一种低缺陷高品质多晶硅锭制造技术

本实用新型专利技术公开了一种低缺陷高品质多晶硅锭，包括多晶硅锭，多晶硅锭的外边侧设置有复合保护膜，复合保护膜的内部设置有防尘夹层，防尘夹层的底端设置有防撞夹层，防撞夹层的底端设置有防护夹层，防护夹层的底端设置有防皱夹层。本实用新型专利技术是一种低缺陷高品质多晶硅锭，在多晶硅锭生产完成后进行覆膜，可以有效的保护多晶硅锭在使用前发生损坏，在运输的运输的过程中，可有效的防止多晶硅锭表面产生污渍和线痕划伤，防止发生碰撞以及崩边的情况发生，可防止多晶硅锭发生缺陷，提高品质，本设计合理简单，十分的便捷实用。

A low defect high quality polycrystalline silicon ingot

The utility model discloses a low defect of high quality polycrystalline silicon ingot, including polycrystalline silicon ingot, with composite protection film is arranged outside the side of polycrystalline silicon ingot, the internal composite protective film provided with a dustproof layer, dustproof layer is arranged at the bottom of anti-collision interlayer, anti-collision layer is arranged at the bottom of the protective interlayer is arranged at the bottom end of the sandwich door wrinkle free sandwich. The utility model relates to a low defect of high quality polycrystalline silicon ingot, coated in polycrystalline silicon ingot production is completed, can effectively protect the polysilicon ingot before use is damaged, in the process of transportation transportation, can effectively prevent the surface of the polysilicon ingot stains and scratch line, to prevent the occurrence of collision and chipping that can prevent the occurrence of defects of polycrystalline silicon ingot, improve the quality, the design is reasonable and simple, very convenient and practical.

