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本发明涉及一种低电场源极抹除非挥发性内存单元，包含一基板，该基板具有上表面或与上表面相接的沟槽，上表面的一侧形成漏极区，另一侧形成源极区。该源极区具有一从浓掺杂区向漏极一侧延伸的淡掺杂区，形成于基板上表面或该沟槽的侧墙表面上。该内存结构还包...
该专利属于北京芯盈速腾电子科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京芯盈速腾电子科技有限责任公司授权不得商用。

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