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本发明提供一种晶圆封装方法和结构，在晶圆的背面刻蚀出轮廓与线路形貌对应的凹槽，凹槽位于晶圆的焊盘的上方；在凹槽底部打孔，将凹槽与焊盘连通；在晶圆背部的外表面淀积绝缘层，刻蚀沉积在焊盘表面的绝缘层；在晶圆背面进行电镀，电镀材料填充凹槽及其与焊...
该专利属于华进半导体封装先导技术研发中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华进半导体封装先导技术研发中心有限公司授权不得商用。

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