一种半导体器件及其制作方法、电子装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种半导体器件的制作方法、半导体器件及电子装置，该制作方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有隧穿介电层、浮栅和栅极介电层；在所述栅极介电层上形成多晶硅盖层；在所述多晶硅盖层和所述栅极介电层中形成沟槽；对所述多晶硅盖层的表面和所述沟槽底部露出的浮栅的表面进行处理，以使所述多晶硅盖层和所述沟槽底部露出的浮栅的表面的氧化物转变为氟化物；去除所述多晶硅盖层和所述沟槽底部的浮栅的表面的氟化物；形成覆盖所述多晶硅盖层以及所述沟槽的控制栅。该方法可以避免在多晶硅盖层和控制之间形成界面层，防止快速存储器器件的高压区域由于界面层而导致擦除状态失败。该半导体器件和电子装置具有较高的稳定性。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件及其制作方法、电子装置
本专利技术涉及半导体
，具体而言涉及一种半导体器件及其制作方法、电子装置。
技术介绍
随着半导体制程技术的发展，在存储装置方面已开发出存取速度较快的快闪存储器(flashmemory)。快闪存储器具有可多次进行信息的存入、读取和擦除等动作，且存入的信息在断电后也不会消失的特性，因此，快闪存储器已成为个人电脑和电子设备所广泛采用的一种非易失性存储器。而NAND(与非门)快速存储器由于具有大存储容量和相对高的性能，广泛用于读/写要求较高的领域。近来，NAND快速存储器芯片的容量已经达到2GB，并且尺寸迅速增加。已经开发出基于NAND快闪存储器芯片的固态硬盘，并在便携计算机中用作存储设备。因此，近年来，NAND快速存储器广泛用作嵌入式系统中的存储设备，也用作个人计算机系统中的存储设备。一般而言，NAND快闪存储器包括存储单元区(cell)、高压区域、低压区域，而对于高压区域，在栅极介电层和控制栅之间形成有多晶硅盖层，以作为后续刻蚀栅极介电层时的，但是由于多晶硅盖层和控制栅之间容易形成界面层，如图1中100所示，比如二氧化硅，这对于NAND快速存储本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括下述步骤：S1：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有隧穿介电层、浮栅和栅极介电层；S2：在所述栅极介电层上形成多晶硅盖层；S3：在所述多晶硅盖层和所述栅极介电层中形成沟槽；S4：对所述多晶硅盖层的表面和所述沟槽底部露出的浮栅的表面进行处理，以使所述多晶硅盖层和所述沟槽底部露出的浮栅的表面的氧化物转变为氟化物；S5：去除所述多晶硅盖层和所述沟槽底部的浮栅的表面的氟化物；S6：形成覆盖所述多晶硅盖层以及所述沟槽的控制栅。

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括下述步骤：S1：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有隧穿介电层、浮栅和栅极介电层；S2：在所述栅极介电层上形成多晶硅盖层；S3：在所述多晶硅盖层和所述栅极介电层中形成沟槽；S4：对所述多晶硅盖层的表面和所述沟槽底部露出的浮栅的表面进行处理，以使所述多晶硅盖层和所述沟槽底部露出的浮栅的表面的氧化物转变为氟化物；S5：去除所述多晶硅盖层和所述沟槽底部的浮栅的表面的氟化物；S6：形成覆盖所述多晶硅盖层以及所述沟槽的控制栅。2.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，在所述步骤S4中，使用氟化铵对所述多晶硅盖层和所述沟槽底部露出的浮栅表面进行处理，以使所述多晶硅盖层和所述沟槽底部浮栅的表面的氧化物转变为氟化物。3.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：林静，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31