3、下管T2、下管T4和分别与上述功率管的G端和E端相连的四个驱动电路,所述下管T2、下管T4的驱动电路上连接有浮动电源P+C供电端,所述上管Tl、上管T3的驱动电路上连接有浮动电源P+A和浮动电源P+B供电端;所述上管Tl、上管T3的E端分别与下管T2、下管T4的C端连接; 其特征在于:还包括本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种逆变发电机可控硅驱动自举供电电路,包括相连的三相半控整流稳压电路、H型单相逆变电路;所述三相半控整流稳压电路包括依次首尾相连的触发电路、可控硅半控整流电路、稳压电路;所述H型单相逆变电路包括四个功率管上管T1、上管T3、下管T2、下管T4和分别与上述功率管的G端和E端相连的四个驱动电路,所述下管T2、下管T4的驱动电路上连接有浮动电源P+C供电端,所述上管T1、上管T3的驱动电路上连接有浮动电源P+A和浮动电源P+B供电端;所述上管T1、上管T3的E端分别与下管T2、下管T4的C端连接;其特征在于:还包括自举供电电路,所述自举供电电路与触发电路、浮动电源P+A、浮动电源P+B、浮动电源P+C的供电端均相连。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:高玉海
申请(专利权)人:绍兴标新机电科技有限公司
类型:新型
国别省市:浙江;33

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