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一种互补半桥电路制造技术
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文档序号:16281502
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一种互补半桥电路,包括高位开关SH,低位开关SL,第一二极管D1,第二二极管D2,第一电阻R1,第一电容C1,线圈L1,其连接方式是,当所述的高位开关SH和低位开关SL是MOSFET时,高位开关SH的栅极和源极分别连接第一二极管D1的阴极和...
该专利属于马丽娟所有,仅供学习研究参考,未经过马丽娟授权不得商用。
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