本发明专利技术提供一种半导体器件的制作方法，其包括下述步骤：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成二氧化硅层；向所述二氧化硅层注入氮原子以形成氮氧化硅薄膜；在所述氮氧化硅薄膜上形成盖帽层；在所述盖帽层上涂覆光刻胶并曝光，以得到图形化的光刻胶层；以图形化的光刻胶层为掩膜，依次去除曝光的盖帽层、氮氧化硅薄膜和二氧化硅层；去除所述氮氧化硅薄膜上方图形化的光刻胶层；去除所述氮氧化硅薄膜上方的盖帽层，得到图形化的界面氧化层。本发明专利技术提供的半导体器件制作方法，由于设置有盖帽层在去除光刻胶时可以完全去除而不会有光刻胶残余，这样最终形成高质量的、没有光刻胶残余的界面氧化层。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体
，具体而言涉及一种半导体器件制作方法、半导体器件及电子装置。
技术介绍
随着半导体技术的发展，集成电路尤其是超大规模集成电路中的晶体管的几何尺寸一直在不断缩小，器件关键尺寸已缩小到0.1μm的特征尺寸以下，尤其是28nm及以下技术节点可形成更小的晶体管，这些更小的晶体管需要高电容栅极电介质来控制短沟道效应。为了提高栅电容控制短沟道效应，一种方法是通过减小栅极氧化物的厚度来实现，但是减小栅极氧化物的厚度会增加栅极漏电流，当栅极氧化物厚度减小至3.0nm以下时，如果使用二氧化硅或氮氧化硅作为栅极电介质材料，则栅极漏电流会让晶体管无法正常工作。为此，现有技术已提出的解决方案是采用高介电常数的材料取代二氧化硅从而允许沉积较厚的电介质来减小泄漏电流而不损害电性厚度。但引入高K材料后遇到的挑战是如何保持晶体管的高驱动电流。因为在高K栅堆叠中观察到严重的载流子迁移率下降问题，这归因于包括铪基薄膜在内的高K材料内部固有的声子模式引起的散射，为了消除这个问题，必须在硅和高K材料之间形成薄的氧化物界面层。由于氮化硅K值比二氧化硅高，为了进一步增加等效栅极氧化物厚度(EOT)，使用了掺杂氮的界面氧化物。但是在氧化物中掺杂氮一个问题是如何在晶圆上形成不同厚度的氮氧化硅(SiON)薄膜而不损害SiON层。另一个问题是当在SiON上涂覆光刻胶(PR)时，界面处的高浓度氮会导致光刻胶层污染，并且光刻胶去除后光刻胶残
余仍会保留。因此，有必要提出一种新的制作方法，以解决上述存在的问题。
技术实现思路
在
技术实现思路
部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本专利技术的
技术实现思路
部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。为了克服目前存在的问题，本专利技术一方面提供一种半导体器件的制作方法，其包括下述步骤：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成二氧化硅层；向所述二氧化硅层注入氮原子以形成氮氧化硅薄膜；在所述氮氧化硅薄膜上形成盖帽层；在所述盖帽层上涂覆光刻胶并曝光，以得到图形化的光刻胶层；以图形化的光刻胶层为掩膜，依次去除曝光的盖帽层、氮氧化硅薄膜和二氧化硅层；去除所述氮氧化硅薄膜上方图形化的光刻胶层；去除所述氮氧化硅薄膜上方的盖帽层，得到图形化的界面氧化层。本专利技术提供的半导体器件制作方法，在形成高K栅介质和半导体之间的界面氧化层时，再形成界面氧化层后先在该氧化层上形成盖帽层，然后再进行光刻等步骤，并且由于设置有盖帽层在去除光刻胶时可以完全去除而不会有光刻胶残余，这样最终形成的界面氧化层上没有光刻胶残余。本专利技术另一方面提供一种半导体器件，其包括半导体衬底，位于所述半导体衬底上二氧化硅界面氧化层，以及位于所述二氧化硅界面氧化层表层的氮氧化硅薄膜，其中所述二氧化硅界面氧化层和氮氧化硅薄膜通过本专利技术的上述制作方法形成。本专利技术提出的半导体器件，其界面氧化层表面没有光刻胶污染，具有良好的薄膜质量。本专利技术再一方面提供一种电子装置，其包括本专利技术提供的上述半导体器件。本专利技术提出的电子装置，由于具有上述半导体器件，因而具有类似的优点。附图说明本专利技术的下列附图在此作为本专利技术的一部分用于理解本专利技术。附图中示出了本专利技术的实施例及其描述，用来解释本专利技术的原理。附图中：图1示出了根据本专利技术一实施方式的制作方法的工艺流程图；图2A～图2G示出了根据本专利技术一实施方式的制作方法依次实施各步骤所获得器件的剖面示意图；图3A～图3F示出了根据本专利技术另一实施方式的制作方法依次实施各步骤所获得器件的剖面示意图；图4示出了根据本专利技术一实施方式的电子装置的示意图。具体实施方式在下文的描述中，给出了大量具体的细节以便提供对本专利技术更为彻底的理解。然而，对于本领域技术人员而言显而易见的是，本专利技术可以无需一个或多个这些细节而得以实施。在其他的例子中，为了避免与本专利技术发生混淆，对于本领域公知的一些技术特征未进行描述。应当理解的是，本专利技术能够以不同形式实施，而不应当解释为局限于这里提出的实施例。相反地，提供这些实施例将使公开彻底和完全，并且将本专利技术的范围完全地传递给本领域技术人员。在附图中，为了清楚，层和区的尺寸以及相对尺寸可能被夸大。自始至终相同附图标记表示相同的元件。应当明白，当元件或层被称为“在…上”、“与…相邻”、“连接到”或“耦合到”其它元件或层时，其可以直接地在其它元件或层上、与之相邻、连接或耦合到其它元件或层，或者可以存在居间的元件或层。相反，当元件被称为“直接在…上”、“与…直接相邻”、“直接连接到”或“直接耦合到”其它元件或层时，则不存在居间的元件或层。应当明白，尽管可使用术语第一、第二、第三等描述各种元件、部件、区、层和/或部分，这些元件、部件、区、层和/或部分不应当被这些术语限制。这些术语仅仅用来区分一个元件、部件、区、层或部分与另一个元件、部件、区、层或部分。因此，在不脱离本专利技术教导之下，
