改性胶体二氧化硅及其制造方法、以及使用其的研磨剂技术

提供一种改性胶体二氧化硅及其制造方法，所述改性胶体二氧化硅在用于研磨如SiN晶圆那样包含带电的改性胶体二氧化硅容易附着的材料的研磨对象物的研磨用组合物中作为磨粒使用时，能够提高研磨速率的经时稳定性。一种改性胶体二氧化硅，其是微小颗粒的个数分布比率为10％以下的原料胶体二氧化硅经改性而成的，所述微小颗粒具有基于由使用扫描型电子显微镜的图像解析得到的Heywood径(圆当量直径)的体积平均粒径的40％以下的粒径。

Modified colloidal silica, process for producing the same, and abrasive agent using the same

A modified colloidal silica and its manufacturing method, the modified colloidal silica in grinding for grinding such as SiN wafer that contains a modified colloidal silica charged easily attached material for polishing object composition as abrasive used, can improve the stability of the grinding rate. A modified colloidal silica, which is the number of small particles of colloidal silica as raw material distribution ratio below 10% after modification and the microscopic particles is obtained by using a scanning electron microscope image analysis of Heywood diameter (equivalent circle diameter) based on the volume average particle size below 40% particle size.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】改性胶体二氧化硅及其制造方法、以及使用其的研磨剂
本专利技术涉及改性胶体二氧化硅及其制造方法、以及使用其的研磨剂。
技术介绍
在半导体设备制造工艺中，随着半导体设备的性能的提高，需要以更高密度且高集成地制造布线的技术。在这样的半导体设备的制造工艺中，CMP(ChemicalMechanicalPolishing：化学机械研磨)成为必需的工艺。随着半导体电路的微细化的发展，图案晶圆的凹凸所要求的平坦性高，也谋求通过CMP而实现纳米级的高平滑性。为了通过CMP实现高的平滑性，优选以高的研磨速度对图案晶圆的凸部进行研磨，而另一方面基本不研磨凹部。在此，例如使用由氮化硅膜(SiN膜)形成的图案晶圆时，由于氮化硅膜通常具有凹凸，因此，在对这样的材料进行研磨时，不仅凸部被磨削而且凹部也一起被磨削，从而难以充分消除凹凸。进而，半导体晶圆由形成电路的多晶硅、作为绝缘材料的氧化硅、用于保护不属于沟槽或通孔的一部分的二氧化硅表面在蚀刻中免受损伤的氮化硅这样的不同种材料构成。因此，多晶硅、氧化硅等比较柔软且容易与研磨剂反应的材料会发生与其周围的氮化硅等相比被过度磨削的凹陷(dishing)这样的现象，高度本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种改性胶体二氧化硅，其是微小颗粒的个数分布比率为10％以下的原料胶体二氧化硅经改性而成的，所述微小颗粒具有基于由使用扫描型电子显微镜的图像解析得到的Heywood径即圆当量直径的体积平均粒径的40％以下的粒径。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.01.19 JP 2015-0080491.一种改性胶体二氧化硅，其是微小颗粒的个数分布比率为10％以下的原料胶体二氧化硅经改性而成的，所述微小颗粒具有基于由使用扫描型电子显微镜的图像解析得到的Heywood径即圆当量直径的体积平均粒径的40％以下的粒径。2.根据权利要求1所述的改性胶体二氧化硅，其是经阴离子改性而成的。3.根据权利要求2所述的改性胶体二氧化硅，其是通过磺酸基改性而成的。4.一种改性胶体二氧化硅的制造方法，其包括如下工序：有机溶剂蒸馏去除工序，在pH7以上的条件下将与胶体二氧化硅共存的有机溶剂蒸馏去除，以使有机溶剂浓度为1质量％以上的胶体二氧化硅中的残留有机溶剂浓度低于1质量％，从而得到原料胶体二氧化硅；改性工序，对所述原料胶体二氧化硅进行改性，得到改性胶体二氧化硅。5.根据权利要求4所述的改性胶体二氧化硅的制造方法，其中，前述改性工序包括如下工序：第1反应工序，在具有能够化学转化成磺酸基的官能团的硅烷偶联剂的存在下，对所述原料胶体二氧化硅进行加热而得到反应物；第2反应工序，通过处理所述反应物而将所述官能团转化为磺酸基。6.根据权利要求5所述的改性胶体二氧化硅的制造方法，其中，所述官能团为巯基。7.根据权利要求5或6所述的改性胶体二氧化硅的制造方法，其中，所述处理为使用了氧化剂的氧化处理。8.根据权利要求7所述的改性胶体二氧化硅的制造方法，其中，所述氧化处理中的所述氧化剂的添加量相...

【专利技术属性】
技术研发人员：芦高圭史，坪田翔吾，
申请(专利权)人：福吉米株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP