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本发明提供一种半导体器件的制作方法，其包括下述步骤：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成二氧化硅层；向所述二氧化硅层注入氮原子以形成氮氧化硅薄膜；在所述氮氧化硅薄膜上形成盖帽层；在所述盖帽层上涂覆光刻胶并曝光，以得到图形化的光刻胶层；以图...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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