成膜方法及等离子体化学气相沉积装置制造方法及图纸

技术编号:16170131 阅读:40 留言:0更新日期:2017-09-08 23:18
本发明专利技术提供一种成膜方法及等离子体化学气相沉积装置。PCVD装置具备以位于反应炉内的部位支承工件并使从高频输出装置输出的微波向工件传播的导波构件。将使通过导波构件向工件传播的微波的强度从“0”开始逐渐加大的过程中该工件的偏置电流跳跃时的从高频输出装置输出的微波的强度设为第一强度,将使微波的强度从第一强度加大的过程中偏置电流再次跳跃时的微波的强度设为第二强度。在成膜时,从高频输出装置输出比第一强度大且比第二强度小的强度的微波。

Film forming method and plasma chemical vapor deposition device

The invention provides a film forming method and a plasma chemical vapor deposition device. The PCVD device has a guided wave member that supports the workpiece in a position within the reaction furnace and spreads the microwave output from the high-frequency output device to the workpiece. Will make the process through the guided wave propagation of the microwave component to the workpiece strength from the \0\ began to gradually increase the bias current of the workpiece when jumping from high frequency microwave output device output intensity is set to first strength, will make the microwave intensity of the microwave intensity increased in the process from the first bias current again when jumping the strength of the strength is set to second. When the film is formed, the microwave output from the high frequency output device is stronger than the first intensity and smaller than the second intensity.

【技术实现步骤摘要】
成膜方法及等离子体化学气相沉积装置
本专利技术涉及在设置于反应炉内的工件上生成类金刚石碳膜的膜方法、及该成膜方法使用的等离子体化学气相沉积装置。
技术介绍
日本特开2004-47207记载了等离子体化学气相沉积装置(以下,也称为“PCVD装置”)的一例。该PCVD装置具备:被供给工艺气体的反应炉;用于供给微波的导波管;对设置于反应炉的侧壁的开口进行闭塞的电介质窗。在反应炉内,电介质窗支承工件,在反应炉外,导波管的前端与电介质窗抵接。并且,从导波管向电介质窗的表面传播微波,由此,在反应炉内的电介质窗的附近,工艺气体发生等离子化而分解。然后,这样分解的工艺气体附着于工件,由此在工件上生成基于该气体的膜。需要说明的是,向工件的类金刚石碳膜(以下,也称为“DLC膜”)的生成能够通过将乙炔等碳氢化合物气体作为工艺气体向反应炉内供给并且该碳氢化合物气体发生等离子化而分解,从而实现。然而,DLC膜例如有时在设置于内燃机的燃料供给系统的高压燃料泵的柱塞等那样同时要求硬度的提高及摩擦系数的降低的构件上生成。尤其是对于在该柱塞上生成的DLC膜,希望实现更高的维度下的硬度的提高及摩擦系数的降低这两者。专利本文档来自技高网...
成膜方法及等离子体化学气相沉积装置

【技术保护点】
一种成膜方法,使用等离子体化学气相沉积装置,使供给到该等离子体化学气相沉积装置的反应炉内的碳氢化合物气体发生等离子化而分解,从而在设置于该反应炉内的工件上生成类金刚石碳膜,其特征在于,从高频输出装置输出强度比第一强度大且比第二强度小的微波,所述等离子体化学气相沉积装置是具备输出微波的所述高频输出装置和导波构件的装置,所述导波构件从所述反应炉外延伸至该反应炉内,以位于该反应炉内的部位对工件进行支承,并且使从所述高频输出装置输出的微波向该工件传播,将使通过所述导波构件向工件传播的微波的强度从“0”开始逐渐加大的过程中该工件的偏置电流跳跃时的从所述高频输出装置输出的微波的强度设为所述第一强度,将使该...

【技术特征摘要】
2016.03.01 JP 2016-0388731.一种成膜方法,使用等离子体化学气相沉积装置,使供给到该等离子体化学气相沉积装置的反应炉内的碳氢化合物气体发生等离子化而分解,从而在设置于该反应炉内的工件上生成类金刚石碳膜,其特征在于,从高频输出装置输出强度比第一强度大且比第二强度小的微波,所述等离子体化学气相沉积装置是具备输出微波的所述高频输出装置和导波构件的装置,所述导波构件从所述反应炉外延伸至该反应炉内,以位于该反应炉内的部位对工件进行支承,并且使从所述高频输出装置输出的微波向该工件传播,将使通过所述导波构件向工件传播的微波的强度从“0”开始逐渐加大的过程中该工件的偏置电流跳跃时的从所述高频输出装置输出的微波的强度设为所述第一强度,将使该微波的强度从该第一强度逐渐加大的过程中该工件的偏置电流再次跳跃时的微波的强度设为所述第二强度。2.根据权利要求1所述的成膜方法,其特征在于,在向设置在所述反应炉内的工件传播微波来在该工件上生成类金刚石碳膜时,对该工件供给直流电流来使该工件带有负的电荷。3.根据权利要求2所述的成膜方法,其特征在于,所述等离子体化学气相沉积装置的导波构件具...

【专利技术属性】
技术研发人员:橘和孝佐藤贵康佐藤羊治中田博道真锅和干冈村诚士山本出
申请(专利权)人:丰田自动车株式会社
类型:发明
国别省市:日本,JP

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