【技术实现步骤摘要】
—种芯片内部偏置电压校正电路
本专利技术主要涉及到芯片内部偏置电压电路的设计领域，特指一种芯片内部偏置电压校正电路。
技术介绍
在现在的模拟CMOS集成电路设计中，很多电路都需要一个PVT (工艺、电压、温度) 特性良好的偏置电压，如高精度模数转换器(ADC)、数模转换器(DAC)、低压降线性稳压器 (LDO)、开关电源电路等，为了达到最好的性能，通常情况都会选择带隙基准电压，因为其具有优良的PVT特性，但是在很多情况，比如在一个大的电路系统中，会需要多个参考电压， 且有可能每个参考电压的值还不一样，并且要求这些参考电压具有与带隙基准电压可比拟的PVT特性，这种情况下，我们不能指望设计多个带隙基准电路来解决，因为面积增大从而导致的成本增加是难以接受的，即使面积可以接受，需要不同的电压值也是一个问题，若通过基准电压分压来获取不同的参考电压，分压所得的参考电压的PVT特性会比原始的基准电压的PVT特性差很多，所以如何解决这个问题，也是系统电路设计的一个难点。
技术实现思路
本专利技术要解决的问题就在于针对现有技术存在的问题，提出一种芯片内部偏置电压校正电路。本电路利用带隙基准电压对PVT(工艺、电压、温度)不敏感的特性，用内部偏置电压和带隙基准电压进行比较，然后经过判断逻辑判断内部偏置电压是否达到预设的电压值，然后根据判断结果控制可变电流，调节芯片内部的偏置电压，直到芯片内部偏置电压与带隙基准电压 的关系满足预先设计的条件，校正完成，从而使得芯片内部偏置电压与带隙基准电压具有可比拟的PVT特性，即可以实现利用一个带隙基准电压得到多个PVT特性与带隙基准可比拟的、且...
【技术保护点】
一种芯片内部偏置电压校正电路，其特征在于：一个可调基准电流Ib经过电阻R0，产生内部偏置电压Vref，Vref即待校正的偏置电压，连接到运放AMP正输入端；电阻R0一端接电流源Ib和运放AMP正输入端，另一端接地；电阻R1一端接运放AMP负输入端和电阻R2，另一端接地，电阻R2另一端接运放AMP的输出和比较器CMP的负输入端；Vbg是输入带隙基准电压，连接到比较器CMP的正输入端，比较器CMP的输出连接到判断逻辑的IN输入端，判断逻辑根据判断结果输出n位控制信号控制可变电流Ib，使Vref与Vbg的关系满足预设的条件。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：蒋仁杰，
申请(专利权)人：长沙景嘉微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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