对一次性可编程存储器电路进行编程的系统、装置和方法制造方法及图纸

根据本公开的一些示例的一种用于一次性可编程(OTP)存储器的半导体器件包括栅极、在该栅极下方的介电区、在该介电区下方且向一侧偏移的源极端子、在该介电区下方且向与该源极端子的相对侧偏移的漏极端子、该介电区中能够对该半导体器件进行编程的漏极侧电荷陷阱、以及该介电区中与该漏极侧电荷陷阱相对且能够对该半导体器件进行编程的源极侧电荷陷阱。

System, device and method for programming one time programmable memory circuit

According to a one-time programmable for some examples of the disclosure of the (OTP) memory semiconductor device includes a gate, the gate below the dielectric region, the dielectric region below and offset to one side the source terminal, the dielectric region below and to the source terminal of the side offset the drain terminal, the dielectric region of the semiconductor device can be programmed to the drain side and the charge trapping dielectric region and the drain side charge trap relative to the semiconductor device and can be programmed to the source side of the charge trap.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】公开领域本公开一般涉及集成电路，尤其但不排他地涉及一次性可编程存储器电路。
技术介绍
互补金属氧化物半导体(CMOS)技术的缩放导致将浮栅存储器和逻辑两者集成在一起以获得高性能和低功率存储器电路的难度更大。浮栅存储器提供一次性可编程存储器(OTP)和嵌入式闪存存储器。由于集成附加处理的复杂性(这也增加了成本)，嵌入式闪存存储器通常会比前沿CMOS技术落后2或3个节点。结果，一次性可编程(OTP)存储器正被越来越多地用于嵌入式非易失性存储器(NVM)应用。两种类型的OTP存储器目前在65nm或以下的CMOS技术上可用：电熔丝(eFuse)和反熔丝。eFuse存储器元件通过迫使高电流密度穿过导电链路以使其完全破裂或使其电阻显著提高以使得该链路不再导电(该链路为高电阻或开路)来编程。反熔丝与eFuse相反。这种电路起初为开路(高电阻)且通过施加电应力(其创建低电阻导电路径)来编程。然而，eFuse编程要求高电流，其在器件的生产期间被编程并且在其所驻留的芯片的操作期间编程。已经开发出在金属氧化物半导体(MOS)晶体管中使用电荷陷阱，尤其是将沟道热荷(CHC)注入用于编程。然而，编程通常要求高功率并本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于一次性可编程(OTP)存储器的半导体器件，包括：栅极；在所述栅极垂直下方的介电区；在所述栅极和所述介电区垂直下方且向第一侧水平偏移的源极端子；在所述栅极和所述介电区垂直下方且向与所述第一侧相对的第二侧水平偏移的漏极端子；所述介电区中的漏极侧Vt编程区，所述漏极侧Vt编程区能够对所述半导体器件进行编程；以及所述介电区中与所述漏极侧Vt编程区水平相对的源极侧Vt编程区，所述源极侧Vt编程区能够对所述半导体器件进行编程。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.02.27 US 14/633,7931.一种用于一次性可编程(OTP)存储器的半导体器件，包括：栅极；在所述栅极垂直下方的介电区；在所述栅极和所述介电区垂直下方且向第一侧水平偏移的源极端子；在所述栅极和所述介电区垂直下方且向与所述第一侧相对的第二侧水平偏移的漏极端子；所述介电区中的漏极侧Vt编程区，所述漏极侧Vt编程区能够对所述半导体器件进行编程；以及所述介电区中与所述漏极侧Vt编程区水平相对的源极侧Vt编程区，所述源极侧Vt编程区能够对所述半导体器件进行编程。2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述栅极是p型的。3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述栅极是n型的。4.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述栅极是金属栅极。5.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述栅极是多晶硅栅极。6.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述漏极侧Vt编程区提供所述栅极与所述漏极端子之间的第一导电路径。7.如权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，所述源极侧Vt编程区提供所述栅极与所述源极端子之间的第二导电路径。8.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述漏极侧Vt编程区是电荷陷阱。9.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述源极侧Vt编程区是电荷陷阱。10.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，双编程是针对所述漏极侧Vt和所述源极侧Vt。11.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，进一步包括耦合至所述栅极的编程电路，其中所述编程电路被配置成向所述栅极选择性地施加编程电压。12.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件被集成到移动电话、移动通信设备、寻呼机、个人数字助理、个人信息管理器、移动手持式计算机、膝上型计算机、无线设备、或无线调制解调器之一中。13.一种用于对一次性可编程存储器单元进行编程的系统，所述系统包括：栅极；耦合至所述栅极的编程电路，所述编程电路被配置成向所述栅极施加编程电压；在所述栅极垂直下方的介电区；在所述栅极和所述介电区垂直下方且向第一侧水平偏移的源极端子；在所述栅极和所述介电区垂直下方且向与所述第一侧相对的第二侧水平偏移的漏极端子；所述介电区中的漏极侧Vt编程区，所述漏极侧Vt编程区能够结合所述编程电压来对所述半导体器件进行编程；以及所述介电区中与所述漏极侧Vt编程区水平相对的源极侧Vt编程区，所述源极侧Vt编程区能够结合所述编程电压来对所述半导体器件进行编程。14.如权利要求13所述的系统，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：X·李，X·陆，X·陈，Z·王，
申请(专利权)人：高通股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国;US