一种低缺陷高品质多晶硅锭制造技术

本实用新型专利技术公开了一种低缺陷高品质多晶硅锭，包括多晶硅锭，多晶硅锭的外边侧设置有复合保护膜，复合保护膜的内部设置有防尘夹层，防尘夹层的底端设置有防撞夹层，防撞夹层的底端设置有防护夹层，防护夹层的底端设置有防皱夹层。本实用新型专利技术是一种低缺陷高品质多晶硅锭，在多晶硅锭生产完成后进行覆膜，可以有效的保护多晶硅锭在使用前发生损坏，在运输的运输的过程中，可有效的防止多晶硅锭表面产生污渍和线痕划伤，防止发生碰撞以及崩边的情况发生，可防止多晶硅锭发生缺陷，提高品质，本设计合理简单，十分的便捷实用。

A low defect high quality polycrystalline silicon ingot

The utility model discloses a low defect of high quality polycrystalline silicon ingot, including polycrystalline silicon ingot, with composite protection film is arranged outside the side of polycrystalline silicon ingot, the internal composite protective film provided with a dustproof layer, dustproof layer is arranged at the bottom of anti-collision interlayer, anti-collision layer is arranged at the bottom of the protective interlayer is arranged at the bottom end of the sandwich door wrinkle free sandwich. The utility model relates to a low defect of high quality polycrystalline silicon ingot, coated in polycrystalline silicon ingot production is completed, can effectively protect the polysilicon ingot before use is damaged, in the process of transportation transportation, can effectively prevent the surface of the polysilicon ingot stains and scratch line, to prevent the occurrence of collision and chipping that can prevent the occurrence of defects of polycrystalline silicon ingot, improve the quality, the design is reasonable and simple, very convenient and practical.

【技术实现步骤摘要】
一种低缺陷高品质多晶硅锭
本技术涉及一种多晶硅锭，特别涉及一种低缺陷高品质多晶硅锭。
技术介绍
多晶硅是单质硅的一种形态，熔融的单质硅在过冷条件下凝固时，硅原子以金刚石晶格形态排列成许多晶核，如这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则这些晶粒结合起来，就结晶成多晶硅，利用价值：从目前国际太阳电池的发展过程可以看出其发展趋势为单晶硅、多晶硅、带状硅、薄膜材料包括微晶硅基薄膜、化合物基薄膜及染料薄膜，多晶硅可作拉制单晶硅的原料，多晶硅与单晶硅的差异主要表现在物理性质方面，例如，在力学性质、光学性质和热学性质的各向异性方面，远不如单晶硅明显；在电学性质方面，多晶硅晶体的导电性也远不如单晶硅显著，甚至于几乎没有导电性，在化学活性方面，两者的差异极小，多晶硅和单晶硅可从外观上加以区别，但真正的鉴别须通过分析测定晶体的晶面方向、导电类型和电阻率等，多晶硅的生产技术主要为改良西门子法和硅烷法，西门子法通过气相沉积的方式生产柱状多晶硅，为了提高原料利用率和环境友好，在前者的基础上采用了闭环式生产工艺即改良西门子法，硅烷法是将硅烷通入以多晶硅晶种作为流化颗粒的流化床中，使硅烷裂解并在晶种上沉积，从而得到颗粒本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种低缺陷高品质多晶硅锭，包括多晶硅锭（1），其特征在于，所述多晶硅锭（1）的外边侧设置有复合保护膜（2），所述复合保护膜（2）的内部设置有防尘夹层（3），所述防尘夹层（3）的底端设置有防撞夹层（4），所述防撞夹层（4）的底端设置有防护夹层（5），所述防护夹层（5）的底端设置有防皱夹层（6）。

【技术特征摘要】
1.一种低缺陷高品质多晶硅锭，包括多晶硅锭（1），其特征在于，所述多晶硅锭（1）的外边侧设置有复合保护膜（2），所述复合保护膜（2）的内部设置有防尘夹层（3），所述防尘夹层（3）的底端设置有防撞夹层（4），所述防撞夹层（4）的底端设置有防护夹层（5），所述防护夹层（5）的底端设置有防皱夹层（6）。2.根据权利要求1所述的一种低缺陷高品质多晶硅锭，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵博成，刘晓辉，王国军，
申请(专利权)人：浙江晶鸿新能源科技有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江,33