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半导体装置的制造方法具备以下工序：准备第1基板(10)；在上述第1基板的一面(10a)形成Ti层(40b)成为最表面的金属膜、将该金属膜布图从而形成第1焊盘部(17)；准备第2基板(20)；在上述第2基板的一面(20a)形成Ti层(41b)...
该专利属于株式会社电装所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社电装授权不得商用。

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