一种晶圆封装方法和结构技术

本发明专利技术提供一种晶圆封装方法和结构，在晶圆的背面刻蚀出轮廓与线路形貌对应的凹槽，凹槽位于晶圆的焊盘的上方；在凹槽底部打孔，将凹槽与焊盘连通；在晶圆背部的外表面淀积绝缘层，刻蚀沉积在焊盘表面的绝缘层；在晶圆背面进行电镀，电镀材料填充凹槽及其与焊盘连通的孔；对晶圆背面进行抛光，抛光至绝缘层,使得凹槽间不连通；在晶圆背面淀积保护层，在位于凹槽上部的保护层上开窗，在开窗处制备凸点，凸点与凹槽内的电镀材料连接。该晶圆封装方法和结构，先在晶圆上刻蚀与线路形貌对应的凹槽，再对凹槽进行电镀、抛光，抛光完成后实现了焊盘与凸点的线路连接，这样使得线路表面平整、粗糙度小，线路无侧刻现象且芯片表面平整度高。

Wafer packaging method and structure

The invention provides a wafer encapsulation method and structure on the back surface of the wafer etching grooves and the corresponding contour line shape, is arranged on the wafer pad above; at the bottom of the groove hole, and the groove pad connected on the outer surface of the wafer back; depositing insulating layer, etching the insulating layer deposited on the pad the surface; the plating on the backside of the wafer, and the plating material filling groove communicated with the pad holes; for the polishing of the wafer backside polishing to the insulating layer, which is not communicated with the groove on the backside of the wafer; depositing a protective layer, the protective layer is arranged on the windows in the groove on the upper part of the window in the preparation of bump connection electroplating materials bump and groove. The wafer encapsulation method and structure of grooves on the wafer and etching lines corresponding to the morphology, electroplating, polishing on the groove, after the completion of the polishing pad and the bump connections, so that the line of smooth surface, roughness, line side moment phenomenon and chip high surface flatness.

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆封装方法和结构
本专利技术涉及半导体封装
，具体涉及一种晶圆封装方法和结构。
技术介绍
晶圆级芯片封装技术是对整片晶圆进行封装测试后再切割得到单个成品芯片，封装后的芯片尺寸与裸片一致，是当前封装领域的热点和未来发展的趋势。晶圆级芯片封装技术通常把半导体芯片外围排列的焊垫通过再分布过程分布成面阵列排列的大量金属焊球，有时被称为焊接凸点。在晶圆键合过程中，采用硅通孔技术(ThroughSiliconVia,TSV)实现芯片和芯片之间、晶圆和晶圆之间的垂直导通，使之在三维方向上堆叠集成。现有技术中晶圆整面电镀完成后需要进行线路图形化处理，实现硅通孔和凸点的连接，在图形化处理过程中因刻蚀造成线路表面不平整粗糙度高，线路有侧刻，芯片表面平整度差，这些缺陷影响电信号的传输性能。
技术实现思路
因此，本专利技术要解决的技术问题在于克服现有技术中的图形化处理过程中因刻蚀而造成线路表面不平整粗糙度高，线路有侧刻以及芯片表面平整度差的缺陷。为此，本专利技术提供一种晶圆封装方法，包括以下步骤：在晶圆内形成若干芯片单元，在一个或多个所述芯片单元的背面刻蚀出轮廓与线路形貌对应的凹槽，所述凹槽位于所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶圆封装方法，其特征在于，包括以下步骤：在晶圆内形成若干芯片单元，在一个或多个所述芯片单元的背面刻蚀出轮廓与线路形貌对应的凹槽，所述凹槽位于所述芯片单元的焊盘的上方；在所述凹槽底部打孔，将所述凹槽与所述焊盘连通；在晶圆背部的外表面淀积绝缘层，刻蚀沉积在所述焊盘表面的绝缘层；在所述晶圆背面进行电镀，电镀材料填充所述凹槽及其与焊盘连通的孔；对所述晶圆背面进行抛光，抛光至所述绝缘层,使得所述凹槽间不连通；在所述晶圆背面淀积保护层，在位于凹槽上部的所述保护层上开窗，在所述开窗处制备凸点，所述凸点与所述凹槽内的电镀材料连接。

【技术特征摘要】
1.一种晶圆封装方法，其特征在于，包括以下步骤：在晶圆内形成若干芯片单元，在一个或多个所述芯片单元的背面刻蚀出轮廓与线路形貌对应的凹槽，所述凹槽位于所述芯片单元的焊盘的上方；在所述凹槽底部打孔，将所述凹槽与所述焊盘连通；在晶圆背部的外表面淀积绝缘层，刻蚀沉积在所述焊盘表面的绝缘层；在所述晶圆背面进行电镀，电镀材料填充所述凹槽及其与焊盘连通的孔；对所述晶圆背面进行抛光，抛光至所述绝缘层,使得所述凹槽间不连通；在所述晶圆背面淀积保护层，在位于凹槽上部的所述保护层上开窗，在所述开窗处制备凸点，所述凸点与所述凹槽内的电镀材料连接。2.根据权利要求1所述的晶圆封装方法，其特征在于，所述在所述芯片单元的背面刻蚀出轮廓与线路形貌对应的凹槽的步骤中，所述凹槽的形状根据线路需求设计，所述线路需求根据所述凸点和所述焊盘的位置确定。3.根据权利要求2所述的晶圆封装方法，其特征在于，所述凹槽包括与凸点位置对应的第一圆槽和与所述焊盘对应的第二圆槽，第一圆槽与第二圆槽连通。4.根据权利要求3所述的晶圆封装方法，其特征在于，所述对所述晶圆背面进行抛光的步骤中，对所述晶圆背面进...

【专利技术属性】
技术研发人员：任玉龙，孙鹏，
申请(专利权)人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32