The invention relates to a method for manufacturing process of chip components from the film and prepared from the film, the manufacturing method comprises the following steps: (1) film preparation: add 1000 add 1600ppm particle in the base material, has a thickness of 20 75 m film, the particle is added one or more of silica, calcium carbonate, magnesium carbonate, barium carbonate, barium sulfate, aluminum oxide, titanium oxide, the added particle size is 500 1500nm; (2) preparation of release agent; (3) from the film preparation: coated on the membrane of the from the type of agent to release film. From the film prepared by the surface roughness Ra is less than or equal to 0.25 mu m; release agent coating thickness of 60 300nm, from the type of force is 2 40g/inch; from the residual film then rate greater than 90%, preferably 96%.
【技术实现步骤摘要】
一种片式元器件制程用离型膜的制造方法及其制得的离型膜
本专利技术涉及离型膜制备领域,具体说是一种片式元器件制程用离型膜的制造方法及其制得的离型膜。
技术介绍
目前离型膜通常的制造方法是在PET基膜表面涂布一层离型剂(乙烯基有机硅油树脂),并在铂金或锡等络合物催化剂作用下,通过交联固化而得到。如专利号为CN102582174A公开的一种防静电性能优异的离型膜及其制造方法,所得到离型膜的离型力及残留胶粘率等离型特性良好,而且具有优异的防静电性能。不仅可以用于以保护粘着剂(胶粘剂)层为目的的一般的产业用粘着带(或者胶粘带)等,还可以有效地用于IT领域的产品等。举例来说,可以有效地用于移动电话、LCD、半导体、显示器等IT领域的产品。但是这种离型膜,表面平整度差、表面粗糙度大、基膜热变型大及离型剂涂布层的接触角大;离型剂涂布层与基膜之间附着力差,更不能满足高容量、高稳定性且轻、薄、小、单层陶瓷厚度≤3微米的片式元器件制造。
技术实现思路
本专利技术的目的之一是提供一种片式元器件制程用离型膜的制造方法,克服现有离型膜存在的上述缺陷。本专利技术的目的之二是提供上述方法制得的离型膜,表面平整,表面粗糙度低、离型剂涂层厚度均匀、离型力稳定,满足单层陶瓷厚度≤3微米的片式元器件制程用。为了实现上述目的,本专利技术采用如下的技术方案:一种片式元器件制程用离型膜的制造方法,包括步骤:(1)基膜的制备:在基料中加入1000-1600ppm添加粒子,得到厚度为20-75μm的基膜,所述添加粒子为二氧化硅、碳酸钙、碳酸镁、碳酸钡、硫酸钡、氧化铝、氧化钛中的一种或多种,所述添加粒子的粒径为 ...
【技术保护点】
一种片式元器件制程用离型膜的制造方法,其特征在于,包括步骤:(1)基膜的制备:在基料中加入1000‑1600ppm添加粒子,得到厚度为20‑75μm的基膜,所述添加粒子为二氧化硅、碳酸钙、碳酸镁、碳酸钡、硫酸钡、氧化铝、氧化钛中的一种或多种,所述添加粒子的粒径为500‑1500nm;(2)离型剂的制备:离型剂的原料包括:乙烯基端基有机硅树酯、丁炔醇、硅烷偶联剂、铂金络合物、溶剂;(3)离型膜的制备:在所述基膜上涂布所述离型剂,得到离型膜。
【技术特征摘要】
1.一种片式元器件制程用离型膜的制造方法,其特征在于,包括步骤:(1)基膜的制备:在基料中加入1000-1600ppm添加粒子,得到厚度为20-75μm的基膜,所述添加粒子为二氧化硅、碳酸钙、碳酸镁、碳酸钡、硫酸钡、氧化铝、氧化钛中的一种或多种,所述添加粒子的粒径为500-1500nm;(2)离型剂的制备:离型剂的原料包括:乙烯基端基有机硅树酯、丁炔醇、硅烷偶联剂、铂金络合物、溶剂;(3)离型膜的制备:在所述基膜上涂布所述离型剂,得到离型膜。2.根据权利要求1所述一种片式元器件制程用离型膜的制造方法,其特征在于,离型剂的原料包括如下百分比的组分:2-15%的乙烯基端基有机硅树酯、0.01-0.8%的丁炔醇、0.05-0.5%的硅烷偶联剂、0.01-0.8%的铂金络合物、83-97%的溶剂。3.根据权利要求1所述一种片式元器件制程用离型膜的制造方法,其特征在于,步骤(3)中,离型剂涂布后进行烘烤,烘烤温度为60℃-120℃,烘烤时间为10秒-90秒。4.根据权利要求1或2所述一种片式元器件制程用离型膜的制造方法,其特征在于,溶剂为120号溶剂油、丁酮、D30溶剂油、...
【专利技术属性】
技术研发人员:梁仁调,郭庆超,肖飞,
申请(专利权)人:浙江洁美电子科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:浙江,33
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