【技术实现步骤摘要】
一种低缺陷高品质多晶硅锭
本技术涉及一种多晶硅锭，特别涉及一种低缺陷高品质多晶硅锭。
技术介绍
多晶硅是单质硅的一种形态，熔融的单质硅在过冷条件下凝固时，硅原子以金刚石晶格形态排列成许多晶核，如这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则这些晶粒结合起来，就结晶成多晶硅，利用价值：从目前国际太阳电池的发展过程可以看出其发展趋势为单晶硅、多晶硅、带状硅、薄膜材料包括微晶硅基薄膜、化合物基薄膜及染料薄膜，多晶硅可作拉制单晶硅的原料，多晶硅与单晶硅的差异主要表现在物理性质方面，例如，在力学性质、光学性质和热学性质的各向异性方面，远不如单晶硅明显；在电学性质方面，多晶硅晶体的导电性也远不如单晶硅显著，甚至于几乎没有导电性，在化学活性方面，两者的差异极小，多晶硅和单晶硅可从外观上加以区别，但真正的鉴别须通过分析测定晶体的晶面方向、导电类型和电阻率等，多晶硅的生产技术主要为改良西门子法和硅烷法，西门子法通过气相沉积的方式生产柱状多晶硅，为了提高原料利用率和环境友好，在前者的基础上采用了闭环式生产工艺即改良西门子法，硅烷法是将硅烷通入以多晶硅晶种作为流化颗粒的流化床中，使硅烷裂解并在晶种上沉积，从而得到颗粒状多晶硅，改良西门子法和硅烷法主要生产电子级晶体硅，也可以生产太阳能级多晶硅，硅锭是硅料定向凝固做成的产品，一般来说，硅料包括原生多晶硅料和单晶硅回用料，原生多晶硅一般称为正料，其纯度较高，价格亦不菲；单晶硅回用料如单晶硅棒头尾料、边皮料、埚底料、电池片经过清洗处理后得到的原料等等，将硅料在单晶炉中融化后再经过一系列工序可生长成单晶硅棒子，对单晶硅棒子进行后续机加工，得到单晶硅锭，再使用切片机器对硅锭进行切片加工，则得到硅片。在现有的多晶硅锭的技术条件下，在多晶硅锭的保护性上依然存在着很多不足之处，大部分的多晶硅锭完成生产后需进行包装运输，生产出来的多晶硅锭表面光滑洁净，在多晶硅锭运输的过程当中一使多晶硅锭的品质下降，会造成表面产生污渍，出现线痕，发生碰撞时容易出现凹痕，崩边的情况发生，严重情况时，造成破裂损坏，损害利益，十分不便。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是克服现有技术的缺陷，提供一种低缺陷高品质多晶硅锭。为了解决上述技术问题，本技术提供了如下的技术方案：本技术一种低缺陷高品质多晶硅锭，包括多晶硅锭，所述多晶硅锭的外边侧设置有复合保护膜，所述复合保护膜的内部设置有防尘夹层，所述防尘夹层的底端设置有防撞夹层，所述防撞夹层的底端设置有防护夹层，所述防护夹层的底端设置有防皱夹层。作为本技术的一种优选技术方案，所述防尘夹层由聚乙烯材料制作而成。作为本技术的一种优选技术方案，所述防撞夹层由泡沫橡胶制作而成。作为本技术的一种优选技术方案，所述防护夹层由聚氨酯泡沫制作而成。作为本技术的一种优选技术方案，所述防皱夹层由聚烯烃制作而成。与现有技术相比，本技术的有益效果如下：本技术是一种低缺陷高品质多晶硅锭，在多晶硅锭生产完成后进行覆膜，可以有效的保护多晶硅锭在使用前发生损坏，在运输的运输的过程中，可有效的防止多晶硅锭表面产生污渍和线痕划伤，防止发生碰撞以及崩边的情况发生，可防止多晶硅锭发生缺陷，提高品质，本设计合理简单，十分的便捷实用。附图说明附图用来提供对本技术的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本技术的实施例一起用于解释本技术，并不构成对本技术的限制。在附图中：图1是本技术的整体结构示意图；图2是本技术的内部结构示意图；图中：1、多晶硅锭；2、复合保护膜；3、防尘夹层；4、防撞夹层；5、防护夹层；6、防皱夹层。具体实施方式以下结合附图对本技术的优选实施例进行说明，应当理解，此处所描述的优选实施例仅用于说明和解释本技术，并不用于限定本技术。实施例1如图1-2所示，本技术提供一种低缺陷高品质多晶硅锭，包括多晶硅锭1，多晶硅锭1的外边侧设置有复合保护膜2，复合保护膜2的内部设置有防尘夹层3，防尘夹层3的底端设置有防撞夹层4，防撞夹层4的底端设置有防护夹层5，防护夹层5的底端设置有防皱夹层6。进一步的，防尘夹层3由聚乙烯材料制作而成，聚乙烯材料可有效的防止灰尘进入，防止污渍产生，同时防止划痕，保护多晶硅锭。防撞夹层4由泡沫橡胶制作而成，泡沫橡胶可有效的对多晶硅锭起到保护作用，防止碰撞，起到缓冲作用，十分便捷实用。防护夹层5由聚氨酯泡沫制作而成，防止碰撞，起到缓冲作用，十分便捷实用。防皱夹层6由聚烯烃制作而成，聚烯烃的主要成分由高密度的聚乙烯材料制作而成，具有健康环保的特性，可有效的防止多晶硅锭表面发生褶皱，线痕的情况发生。具体的，本技术在使用的时候，在多晶硅锭生产完毕后，通过对多晶硅锭进行覆膜，起到保护作用，保护的过程当中，可通过防尘夹层3可有效的防止灰尘进入，防止污渍产生，同时防止划痕，保护多晶硅锭，通过防撞夹层4与防护夹层5可有效的对多晶硅锭起到保护作用，防止碰撞，起到缓冲作用，防皱夹层6具有健康环保的特性，可有效的防止多晶硅锭表面发生褶皱，可防止多晶硅锭发生缺陷，做到高品质的效果。本技术是一种低缺陷高品质多晶硅锭，在多晶硅锭生产完成后进行覆膜，可以有效的保护多晶硅锭在使用前发生损坏，在运输的运输的过程中，可有效的防止多晶硅锭表面产生污渍，和线痕划伤，防止发生碰撞以及崩边的情况发生，可防止多晶硅锭发生缺陷，提高品质，本设计合理简单，十分的便捷实用。最后应说明的是：以上所述仅为本技术的优选实施例而已，并不用于限制本技术，尽管参照前述实施例对本技术进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种低缺陷高品质多晶硅锭，包括多晶硅锭（1），其特征在于，所述多晶硅锭（1）的外边侧设置有复合保护膜（2），所述复合保护膜（2）的内部设置有防尘夹层（3），所述防尘夹层（3）的底端设置有防撞夹层（4），所述防撞夹层（4）的底端设置有防护夹层（5），所述防护夹层（5）的底端设置有防皱夹层（6）。

【技术特征摘要】
1.一种低缺陷高品质多晶硅锭，包括多晶硅锭（1），其特征在于，所述多晶硅锭（1）的外边侧设置有复合保护膜（2），所述复合保护膜（2）的内部设置有防尘夹层（3），所述防尘夹层（3）的底端设置有防撞夹层（4），所述防撞夹层（4）的底端设置有防护夹层（5），所述防护夹层（5）的底端设置有防皱夹层（6）。2.根据权利要求1所述的一种低缺陷高品质多晶硅锭，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵博成，刘晓辉，王国军，
申请(专利权)人：浙江晶鸿新能源科技有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江,33