基于PECVD的增强型石墨烯薄膜镀膜设备及方法技术
【技术实现步骤摘要】
基于PECVD的增强型石墨烯薄膜镀膜设备及方法
本专利技术涉及柔性基材镀膜
，特别涉及一种基于PECVD的增强型石墨烯薄膜镀膜设备及方法。
技术介绍
石墨烯是由单层碳原子构成的平面六角形蜂窝状二维晶体，是构成其它碳材料的基本单元。特殊的二维结构使石墨烯具备优良的机械强度，硬度和抗拉强度极高；并且具有很高的迁移率，理论上可达到200000cm2V-1s-1；也具有良好的导电性、导热性和高透光性。以上石墨烯的优良性能使其在微电子器件、“绿色”储能器件、航空器件等领域有广泛的应用前景。但经研究发现，二维结构的石墨烯容易发生团聚，降低了其比表面积，因此限制了其实际应用。为此，中国科学院化学研究所的刘云圻等人提出利用化学气相沉积的方法在金属泡沫衬底上实现石墨烯的三维结构，将金属泡沫衬底刻蚀后得到的石墨烯泡沫具有优秀的导电能力和巨大的比表面积。目前，化学气相沉积法制备石墨烯薄膜的技术已经比较成熟，可实现低成本、大面积的生产。然而，在实际生产过程中，当进行大面积镀膜时，其镀膜均匀性仍是较为突出的问题，同时，等离子体的密度远远不够，而镀膜均匀性和等离子体的密度直接影响着产品...
【技术保护点】
基于PECVD的增强型石墨烯薄膜镀膜设备，其特征在于，包括多个真空室和基材输送机构，基材输送机构贯穿于多个真空室中；沿泡沫镍基材的输送方向，多个真空室包括依次连接的放卷室、多个镀膜室和收卷室；每个镀膜室中，泡沫镍基材的上下两侧分别设有射频放电板和等离子体磁控增强装置；等离子体磁控增强装置包括磁座体、磁场本体、石墨板块、外圈磁体和中间磁体，磁座体为顶部开口的箱体状结构，磁场本体设于磁座体顶部并覆盖于磁座体的顶部开口处，磁场本体顶面覆盖石墨板块，磁座体内靠近磁座体四周侧壁处设有外圈磁体，磁座体内中部设有中间磁体，外圈磁体的磁场方向与中间磁体的磁场方向相反。
【技术特征摘要】
1.基于PECVD的增强型石墨烯薄膜镀膜设备，其特征在于，包括多个真空室和基材输送机构，基材输送机构贯穿于多个真空室中；沿泡沫镍基材的输送方向，多个真空室包括依次连接的放卷室、多个镀膜室和收卷室；每个镀膜室中，泡沫镍基材的上下两侧分别设有射频放电板和等离子体磁控增强装置；等离子体磁控增强装置包括磁座体、磁场本体、石墨板块、外圈磁体和中间磁体，磁座体为顶部开口的箱体状结构，磁场本体设于磁座体顶部并覆盖于磁座体的顶部开口处，磁场本体顶面覆盖石墨板块，磁座体内靠近磁座体四周侧壁处设有外圈磁体，磁座体内中部设有中间磁体，外圈磁体的磁场方向与中间磁体的磁场方向相反。2.根据权利要求1所述基于PECVD的增强型石墨烯薄膜镀膜设备，其特征在于，所述外圈磁体靠近磁场本体的一端为S极，中间磁体靠近磁场本体的一端为N极。3.根据权利要求1所述基于PECVD的增强型石墨烯薄膜镀膜设备，其特征在于，所述磁座体上设有冷却流道，磁座体底部设有进水接头和出水接头，进水接头和出水接头分别与冷却流道连接。4.根据权利要求1所述基于PECVD的增强型石墨烯薄膜镀膜设备，其特征在于，所述射频放电板包括放电板、放电板座和放电板气室，放电板设于放电板座底部，放电板底座朝向放电板的一面带有凹槽，凹槽处形成放电板气室，放电板气室上设有工作气体接头；放电板上均匀分布有若干扩张孔，各扩张孔与放电板气室连通；各扩张孔呈放射状结构，扩张孔与放电板气室连接端的直径小于扩张孔朝向泡沫镍基材一端的直径。5.根据权利要求4所述基于PECVD的增强型石墨烯薄膜镀膜设备，其特征在于，所述放电板与放电板座的接触面上设有冷却水套，冷水水套的进口端和出口端分别设有冷却水接咀。6.根据权利要求4所述基于PECVD的增强型石墨烯薄膜镀膜设备，其特征在于，所述放电板座的顶部与镀膜室的内壁相接，且放电板座与镀膜室的相接处设有放电板绝缘板；放电板座的四周外侧设有侧护板，且放电板座与侧护板的相接处设有侧绝缘板。7.根据权利要求1所述基于PECVD的增强型石墨烯薄膜镀膜设备，其特征在于，所述基材输送机构包括放卷辊...
【专利技术属性】
技术研发人员：朱建明，
申请(专利权)人：肇庆市科润真空设备有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44
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