下面讨论的第一元件、部件、区、层或部分可表示为第二元件、部件、区、层或部分。空间关系术语例如“在…下”、“在…下面”、“下面的”、“在…之下”、“在…之上”、“上面的”等，在这里可为了方便描述而被使用从而描述图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应当明白，除了图中所示的取向以外，空间关系术语意图还包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附图中的器件翻转，然后，描述为“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征将取向为在其它元件或特征“上”。因此，示例性术语“在…下面”和“在…下”可包括上和下两个取向。器件可以另外地取向(旋转90度或其它取向)并且在此使用的空间描述语相应地被解释。在此使用的术语的目的仅在于描述具体实施例并且不作为本专利技术的限制。在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也意图包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应明白术语“组成”和/或“包括”，当在该说明书中使用时，确定所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或更多其它的特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或组的存在或添加。在此使用时，术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。本专利技术提供一种半导体器件制作方法，用于形成高K栅介质和半导体之间的界面氧化层，如图1所示，该方法包括：步骤S101，提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成二氧化层；步骤S102，向所述二氧化硅层注入氮原子以形成氮氧化硅薄膜；步骤S103，在所述氮氧化硅薄膜形成盖帽层；步骤S104，在所述盖帽层上涂覆光刻胶并曝光，以得到图形化的光刻胶层；步骤S105，以图形化的光刻胶层为掩膜，依次去除曝光的盖帽层、氮氧化硅薄膜和二氧化硅层；步骤S106，去除所述氮氧化硅薄膜上方图形化的光刻胶层；步骤S107，去除所述氮氧化硅薄膜上方的盖帽层，得到图形化的界面氧化层。进一步地，所述盖帽层为氮化硅层、二氧化硅层中的一种或两种，盖帽层可通过沉积方法形成，其厚度可根据需要进行设置。本专利技术提供的半导体器件制作方法，在形成高K栅介质和半导体之间的界面氧化层时，再形成界面氧化层后先在该氧化层上形成盖
帽层，然后再进行光刻等步骤，并且由本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括下述步骤：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成二氧化硅层；向所述二氧化硅层注入氮原子以形成氮氧化硅薄膜；在所述氮氧化硅薄膜上形成盖帽层；在所述盖帽层上涂覆光刻胶并曝光，以得到图形化的光刻胶层；以图形化的光刻胶层为掩膜，依次去除曝光的盖帽层、氮氧化硅薄膜和二氧化硅层；去除所述氮氧化硅薄膜上方图形化的光刻胶层；去除所述氮氧化硅薄膜上方的盖帽层，得到图形化的界面氧化层。
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括下述步骤：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成二氧化硅层；向所述二氧化硅层注入氮原子以形成氮氧化硅薄膜；在所述氮氧化硅薄膜上形成盖帽层；在所述盖帽层上涂覆光刻胶并曝光，以得到图形化的光刻胶层；以图形化的光刻胶层为掩膜，依次去除曝光的盖帽层、氮氧化硅薄膜和二氧化硅层；去除所述氮氧化硅薄膜上方图形化的光刻胶层；去除所述氮氧化硅薄膜上方的盖帽层，得到图形化的界面氧化层。2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述二氧化硅界面氧化层的厚度为3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述氮氧化硅薄膜中氮原子的浓度为1E14～1E16/cm2。4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述盖帽层包括氮化钛层。5.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述盖帽层还包括位于所述氮化钛层上的二氧化硅层。6.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述盖帽层通过物理气相沉积、化学气相沉积或原子层沉积形成。7.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述氮化钛盖帽层的厚度为8.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述二氧化硅盖帽层的厚度为9.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述盖帽层包括通过原子层沉积形成的二氧化硅层。10.根据权利要求9所述的制作方法，其特征在于，所述二氧化硅层厚度为11....
【专利技术属性】
技术研发人员：刘佳磊，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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