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根据本公开的一些示例的一种用于一次性可编程(OTP)存储器的半导体器件包括栅极、在该栅极下方的介电区、在该介电区下方且向一侧偏移的源极端子、在该介电区下方且向与该源极端子的相对侧偏移的漏极端子、该介电区中能够对该半导体器件进行编程的漏极侧电...
该专利属于高通股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过高通股份有限公司授权不得商用。

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