半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

半导体装置的制造方法具备以下工序：准备第1基板(10)；在上述第1基板的一面(10a)形成Ti层(40b)成为最表面的金属膜、将该金属膜布图从而形成第1焊盘部(17)；准备第2基板(20)；在上述第2基板的一面(20a)形成Ti层(41b)成为最表面的金属膜、将该金属膜布图从而形成第2焊盘部(24)；通过将上述第1基板及上述第2基板真空退火，将形成在上述第1焊盘部及上述第2焊盘部的上述Ti层上的氧化膜除去，将上述第1焊盘部与上述第2焊盘部接合。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置及其制造方法关联申请的相互参照本申请基于2015年2月10日提出的日本专利申请第2015－24321号主张优先权，这里引用其记载内容。
本专利技术涉及第1基板和第2基板被接合且在第1基板与第2基板之间配置有传感部的半导体装置及其制造方法。
技术介绍
以往，作为这种半导体装置，提出了具有检测加速度的传感部的结构(例如，参照专利文献1)。具体而言，在该半导体装置中，在第1基板与第2基板之间配置有检测加速度的传感部。此外，在第1基板形成有与传感部电连接的第1焊盘部，在第2基板的与第1焊盘部对置的部分形成有第2焊盘部。并且，这些第1焊盘部与第2焊盘部被接合而被电连接。另外，第1焊盘部及第2焊盘部由以铝为主成分的材料构成。但是，在这样的半导体装置中，由于第1、第2焊盘部由以铝为主成分的材料构成，所以在第1、第2焊盘部的表面形成的氧化膜(自然氧化膜)非常坚固。并且，在将第1焊盘部与第2焊盘部接合时，为了将第1、第2焊盘部电连接而必须在除去了形成于第1、第2焊盘部的氧化膜的状态下进行接合，但为了将该氧化膜除去，在将第1、第2焊盘部接合前及接合时必须使温度非常高，或使接合时的载荷非常大。因本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置的制造方法，上述半导体装置具备：第1基板(10)，具有一面(10a)；第2基板(20)，具有一面(20a)，以该一面与上述第1基板的一面对置的状态而与上述第1基板接合；传感部(15)，配置在上述第1基板与上述第2基板之间；第1焊盘部(17)，形成在上述第1基板的一面，与上述传感部电连接；以及第2焊盘部(24)，形成在上述第2基板的一面，与上述第1焊盘部电连接；上述半导体装置的制造方法的特征在于，具备以下工序：准备上述第1基板；在上述第1基板的一面形成最表面为Ti层(40b)的金属膜，通过将该金属膜布图而形成上述第1焊盘部；准备上述第2基板；在上述第2基板的一面形成最表面为Ti层(...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.02.10 JP 2015-0243211.一种半导体装置的制造方法，上述半导体装置具备：第1基板(10)，具有一面(10a)；第2基板(20)，具有一面(20a)，以该一面与上述第1基板的一面对置的状态而与上述第1基板接合；传感部(15)，配置在上述第1基板与上述第2基板之间；第1焊盘部(17)，形成在上述第1基板的一面，与上述传感部电连接；以及第2焊盘部(24)，形成在上述第2基板的一面，与上述第1焊盘部电连接；上述半导体装置的制造方法的特征在于，具备以下工序：准备上述第1基板；在上述第1基板的一面形成最表面为Ti层(40b)的金属膜，通过将该金属膜布图而形成上述第1焊盘部；准备上述第2基板；在上述第2基板的一面形成最表面为Ti层(41b)的金属膜，通过将该金属膜布图而形成上述第2焊盘部；通过将上述第1基板及上述第2基板进行真空退火，除去在上述第1焊盘部及上述第2焊盘部的上述Ti层上形成的氧化膜；以及将上述第1焊盘部与上述第2焊盘部接合。2.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，具备以下工序：在上述第1焊盘部的形成中，通过将在上述第1基板的一面形成的金属膜布图，与上述第1焊盘部一起，形成包围上述第1焊盘部的框状的第1封固部(18)；在上述第2焊盘部的形成中，通过将在上述第2基板的一面形成的金属膜布图，与上述第2焊盘部一起，形成包围上述第2焊盘部且形状与上述第1封固部对应的第2封固部(25)；在上述氧化膜的除去中，将在上述第1、第2封固部的上述Ti层上形成的氧化膜，与在上述第1、第2焊盘部的上述Ti层上形成的氧化膜一起除去；在上述接合中，通过将上述第1焊盘部与上述第2焊盘部接合并将上述第1封固部与上述第2封固部接合，在上述第1基板与上述第2基板之间构成气密室(50)，将上述传感部封固到上述气密室内。3.如权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，还具备以下工序，即：在将上述氧化膜除去之前，在上述第1基板及上述第2基板的配置在上述气密室内的部分的至少一方，形成吸附活性气体的捕获层(31)。4.如权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，在上述捕获层的形成中，具备形成基底层(42a)的工序、将该基底层粗糙化处理的工序、和在粗糙化处理后的上述基底层上形成Ti层(42b)的工序。5.如权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，还具备在形成上述捕获层之前、在形成上述捕获层的部分形成沟槽(43)的工序；在上述捕获层的形成中，还具备以保留上述沟槽内的空间(43a)的方式沿着上述沟槽的壁面形成上述捕获层的工序。6.如权利要求2～5中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，在上述第1焊盘部的形成、上述第2焊盘部的形成、上述第1封固部的形成、上述第2封固部的形成的各自中，还具备仅形成上述Ti层作为上述金属膜的工序。7.如权利要求2～6中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，具备以下工序：在上述第1焊盘部的形成及上述第2焊盘部的形成中，将上述第1焊盘部及上述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：高畑利彦，竹谷英一，
申请(专利权)人：株式会社电装，
类型：发明
国别省市：日本,JP