用于基于N沟道的线性调节器的偏置电压发生器制造技术

技术编号:16302427 阅读:36 留言:0更新日期:2017-09-26 20:37
本公开涉及用于基于N沟道的线性调节器的偏置电压发生器。提供了用于支持电源的偏置电源电路的装置和方法,包括与基于n沟道的线性调节器级联的开关模式电压转换器。在一个示例中,级联电源系统可以包括开关模式DC‑DC功率转换器,其包括输入电压节点;第一级输出电压节点;自举浮动偏置电压节点;以及线性调节器电路。线性调节器电路可以包括n沟道场效应晶体管(NFET)传输晶体管,其包括耦合到第一级输出电压节点的漏极端子,被配置为提供第二级输出电压的源极端子,以及栅极驱动器电路,包括耦合到NFET传输晶体管的栅极端子的驱动器输出和被配置为接收从自举浮动偏置电压节点产生的偏置电压的高侧电源节点。

Bias voltage generator for linear regulator based on N channel

The present disclosure relates to a bias voltage generator for a linear regulator based on an N channel. An apparatus and method for supporting a bias power circuit for a power supply includes a switch mode voltage converter cascaded with a linear regulator based on an n channel. In one example, the cascade power supply system can include a switch mode DC DC power converter, including the input voltage node; the first node output voltage; Bootstrap bias voltage floating node; and a linear regulator circuit. The linear regulator circuit includes a n n-channel field effect transistor (NFET) transmission transistor includes a drain terminal coupled to the first output voltage node, is configured to provide second level output voltage source terminal, and a gate driver circuit, including coupled to the gate terminal of the NFET transmission transistor drive output and configured to receive from the high side power node bias voltage bootstrap bias voltage generated by the floating node.

【技术实现步骤摘要】
用于基于N沟道的线性调节器的偏置电压发生器
技术介绍
电子系统可以包括依赖于稳压电源的部件。功率转换器电路可以用于提供具有调节电压的电路电源轨。线性稳压器(有时称为LDO)采用一种为电子系统提供稳压电压的方法。线性稳压器可以提供高电源抑制比(PSRR)和低输出噪声性能,并且被广泛用于对噪声敏感的电源线供电,例如但不限于用于模数转换器(ADC)的电源线,数模转换器(DAC)和射频(RF)电路(例如ADC,DAC,RF等)。DC-DC开关模式电压转换器也可以用于提供经调节的DC电压。DC-DC开关模式电压转换器通常可以提供比LDO更好的效率。为了捕获这两个系统的优点,一些流行的模拟信号链系统功率设计将DC-DC开关模式电压转换器与LDO组合。随着信号链系统不断发展,更复杂的系统已经被打包成更小的解决方案尺寸。此外,集成电路核心电源电压已经向下移动,以便在演进的低几何工艺中节省功率消耗。然而,使用传统的P沟道线性稳压器变得更加困难,因为较低的输入电压不提供足够的栅极导通电压。
技术实现思路
本该概述旨在提供本专利申请的主题的概述。其并不旨在提供本主题的排他性或穷尽性解释。包括详细描述以提供关于本专利本文档来自技高网...
用于基于N沟道的线性调节器的偏置电压发生器

【技术保护点】
一种级联电源系统,包括:开关模式DC‑DC功率转换器,包括输入电压节点,第一级输出电压节点和自举浮动偏置电压节点;和线性调节器电路,包括:n沟道场效应晶体管(NFET)传输晶体管,其包括耦合到所述第一级输出电压节点的漏极端子,栅极端子和被配置为提供第二级输出电压的源极端子;和栅极驱动器电路,包括耦合到NFET传输晶体管的栅极端子的驱动器输出,以及高侧电源节点,其被配置为接收从自举浮动偏置电压节点产生的偏置电压。

【技术特征摘要】
2016.03.16 US 15/072,0591.一种级联电源系统,包括:开关模式DC-DC功率转换器,包括输入电压节点,第一级输出电压节点和自举浮动偏置电压节点;和线性调节器电路,包括:n沟道场效应晶体管(NFET)传输晶体管,其包括耦合到所述第一级输出电压节点的漏极端子,栅极端子和被配置为提供第二级输出电压的源极端子;和栅极驱动器电路,包括耦合到NFET传输晶体管的栅极端子的驱动器输出,以及高侧电源节点,其被配置为接收从自举浮动偏置电压节点产生的偏置电压。2.根据权利要求1所述的系统,包括:整流电路,位于所述自举浮动偏置电压节点和所述高侧电源节点之间。3.根据权利要求2所述的系统,其中,所述整流电路被配置为将所述偏置电压参考到所述栅极驱动器电路的低侧电源节点。4.根据权利要求2所述的系统,其中,所述整流电路包括被配置为提供所述偏置电压的输出线性调节器。5.根据权利要求2所述的系统,其中,所述整流电路包括:耦合到所述自举浮动偏置电压节点的二极管;和与二极管串联耦合到地的电容器。6.一种偏置发生器,被配置为为基于n沟道的线性调节器提供偏置电压,所述偏置发生器包括:自举电路,被配置为接收输入电压(VIN)并且为基于n沟道的线性调节器提供电源电压(VDD);以及耦合到所述自举电路的中间节点的偏置电压电路,所述偏置电压电路被配置为向所述NMOS线性调节器的栅极驱动器提供所述偏置电压(Vbias)。7.根据权利要求6所述的偏置发生器,其中所述偏置电压电路包括:耦合到所述中间节点的二极管;和与二极管串联耦合到地的电容器。8.根据权利要求7所述的偏置发生器,其中所述偏置电压电路包括输出线性调节器,所述输出线性调节器具有耦合到所述二极管和所述电容器的输入端,并且被配置为提供所述偏置电压。9.根据权利要求6所述的偏置发生器,其中所述自...

【专利技术属性】
技术研发人员:赵军B·戴
申请(专利权)人:美国亚德诺半导体公司
类型:发明
国别省市:美国,US

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