一种互补半桥电路制造技术

一种互补半桥电路，包括高位开关SH，低位开关SL，第一二极管D1，第二二极管D2，第一电阻R1，第一电容C1，线圈L1，其连接方式是，当所述的高位开关SH和低位开关SL是MOSFET时，高位开关SH的栅极和源极分别连接第一二极管D1的阴极和阳极，高位开关SH的栅极和漏极分别连接第二二极管D2的阳极和阴极；所述的低位开关SL的漏极与第一二极管D1的阴极串联，第一二极管D1的阳极与高位开关SH的源极串联；第一电阻R1并联于第一二极管D1的阴极和阳极，形成RD并联电路；所述的第一电容C1与线圈L1串联，形成LC串联电路，该LC串联电路一端连接高位开关SH的源极，另一端或者连接高位开关SH的漏极，或者连接低位开关SL的源极。本发明专利技术提出的一种互补半桥电路解决了传统半桥电路中高位开关SH的驱动问题，其利用所述的RD并联电路两端电压来控制高位开关SH的开通和关断，以完成高位驱动，本发明专利技术公开的一种半桥互补电路省去了用于产生PWM2的IC和外围元器件，由此降低了成本，提高了可靠性。

Complementary half bridge circuit

A complementary half bridge circuit, including high and low level switch switch SH, SL, D1 second D2 the first diode, diode, a first resistor R1, a first capacitor C1, L1 coil, the connection is high, low switch SH and switch SL when the switch is MOSFET, high SH gate and source are connected the first diode D1 anode and cathode, gate and drain switch SH high anode and cathode are respectively connected with second diodes D2; lower the switch SL the drain and the cathode of the first diode D1 series, anode and high switch SH the first diode D1 the source series; the first resistor R1 parallel to the first diode D1 of the cathode and the anode, the formation of RD parallel circuit; a first capacitor C1 and the coil L1 series, LC series circuit, the LC circuit is connected with one end of the high switch SH source, the other end or even Connect the drain of the high position switch SH, or connect the source of the low level switch SL. A complementary half bridge circuit to solve the problem of driving high switch SH traditional half bridge circuit in the present invention, the opening of the RD parallel circuit to control the high voltage switch and turn off the SH, to complete the high drive, a half bridge circuit eliminates the need for complementary PWM2 IC and external components the present invention discloses, thereby reducing the cost, improve the reliability of the.

【技术实现步骤摘要】
一种互补半桥电路
本专利技术涉及电力电子领域，尤其涉及含有半桥电路的变换器。
技术介绍
目前，半桥电路的高位开关SH必须使用浮动的驱动技术来控制其导通和关断，包含浮动驱动技术的IC复杂昂贵，且辅助器件数目较多，易受干扰，可靠性难以提高；图1为传统带半桥电路结构图，图1中PWM1为低位开关SL的驱动信号，PWM2是由浮动驱动技术IC产生的驱动信号，用于驱动高位开关SH。
技术实现思路
本专利技术的目的在于通过一种互补半桥电路，来解决以上
技术介绍
部分提到的问题。为达此目的，本专利技术采用以下技术方案。一种互补半桥电路，包括高位开关SH，低位开关SL，第一二极管D1，第二二极管D2，第三二极管D3，第一电阻R1，第一电容C1，线圈L1。当所述的高位开关SH和低位开关SL是三极管时，其连接方式为，高位开关SH的基极和发射极分别连接第一二极管D1的阴极和阳极，高位开关SH的基极和集电极分别连接第二二极管D2的阳极和阴极，高位开关SH的集电极和发射极分别并联在第三二极管D3的阴极和阳极；所述的低位开关SL的集电极与第一二极管D1的阴极串联，第一二极管D1的阳极与高位开关SH的发射极串联，第一电阻R1本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种互补半桥电路，包括高位开关SH，低位开关SL，第一二极管D1，第二二极管D2，第三二极管D3，第一电阻R1，第一电容C1，线圈L1，其特征是，当所述的高位开关SH和低位开关SL是三极管时，高位开关SH的基极和发射极分别连接第一二极管D1的阴极和阳极，高位开关SH的基极和集电极分别连接第二二极管D2的阳极和阴极；高位开关SH的集电极和发射极分别并联在第三二极管D3的阴极和阳极；所述的低位开关SL的集电极与第一二极管D1的阴极串联，第一二极管D1的阳极与高位开关SH的发射极串联，第一电阻R1并联于第一二极管D1的阴极和阳极，形成RD并联电路；所述的第一电容C1与线圈L1串联，形成LC串联电路，...

【技术特征摘要】
1.一种互补半桥电路，包括高位开关SH，低位开关SL，第一二极管D1，第二二极管D2，第三二极管D3，第一电阻R1，第一电容C1，线圈L1，其特征是，当所述的高位开关SH和低位开关SL是三极管时，高位开关SH的基极和发射极分别连接第一二极管D1的阴极和阳极，高位开关SH的基极和集电极分别连接第二二极管D2的阳极和阴极；高位开关SH的集电极和发射极分别并联在第三二极管D3的阴极和阳极；所述的低位开关SL的集电极与第一二极管D1的阴极串联，第一二极管D1的阳极与高位开关SH的发射极串联，第一电阻R1并联于第一二极管D1的阴极和阳极，形成RD并联电路；所述的第一电容C1与线圈L1串联，形成LC串联电路，该LC串联电路一端连接高位开关SH的发射极，另一端或者连接高位开关SH的集电极，或者连接低位开关SL的发射极。2.根据权利要求1所述的一种互补半桥电路，包括高位开关SH，低位开关SL，第一二极管D1，第二二极管D2，第一电阻R1，第一电容C1，线圈L1，其特征是，当所述的高位开关SH和低位开关SL是MOSFET时，高位开关SH的栅极和源极分别连接第一二极管D1的阴极和阳极，高位开关SH的栅极和漏极分别连接第二二极管D2的阳极和阴极；所述的低位开关SL的漏极与第一二极管D1的阴极串联，第一二极管D1的阳极与高位开关SH的源极...

【专利技术属性】
技术研发人员：马丽娟，
申请(专利权)人：马丽娟，
类型：发明
国别省市：北京,11