当前位置: 首页 > 专利查询>马丽娟 > 一种互补半桥电路制造技术 >技术资料下载
下载一种互补半桥电路的技术资料

文档序号:16281502

温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。

一种互补半桥电路,包括高位开关SH,低位开关SL,第一二极管D1,第二二极管D2,第一电阻R1,第一电容C1,线圈L1,其连接方式是,当所述的高位开关SH和低位开关SL是MOSFET时,高位开关SH的栅极和源极分别连接第一二极管D1的阴极和...
该专利属于马丽娟所有,仅供学习研究参考,未经过马丽娟授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。