一种Cu/ZnO光催化剂的制备方法技术
Method for preparing Cu/ZnO photocatalyst
The invention discloses a preparation method of a Cu/ZnO catalyst, zinc and copper powder after mixing atomization in vacuum induction furnace, at 900~1100 DEG C, using inert gas atomization, then adding mineralizer alloy powder after atomization, hydrothermal reaction at 120~220 DEG 8~20h, then washed and dried, i.e. Cu/ZnO photocatalyst powder; this method is simple and general, easy operation, short reaction time and low cost, the preparation process is green, non-toxic and no pollution, finally get the nano columnar body six sides ZnO, ZnO load in copper round, good dispersion, photocatalytic efficiency high.
【技术实现步骤摘要】
一种Cu/ZnO光催化剂的制备方法
本专利技术涉及到一种Cu/ZnO光催化剂的制备方法，属于光催化材料制备领域。技术背景人们在生产生活中排放的废水会含有大量难降解或者有毒的各种污染物，造成了水资源的严重污染。利用半导体光催化材料处理污水在光催化降解过程中能直接利用太阳能，成本很低，适用范围广泛且无二次污染。半导体光催化材料在废水处理领域具有非常显著的优势。目前，最常见的半导体光催化材料包括TiO2、ZnO等。在一定条件下，ZnO的光催化活性明显要强于TiO2，同时其吸收的太阳光谱的范围更宽并且具有更高的光量子效率。这对于ZnO光催化降解污水的实际应用是很有现实意义的。ZnO作为光催化材料的应用前景十分广阔，但它的光催化活性受到两个主要缺陷的限制：(1)氧化锌材料的禁带较宽，通常只能较好的吸收太阳光区中的紫外光区，而对可见光区的吸收很弱，所以光谱吸收范围较窄，对太阳能的利用率不高。(2)ZnO光催化材料受光照刺激后产生的光生载流子容易耦合，降低了光催化活性。目前，ZnO光催化剂制备或改性方法主要有表面沉积贵金属、金属离子掺杂、表面光敏化、复合半导体等。但是表面沉...
【技术保护点】
一种Cu/ZnO光催化剂的制备方法，其特征在于，具体步骤如下：（1）将质量比为1~5.25:1的锌粉与铜粉混匀后倒入真空感应雾化制粉炉的熔炼炉中，温度为900~1100℃，真空感应雾化制粉炉的导流管直径为2.5~5mm，惰性气体压力为3.0~4.3MPa，进行雾化，得到球状的Zn‑Cu合金粉体；（2）向步骤（1）得到的Zn‑Cu合金粉体中加入矿化剂，120~220℃反应8~20h，然后自然冷却至室温；（3）将步骤（2）得到的产物用去离子水和无水乙醇洗涤数次至滤液pH值为7，滤渣在60~80℃干燥8~20h，即得到Cu/ZnO光催化剂粉体。
【技术特征摘要】
1.一种Cu/ZnO光催化剂的制备方法，其特征在于，具体步骤如下：（1）将质量比为1~5.25:1的锌粉与铜粉混匀后倒入真空感应雾化制粉炉的熔炼炉中，温度为900~1100℃，真空感应雾化制粉炉的导流管直径为2.5~5mm，惰性气体压力为3.0~4.3MPa，进行雾化，得到球状的Zn-Cu合金粉体；（2）向步骤（1）得到的Zn-Cu合金粉体中加入矿化剂，120~220℃反应8~20h，然后自然冷却至室温；（3）将步骤（2）得到的产物用去离子水和无水乙醇洗涤数次至滤液pH值为7，滤渣在60~80℃干燥8~20h，即得到Cu/Z...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘见超，王开军，胡劲，段云彪，傅强，张维钧，王玉天，
申请(专利权)人：昆明理工大学，
类型：发明
国别省市：云南,53
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