一种低电场源极抹除非挥发性内存单元的制造方法技术

本发明专利技术涉及一种低电场源极抹除非挥发性内存单元，包含一基板，该基板具有上表面或与上表面相接的沟槽，上表面的一侧形成漏极区，另一侧形成源极区。该源极区具有一从浓掺杂区向漏极一侧延伸的淡掺杂区，形成于基板上表面或该沟槽的侧墙表面上。该内存结构还包括第一介电层、选择栅极区、穿隧介电层、悬浮栅极区、控制栅极区、以及第二介电层。其中悬浮栅极区的一侧外缘与源极淡掺杂区对其，并与浓掺杂区形成水平或垂直错位。本发明专利技术能够减轻栅极引发源极漏电流效应所造成的漏电流，并对导通电流大小有良好的控制，更能进一步配合先进制程缩小内存单元的单位面积与制造的完整性。

【技术实现步骤摘要】
一种低电场源极抹除非挥发性内存单元的制造方法本申请是申请号为201410064641.3、申请日2014年02月25日、专利技术名称为“一种低电场源极抹除非挥发性内存单元及其制造方法”的分案申请。
本专利技术涉及一种集成电路组件结构的制造方法，尤其涉及一种低电场源极抹除非挥发性内存单元结构的制造方法。
技术介绍
非挥发性内存(Non-VolatileMemory)具有体积小、重量轻、省电、且数据不随供应电源断电而消失的优点，因此非常适合手持式电子装置的应用。目前随着手持式电子装置的普及，非挥发性内存确已被大量地采用，举凡作为多媒体的储存媒介，或是维持电子系统的正常操作皆有其应用。非挥发性内存目前正处于一个需求量逐年增大，成本与售价却逐年降低的正循环，已为半导体产业中相当重要的产品之一。请参考美国专利号US4,698,787。该抹除非挥发性内存单元为一传统的堆栈闸式(Stack-Gate)非挥发性内存结构，具有一悬浮栅极区(FloatingGate)。在该内存进行写入“1”的操作时，利用热电子注入(Hot-electronInjection)的机制，将足够数量的电子陷捕于该悬浮栅极区内本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种低电场源极抹除非挥发性内存单元的制造方法，其特征在于，包含：提供一基板，所述基板具有一上表面；形成一第一介电层于所述基板的上表面；形成一选择栅极区于该第一介电层之上；形成一选择栅极区侧壁绝缘层，于所述选择栅极区未覆盖所述基板上表面之上形成一穿隧介电层,连接于所述选择栅极区的上表面；形成一自对准浮动栅极；形成一自对准沟槽结构；形成一离子布植隔离层；以斜角度与垂直离子布植方式依序形成源极扩散区的淡掺杂区与浓掺杂区；去除离子布植隔离层；以快速硅氧化方式修补离子布植缺陷，并形成一平坦化且填满沟槽结构的源极绝缘层；形成一悬浮栅极区于所述穿隧介电层的表面上，于所述悬浮栅极区与平坦化绝缘层之上，形成一第...

【技术特征摘要】
1.一种低电场源极抹除非挥发性内存单元的制造方法，其特征在于，包含：提供一基板，所述基板具有一上表面；形成一第一介电层于所述基板的上表面；形成一选择栅极区于该第一介电层之上；形成一选择栅极区侧壁绝缘层，于所述选择栅极区未覆盖所述基板上表面之上形成一穿隧介电层,连接于所述选择栅极区的上表面；形成一自对准浮动栅极；形成一自对准沟槽结构；形成一离子布植隔离层；以斜角度与垂直离子布植方式依序形成源极扩散区的淡掺杂区与浓掺杂区；去除离子布植隔离层；以快速硅氧化方式修补离子布植缺陷，并形成一平坦化且填满沟槽结构的源极绝缘层；形成一悬浮栅极区于所述穿隧介电层的表面上，于所述悬浮栅极区与平坦化绝缘层...

【专利技术属性】
技术研发人员：范德慈，陈志明，吕荣章，
申请(专利权)人：北京芯盈速腾电子科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：北京,11