隔离结构的形成方法和半导体结构的形成方法技术

一种隔离结构的形成方法和半导体结构的形成方法，隔离结构的形成方法包括：提供衬底，包括用于形成核心存储电路的第一区域和用于形成外围电路的第二区域；在衬底上形成栅极结构层；在栅极结构层上形成硬掩膜；分别在第一区域和第二区域的栅极结构层内形成第一开口和第二开口，第二开口大于第一开口；形成覆盖第一开口侧壁的保护层；沿第二开口刻蚀衬底，在衬底内形成第二沟槽，然后沿第一开口刻蚀衬底，在衬底内形成第一沟槽；在第一沟槽内形成第一隔离结构，且在第二沟槽内形成第二隔离结构。通过形成覆盖第一开口侧壁的保护层，减少形成第二沟槽的工艺对第一区域的硬掩膜的损耗，从而减小对第一沟槽尺寸的影响，进而优化快闪存储器的电学性能。

Method for forming isolation structure and method for forming semiconductor structure

A method of forming an isolation structure and semiconductor structure forming method, method of forming isolation structure comprises: providing a substrate, includes a first region formed the core storage circuit and the second area for peripheral circuit is formed; forming a gate structure layer on a substrate; forming a hard mask layer on the gate structure are formed on the gate; the structure layer of the first and second regions in the first opening and the second opening, the second opening is larger than the first opening; the formation of protective layer covering the side wall of the first opening; the second opening along the etched substrate, forming a trench in a substrate second, and then along the first opening of etching a substrate, forming a first trench in a substrate; forming a first isolation structure in the first in the groove, and the formation of second isolation structure in the second slot. By forming a protective layer covering the side wall of the first opening, reduce the loss of hard mask process second trenches formed on the first region, thereby reducing the impact of the first groove size, electrical properties and optimization of flash memory.

【技术实现步骤摘要】
隔离结构的形成方法和半导体结构的形成方法
本专利技术涉及半导体领域，尤其涉及一种隔离结构的形成方法和半导体结构的形成方法。
技术介绍
目前，快闪存储器(Flash)，又称为闪存，已经成为非挥发性存储器的主流。根据结构不同，闪存可分为或非闪存(NorFlash)和与非闪存(NANDFlash)两种。闪存的主要特点是在不加电的情况下能长期保持存储的信息，且具有集成度高、存取速度快、易于擦除和重写等优点，因而在微机、自动化控制等多项领域得到了广泛的应用。现有的快闪存储器包括位于衬底上的核心存储电路(CellCircuit)和位于核心存储电路周围的外围电路(PeripheralCircuit)。所述核心存储电路包括一些具有较小特征尺寸的晶体管，而外围电路主要包括具有一些较大特征尺寸的晶体管。但是，现有技术的快闪存储器的电学性能有待提高。
技术实现思路
本专利技术解决的问题是提供一种隔离结构的形成方法和半导体结构的形成方法，优化快闪存储器的电学性能。为解决上述问题，本专利技术提供一种隔离结构的形成方法。包括如下步骤：提供衬底，包括用于形成核心存储电路的第一区域和用于形成外围电路的第二区域；在所述衬本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种隔离结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，包括用于形成核心存储电路的第一区域和用于形成外围电路的第二区域；在所述衬底上形成栅极结构层；在所述栅极结构层上形成硬掩膜；以所述硬掩膜为掩模刻蚀所述栅极结构层，在所述第一区域的栅极结构层内形成第一开口，在所述第二区域的栅极结构层内形成第二开口，所述第二开口大于所述第一开口；形成覆盖所述第一开口侧壁的保护层；形成所述保护层后，沿所述第二开口刻蚀所述衬底，在所述衬底内形成第二沟槽；形成所述第二沟槽后，沿所述第一开口刻蚀所述衬底，在所述衬底内形成第一沟槽；在所述第一沟槽内形成将所述第一区域隔离成多个有源区的第一隔离结构，且在所述第二沟槽内形成第二隔...

【技术特征摘要】
1.一种隔离结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，包括用于形成核心存储电路的第一区域和用于形成外围电路的第二区域；在所述衬底上形成栅极结构层；在所述栅极结构层上形成硬掩膜；以所述硬掩膜为掩模刻蚀所述栅极结构层，在所述第一区域的栅极结构层内形成第一开口，在所述第二区域的栅极结构层内形成第二开口，所述第二开口大于所述第一开口；形成覆盖所述第一开口侧壁的保护层；形成所述保护层后，沿所述第二开口刻蚀所述衬底，在所述衬底内形成第二沟槽；形成所述第二沟槽后，沿所述第一开口刻蚀所述衬底，在所述衬底内形成第一沟槽；在所述第一沟槽内形成将所述第一区域隔离成多个有源区的第一隔离结构，且在所述第二沟槽内形成第二隔离结构。2.如权利要求1所述的隔离结构的形成方法，其特征在于，所述栅极结构层包括位于所述衬底表面的栅氧化层，以及位于所述栅氧化层表面的浮置栅层；形成第一开口和第二开口的步骤包括：以所述硬掩膜为掩模刻蚀所述浮置栅层，形成露出所述栅氧化层的第一开口和第二开口。3.如权利要求2所述的隔离结构的形成方法，其特征在于，所述浮置栅层的材料为多晶硅。4.如权利要求1所述的隔离结构的形成方法，其特征在于，所述硬掩膜为叠层结构。5.如权利要求1所述的隔离结构的形成方法，其特征在于，所述硬掩膜包括氮化硅层和位于所述氮化硅层表面的氧化硅层。6.如权利要求1所述的隔离结构的形成方法，其特征在于，在同一道工艺步骤中，形成所述第一开口和第二开口。7.如权利要求6所述的隔离结构的形成方法，其特征在于，形成所述第一开口和第二开口的步骤包括：在所述硬掩膜表面形成第一图形层，所述第一图形层内具有第一开口图形和第二开口图形；以所述第一图形层为掩膜，沿所述第一开口图形和第二开口图形，依次刻蚀所述硬掩膜和栅极结构层，在所述第一区域的栅极结构层内形成第一开口，在所述第二区域的栅极结构层内形成第二开口；去除所述第一图形层。8.如权利要求1所述的隔离结构的形成方法，其特征在于，形成保护层的步骤中，所述保护层还覆盖所述硬掩膜表面、第一开口底部、第二开口底部和侧壁。9.如权利要求1所述的隔离结构的形成方法，其特征在于，所述保护层的材料为氮化硅。10.如权利要求1所述的隔离结构的形成方法，其特征在于，所述保护层的厚度为至11.如权...

【专利技术属性】
技术研发人员：张翼英，洪中山，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31